เหตุใดการทดสอบการใช้ MOSFET กำลังสูงและการแทนที่ด้วยมัลติมิเตอร์จึงเป็นเรื่องยากอยู่เสมอ

เกี่ยวกับ MOSFET กำลังสูงเป็นหนึ่งในวิศวกรที่กระตือรือร้นที่จะหารือในหัวข้อนี้ ดังนั้นเราจึงได้จัดความรู้ทั่วไปและไม่ธรรมดาของมอสเฟตฉันหวังว่าจะได้ช่วยเหลือวิศวกร มาพูดถึง MOSFET ซึ่งเป็นองค์ประกอบที่สำคัญมากกันดีกว่า!

ป้องกันไฟฟ้าสถิตย์

MOSFET กำลังสูงเป็นหลอดเอฟเฟกต์สนามเกตที่มีฉนวน ประตูไม่มีวงจรไฟฟ้ากระแสตรง ความต้านทานอินพุตสูงมาก มันง่ายมากที่จะทำให้เกิดการรวมประจุคงที่ ส่งผลให้ไฟฟ้าแรงสูงจะเป็นประตูและแหล่งที่มาของ ชั้นฉนวนระหว่างการพังทลาย

การผลิต MOSFET ในยุคแรกๆ ส่วนใหญ่ไม่มีมาตรการป้องกันไฟฟ้าสถิตย์ ดังนั้นควรระมัดระวังในการดูแลและการใช้งาน โดยเฉพาะ MOSFET กำลังไฟฟ้าที่มีขนาดเล็ก เนื่องจากความจุอินพุต MOSFET พลังงานที่น้อยกว่านั้นค่อนข้างเล็ก เมื่อสัมผัสกับไฟฟ้าสถิตจะสร้าง แรงดันไฟฟ้าที่สูงขึ้น เกิดจากการพังทลายของไฟฟ้าสถิตได้ง่าย

การปรับปรุง MOSFET กำลังสูงเมื่อเร็วๆ นี้มีความแตกต่างค่อนข้างมาก ประการแรก เนื่องจากฟังก์ชันของความจุอินพุตที่ใหญ่กว่านั้นก็ใหญ่กว่าด้วย ดังนั้นการสัมผัสกับไฟฟ้าสถิตจึงมีกระบวนการชาร์จ ส่งผลให้แรงดันไฟฟ้ามีขนาดเล็กลง ทำให้เกิดการพังทลาย ของความเป็นไปได้ที่เล็กลงและอีกครั้งตอนนี้ MOSFET กำลังสูงในเกตภายในและแหล่งที่มาของเกตและแหล่งที่มาของตัวควบคุม DZ ที่มีการป้องกันซึ่งคงที่ฝังอยู่ในการป้องกันของตัวควบคุมไดโอดค่าตัวควบคุมแรงดันไฟฟ้าด้านล่างอย่างมีประสิทธิภาพ ปกป้องประตูและแหล่งที่มาของ ชั้นฉนวน, พลังงานที่แตกต่างกัน, รุ่นที่แตกต่างกันของค่าควบคุมแรงดันไฟฟ้าไดโอดตัวควบคุมการป้องกัน MOSFET จะแตกต่างกัน

แม้ว่ามาตรการป้องกันภายใน MOSFET กำลังสูง เราควรดำเนินการตามขั้นตอนการปฏิบัติงานป้องกันไฟฟ้าสถิต ซึ่งเป็นเจ้าหน้าที่บำรุงรักษาที่มีคุณสมบัติเหมาะสมควรมี

การตรวจจับและการเปลี่ยน

ในการซ่อมโทรทัศน์และอุปกรณ์ไฟฟ้าจะพบกับความเสียหายของส่วนประกอบต่างๆมอสเฟตก็เป็นหนึ่งในนั้นเช่นกัน ซึ่งเป็นวิธีที่เจ้าหน้าที่บำรุงรักษาของเราใช้มัลติมิเตอร์ที่ใช้กันทั่วไปเพื่อกำหนด MOSFET ที่ดีและไม่ดี ดีและไม่ดี ในการเปลี่ยน MOSFET หากไม่มีผู้ผลิตและรุ่นเดียวกันจะแก้ไขปัญหาอย่างไร

