MOSFET มีหน้าที่อะไรบ้าง?

MOSFET มีสองประเภทหลัก: ประเภทแยกแยกและประเภทประตูหุ้มฉนวน Junction MOSFET (JFET) ได้รับการตั้งชื่อเนื่องจากมีจุดเชื่อมต่อ PN สองจุดและประตูหุ้มฉนวนมอสเฟต(JGFET) ตั้งชื่อเพราะประตูถูกหุ้มฉนวนจากอิเล็กโทรดอื่นๆ โดยสมบูรณ์ ในปัจจุบัน ในบรรดาเกต MOSFET แบบหุ้มฉนวน ชนิดที่ใช้กันมากที่สุดคือ MOSFET เรียกว่า MOSFET (MOSFET โลหะออกไซด์-เซมิคอนดักเตอร์); นอกจากนี้ยังมี PMOS, NMOS และ VMOS power MOSFETs รวมถึงโมดูลพลังงาน πMOS และ VMOS ที่เพิ่งเปิดตัว เป็นต้น

 

ตามวัสดุเซมิคอนดักเตอร์ช่องสัญญาณที่แตกต่างกัน ประเภทหัวต่อและประเภทประตูฉนวนแบ่งออกเป็นช่องและช่อง P หากแบ่งตามโหมดการนำไฟฟ้า MOSFET ก็สามารถแบ่งออกเป็นประเภทการพร่องและประเภทการปรับปรุง MOSFET ทางแยกเป็นประเภทพร่องทั้งหมด และ MOSFET ประตูที่มีฉนวนเป็นทั้งประเภทพร่องและประเภทการปรับปรุง

ทรานซิสเตอร์สนามผลสามารถแบ่งออกเป็นทรานซิสเตอร์สนามผลทางแยกและ MOSFET MOSFET แบ่งออกเป็นสี่ประเภท: ประเภทพร่อง N-channel และประเภทการปรับปรุง; ประเภทพร่อง P-channel และประเภทการปรับปรุง

 

ลักษณะของมอสเฟต

ลักษณะของ MOSFET คือ UG ของแรงดันไฟฟ้าประตูทิศใต้ ซึ่งควบคุม ID ปัจจุบันของท่อระบายน้ำ เมื่อเปรียบเทียบกับทรานซิสเตอร์แบบไบโพลาร์ทั่วไป MOSFET มีคุณลักษณะของความต้านทานอินพุตสูง สัญญาณรบกวนต่ำ ช่วงไดนามิกขนาดใหญ่ ใช้พลังงานต่ำ และบูรณาการได้ง่าย

 

เมื่อค่าสัมบูรณ์ของแรงดันไบแอสเชิงลบ (-UG) เพิ่มขึ้น ชั้นการพร่องจะเพิ่มขึ้น ช่องจะลดลง และ ID กระแสเดรนจะลดลง เมื่อค่าสัมบูรณ์ของแรงดันไบแอสเชิงลบ (-UG) ลดลง ชั้นการพร่องจะลดลง ช่องสัญญาณจะเพิ่มขึ้น และ ID กระแสเดรนจะเพิ่มขึ้น จะเห็นได้ว่า ID กระแสเดรนถูกควบคุมโดยแรงดันเกต ดังนั้น MOSFET จึงเป็นอุปกรณ์ควบคุมแรงดันไฟฟ้า นั่นคือ การเปลี่ยนแปลงของกระแสเอาต์พุตจะถูกควบคุมโดยการเปลี่ยนแปลงของแรงดันไฟฟ้าอินพุต เพื่อให้บรรลุการขยายและ วัตถุประสงค์อื่น

 

เช่นเดียวกับทรานซิสเตอร์แบบไบโพลาร์ เมื่อใช้ MOSFET ในวงจร เช่น การขยายสัญญาณ ควรเพิ่มแรงดันไบแอสที่เกทด้วย