1 การทดสอบ MOSFET กำลังสูง:

ในฐานะเจ้าหน้าที่ซ่อมทีวีไฟฟ้าทั่วไปในการวัดทรานซิสเตอร์คริสตัลหรือไดโอด โดยทั่วไปจะใช้มัลติมิเตอร์ธรรมดาเพื่อตรวจสอบทรานซิสเตอร์หรือไดโอดที่ดีและไม่ดี แม้ว่าจะไม่สามารถยืนยันการตัดสินของพารามิเตอร์ทางไฟฟ้าของทรานซิสเตอร์หรือไดโอดได้ แต่ตราบเท่าที่ วิธีการนี้ถูกต้องในการยืนยันทรานซิสเตอร์คริสตัลว่า "ดี" และ "ไม่ดี" หรือ "ไม่ดี" เพื่อยืนยันทรานซิสเตอร์คริสตัล “แย่” หรือไม่มีปัญหา ในทำนองเดียวกัน MOSFET ก็สามารถเป็นได้เช่นกัน

การใช้มัลติมิเตอร์เพื่อตรวจสอบ "ดี" และ "เสีย" จากการบำรุงรักษาทั่วไปก็สามารถตอบสนองความต้องการได้เช่นกัน

การตรวจจับต้องใช้มัลติมิเตอร์แบบพอยน์เตอร์ (มิเตอร์ดิจิตอลไม่เหมาะสำหรับการวัดอุปกรณ์เซมิคอนดักเตอร์) สำหรับหลอดสวิตชิ่ง MOSFET ชนิดกำลังเป็นการปรับปรุงช่อง N ผลิตภัณฑ์ของผู้ผลิตเกือบทั้งหมดใช้แบบฟอร์มแพ็คเกจ TO-220F เดียวกัน (หมายถึงแหล่งจ่ายไฟแบบสวิตชิ่งสำหรับกำลังไฟ 50-200W ของหลอดสวิตชิ่งเอฟเฟกต์สนาม) การจัดเรียงอิเล็กโทรดทั้งสามยังสอดคล้องกันนั่นคือทั้งสาม

ปักหมุดลง แบบจำลองการพิมพ์หันหน้าเข้าหาตัวเอง หมุดด้านซ้ายสำหรับเกต หมุดทดสอบด้านขวาสำหรับแหล่งกำเนิด หมุดกลางสำหรับท่อระบายน้ำ

(1) มัลติมิเตอร์และการเตรียมการที่เกี่ยวข้อง:

ก่อนอื่น ก่อนการวัดควรใช้มัลติมิเตอร์ โดยเฉพาะการใช้เกียร์โอห์ม เพื่อให้เข้าใจว่าบล็อกโอห์มจะเป็นการใช้บล็อกโอห์มที่ถูกต้องในการวัดทรานซิสเตอร์คริสตัลและมอสเฟต.

ด้วยมัลติมิเตอร์โอห์มบล็อกโอห์มระดับกลางไม่สามารถมีขนาดใหญ่เกินไปโดยเฉพาะอย่างยิ่งน้อยกว่า 12 Ω (ตารางประเภท 500 สำหรับ 12 Ω) เพื่อให้ในบล็อก R × 1 สามารถมีกระแสไฟฟ้าขนาดใหญ่สำหรับทางแยก PN ของไปข้างหน้า ลักษณะการตัดสินมีความถูกต้องมากขึ้น แบตเตอรี่ภายในบล็อกมัลติมิเตอร์ R × 10K ดีที่สุดมากกว่า 9V ดังนั้นในการวัดกระแสรั่วไหลผกผันของจุดเชื่อมต่อ PN มีความแม่นยำมากขึ้น มิฉะนั้นจะไม่สามารถวัดการรั่วไหลได้

ขณะนี้เนื่องจากความคืบหน้าของกระบวนการผลิต การคัดกรองโรงงานและการทดสอบที่เข้มงวดมาก โดยทั่วไปเราจะตัดสินตราบเท่าที่การตัดสินของ MOSFET ไม่รั่วไหล ไม่ทะลุลัดวงจร การไม่ลัดวงจรภายในสามารถทำได้ ขยายวิธีการวิธีการนั้นง่ายมาก:

การใช้มัลติมิเตอร์บล็อก R × 10K แบตเตอรี่ภายในบล็อก R × 10K โดยทั่วไปคือ 9V บวก 1.5V ถึง 10.5V แรงดันไฟฟ้านี้โดยทั่วไปจะตัดสินว่ามีการรั่วไหลของการผกผันของจุดเชื่อมต่อ PN เพียงพอ ปากกาสีแดงของมัลติมิเตอร์มีศักยภาพเป็นลบ (เชื่อมต่อกับขั้วลบของแบตเตอรี่ภายใน) ปากกาสีดำของมัลติมิเตอร์มีศักยภาพเป็นบวก (เชื่อมต่อกับขั้วบวกของแบตเตอรี่ภายใน)

(2) ขั้นตอนการทดสอบ:

เชื่อมต่อปากกาสีแดงเข้ากับแหล่งที่มาของ MOSFET S; เชื่อมต่อปากกาสีดำเข้ากับท่อระบายน้ำของ MOSFET D ในเวลานี้ ตัวบ่งชี้เข็มควรจะไม่มีที่สิ้นสุด หากมีดัชนีโอห์มมิกแสดงว่าท่อที่ทดสอบมีปรากฏการณ์การรั่วซึม หลอดนี้จะไม่สามารถใช้งานได้

รักษาสถานะข้างต้น ในเวลานี้เชื่อมต่อตัวต้านทาน 100K ~ 200K กับประตูและท่อระบายน้ำ ในเวลานี้เข็มควรระบุจำนวนโอห์มยิ่งน้อยยิ่งดี โดยทั่วไปสามารถระบุเป็น 0 โอห์ม คราวนี้เป็นประจุบวกผ่านตัวต้านทาน 100K บนเกต MOSFET ที่ชาร์จ ส่งผลให้สนามไฟฟ้าเกตเนื่องจาก สนามไฟฟ้าที่สร้างโดยช่องนำไฟฟ้าส่งผลให้ท่อระบายน้ำและแหล่งกำเนิดไฟฟ้า ดังนั้นการโก่งตัวของเข็มมัลติมิเตอร์ มุมโก่งจึงมีขนาดใหญ่ (ดัชนีของโอห์มมีขนาดเล็ก) เพื่อพิสูจน์ว่าประสิทธิภาพการคายประจุดี

จากนั้นเชื่อมต่อกับตัวต้านทานที่ถอดออกแล้วตัวชี้มัลติมิเตอร์ควรยังคงเป็น MOSFET บนดัชนียังคงไม่เปลี่ยนแปลง แม้ว่าตัวต้านทานจะถูกนำออกไป แต่เนื่องจากตัวต้านทานของเกตที่ชาร์จด้วยประจุไม่หายไป สนามไฟฟ้าของเกตยังคงรักษาช่องตัวนำภายในไว้ซึ่งยังคงรักษาไว้ ซึ่งเป็นลักษณะของ MOSFET ชนิดเกทที่หุ้มฉนวน

หากตัวต้านทานถอดออก เข็มจะค่อยๆ กลับไปสู่ความต้านทานสูงหรือแม้กระทั่งกลับไปสู่ค่าอนันต์ โดยพิจารณาว่าท่อเกตรั่วที่วัดได้

ในเวลานี้ เมื่อใช้สายไฟเชื่อมต่อกับเกตและแหล่งที่มาของท่อที่ทดสอบ ตัวชี้ของมัลติมิเตอร์จะกลับสู่ระยะอนันต์ทันที การเชื่อมต่อสายไฟเพื่อให้ MOSFET ที่วัดได้, การปล่อยประจุประตู, สนามไฟฟ้าภายในหายไป; ช่องนำไฟฟ้าก็หายไปเช่นกัน ดังนั้นท่อระบายน้ำและแหล่งกำเนิดระหว่างความต้านทานจึงกลายเป็นอนันต์