ควรใช้เกตของหลอดเอฟเฟกต์สนามแยกกับแรงดันไบแอสย้อนกลับ นั่นคือ ควรใช้แรงดันเกตเชิงลบกับท่อ N-channel และควรใช้กรงเล็บเกตบวกกับท่อ P-channel MOSFET ประตูหุ้มฉนวนเสริมควรใช้แรงดันไฟฟ้าประตูไปข้างหน้า แรงดันเกตของ MOSFET ที่เป็นฉนวนโหมดพร่องอาจเป็นค่าบวก ลบ หรือ "0" วิธีการเพิ่มอคติ ได้แก่ วิธีอคติคงที่, วิธีอคติที่จัดหาเอง, วิธีเชื่อมต่อโดยตรง ฯลฯ

มอสเฟตมีพารามิเตอร์มากมาย รวมถึงพารามิเตอร์ DC พารามิเตอร์ AC และพารามิเตอร์จำกัด แต่ในการใช้งานปกติ คุณจะต้องใส่ใจกับพารามิเตอร์หลักต่อไปนี้เท่านั้น: แหล่งระบายอิ่มตัว กระแส IDSS แรงดันไฟฟ้าบีบออก ขึ้น (ท่อทางแยกและโหมดพร่องหุ้มฉนวน ท่อเกตหรือแรงดันไฟฟ้าเปิด UT (ท่อเกตหุ้มฉนวนเสริม), ทรานส์คอนดักเตอร์ gm, แรงดันพังทลายของแหล่งเดรน BUDS, PDSM การกระจายกำลังสูงสุด และ IDSM กระแสเดรน-ซอร์สสูงสุด

(1) กระแสแหล่งระบายอิ่มตัว

IDSS ของแหล่งเดรนอิ่มตัวอ้างอิงถึงกระแสของแหล่งเดรนเมื่อแรงดันเกต UGS=0 ในทางแยกหรือเกต MOSFET ที่หุ้มฉนวนพร่อง

(2) แรงดันไฟฟ้าบีบออก

แรงดันไฟฟ้าบีบออก UP หมายถึงแรงดันเกตเมื่อการเชื่อมต่อเดรน-แหล่งกำเนิดถูกตัดขาดที่ทางแยกหรือ MOSFET เกทหุ้มฉนวนชนิดพร่อง ดังแสดงใน 4-25 สำหรับเส้นโค้ง UGS-ID ของท่อ N-channel ความหมายของ IDSS และ UP สามารถมองเห็นได้ชัดเจน

(3) แรงดันไฟฟ้าเปิดเครื่อง

แรงดันไฟฟ้าเปิด UT หมายถึงแรงดันเกตเมื่อเพิ่งทำการเชื่อมต่อท่อระบายน้ำในเกต MOSFET ที่หุ้มฉนวนเสริม รูปที่ 4-27 แสดงเส้นโค้ง UGS-ID ของท่อ N-channel และความหมายของ UT สามารถมองเห็นได้ชัดเจน

(4) ทรานส์คอนดักเตอร์

ทรานส์คอนดักเตอร์ gm แสดงถึงความสามารถของ UGS แรงดันไฟฟ้าของแหล่งเกตในการควบคุม ID กระแสเดรน ซึ่งก็คืออัตราส่วนของการเปลี่ยนแปลงใน ID กระแสเดรนต่อการเปลี่ยนแปลงของ UGS แรงดันไฟฟ้าของแหล่งเกต 9m เป็นพารามิเตอร์ที่สำคัญในการวัดความสามารถในการขยายของมอสเฟต.