2, การเปลี่ยน MOSFET กำลังสูง

ในการซ่อมโทรทัศน์และอุปกรณ์ไฟฟ้าทุกชนิดเมื่อพบส่วนประกอบเสียหายควรเปลี่ยนส่วนประกอบประเภทเดียวกัน อย่างไรก็ตาม บางครั้งส่วนประกอบเดียวกันนั้นไม่มีอยู่ในมือ ก็จำเป็นต้องใช้การเปลี่ยนประเภทอื่น เพื่อที่เราจะต้องคำนึงถึงประสิทธิภาพ พารามิเตอร์ ขนาด ฯลฯ ทุกด้าน เช่น โทรทัศน์ภายในท่อเอาต์พุตไลน์ เช่น ตราบใดที่พิจารณาถึงแรงดันไฟฟ้า กระแสไฟฟ้า โดยทั่วไปสามารถเปลี่ยนพลังงานได้ (ท่อเอาท์พุตไลน์มีขนาดเกือบเท่ากัน) และพลังงานมีแนวโน้มที่จะใหญ่ขึ้นและดีขึ้น

สำหรับการเปลี่ยน MOSFET แม้ว่าจะใช้หลักการนี้ก็ตาม วิธีที่ดีที่สุดคือสร้างต้นแบบที่ดีที่สุด โดยเฉพาะอย่างยิ่ง อย่าไล่ตามกำลังที่ใหญ่กว่า เนื่องจากกำลังมีขนาดใหญ่ ความจุอินพุตมีขนาดใหญ่ เปลี่ยนแปลง และวงจรกระตุ้นไม่ตรงกับการกระตุ้นของตัวต้านทานจำกัดกระแสประจุของวงจรชลประทานขนาดค่าความต้านทานและความจุอินพุตของ MOSFET สัมพันธ์กับการเลือกกำลังไฟฟ้าขนาดใหญ่แม้จะมี ความจุขนาดใหญ่แต่ความจุอินพุตก็ใหญ่เช่นกันและความจุอินพุตก็ใหญ่เช่นกันและกำลังไฟไม่มาก

ความจุอินพุตก็มีขนาดใหญ่เช่นกัน วงจรกระตุ้นไม่ดี ซึ่งจะทำให้ประสิทธิภาพการเปิดและปิด MOSFET แย่ลง แสดงการแทนที่ MOSFET รุ่นต่างๆ โดยคำนึงถึงความจุอินพุตของพารามิเตอร์นี้

ตัวอย่างเช่น มีความเสียหายของบอร์ดไฟฟ้าแรงสูงแบ็คไลท์ LCD TV ขนาด 42 นิ้ว หลังจากตรวจสอบความเสียหายของ MOSFET กำลังสูงภายใน เนื่องจากไม่มีหมายเลขต้นแบบในการเปลี่ยน การเลือกแรงดัน กระแส และกำลังไฟไม่น้อยกว่า เมื่อเปลี่ยน MOSFET เดิม ผลที่ได้คือหลอดแบ็คไลท์ดูเหมือนจะกะพริบต่อเนื่อง (สตาร์ทติดยาก) และสุดท้ายก็เปลี่ยนมาใช้หลอดเดิมชนิดเดียวกันเพื่อแก้ไขปัญหา

เมื่อตรวจพบความเสียหายที่เกิดกับ MOSFET กำลังสูง จะต้องเปลี่ยนส่วนประกอบต่อพ่วงของวงจรการกระจายตัวด้วย เนื่องจากความเสียหายที่เกิดกับ MOSFET อาจเป็นส่วนประกอบวงจรการกระจายที่ไม่ดีซึ่งเกิดจากความเสียหายที่เกิดกับ MOSFET แม้ว่าตัว MOSFET เองจะเสียหาย แต่เมื่อ MOSFET พัง ส่วนประกอบของวงจรกำซาบก็จะเสียหายเช่นกัน และควรเปลี่ยนใหม่

เช่นเดียวกับที่เรามีผู้เชี่ยวชาญด้านการซ่อมแซมที่ชาญฉลาดมากมายในการซ่อมแซมแหล่งจ่ายไฟแบบสวิตชิ่ง A3; ตราบใดที่พบว่าท่อสวิตชิ่งพังก็ยังเป็นด้านหน้าของหลอดกระตุ้น 2SC3807 พร้อมเปลี่ยนด้วยเหตุผลเดียวกัน (ทั้งๆ หลอด 2SC3807 วัดด้วยมัลติมิเตอร์ก็ดี)