(5) แรงดันพังทลายของแหล่งกำเนิดเดรน

แรงดันไฟฟ้าพังทลายของแหล่งกำเนิดเดรน BUDS หมายถึงแรงดันไฟฟ้าของแหล่งกำเนิดเดรนสูงสุดที่ MOSFET สามารถรับได้ เมื่อแรงดันไฟฟ้าของแหล่งกำเนิดเกตเป็นค่าคงที่ นี่เป็นพารามิเตอร์จำกัด และแรงดันไฟฟ้าในการทำงานที่ใช้กับ MOSFET จะต้องน้อยกว่า BUDS

(6) การกระจายพลังงานสูงสุด

การกระจายพลังงานสูงสุด PDSM ยังเป็นพารามิเตอร์จำกัด ซึ่งหมายถึงการกระจายพลังงานจากแหล่งเดรนสูงสุดที่อนุญาตโดยไม่ทำให้ประสิทธิภาพของ MOSFET ลดลง เมื่อใช้แล้ว การใช้พลังงานจริงของ MOSFET ควรน้อยกว่า PDSM และปล่อยให้มีอัตรากำไรขั้นต้น

(7) กระแสไฟจากแหล่งระบายสูงสุด

IDSM กระแสไฟจากแหล่งเดรนสูงสุดเป็นพารามิเตอร์ขีดจำกัดอีกตัวหนึ่ง ซึ่งอ้างอิงถึงกระแสสูงสุดที่อนุญาตให้ผ่านระหว่างเดรนและแหล่งกำเนิดเมื่อ MOSFET ทำงานตามปกติ กระแสไฟฟ้าในการทำงานของ MOSFET ไม่ควรเกิน IDSM

1. MOSFET สามารถใช้สำหรับการขยายสัญญาณได้ เนื่องจากความต้านทานอินพุตของแอมพลิฟายเออร์ MOSFET นั้นสูงมาก ตัวเก็บประจุแบบคัปปลิ้งอาจมีขนาดเล็กและไม่ต้องใช้ตัวเก็บประจุด้วยไฟฟ้า

2. ความต้านทานอินพุตสูงของ MOSFET เหมาะมากสำหรับการแปลงอิมพีแดนซ์ มักใช้สำหรับการแปลงอิมพีแดนซ์ในสเตจอินพุตของแอมพลิฟายเออร์แบบหลายสเตจ

3. MOSFET สามารถใช้เป็นตัวต้านทานแบบปรับค่าได้

4. MOSFET สามารถใช้เป็นแหล่งกำเนิดกระแสคงที่ได้อย่างสะดวก

5. MOSFET สามารถใช้เป็นสวิตช์อิเล็กทรอนิกส์ได้

 

MOSFET มีคุณลักษณะของความต้านทานภายในต่ำ แรงดันไฟฟ้าทนสูง การสลับที่รวดเร็ว และพลังงานหิมะถล่มสูง ช่วงกระแสที่ออกแบบคือ 1A-200A และช่วงแรงดันไฟฟ้าคือ 30V-1200V เราสามารถปรับพารามิเตอร์ทางไฟฟ้าตามฟิลด์การใช้งานของลูกค้าและแผนการใช้งานเพื่อปรับปรุงความน่าเชื่อถือของผลิตภัณฑ์ของลูกค้า ประสิทธิภาพการแปลงโดยรวม และความสามารถในการแข่งขันด้านราคาผลิตภัณฑ์

 

การเปรียบเทียบ MOSFET กับทรานซิสเตอร์

(1) MOSFET เป็นองค์ประกอบควบคุมแรงดันไฟฟ้า ในขณะที่ทรานซิสเตอร์เป็นองค์ประกอบควบคุมกระแสไฟฟ้า เมื่ออนุญาตให้นำกระแสไฟฟ้าจากแหล่งสัญญาณเพียงเล็กน้อยเท่านั้น ควรใช้ MOSFET เมื่อแรงดันสัญญาณต่ำและอนุญาตให้นำกระแสจำนวนมากจากแหล่งสัญญาณ ควรใช้ทรานซิสเตอร์

(2) MOSFET ใช้ตัวพาส่วนใหญ่เพื่อนำไฟฟ้า ดังนั้นจึงเรียกว่าอุปกรณ์ที่มีขั้วเดียว ในขณะที่ทรานซิสเตอร์มีทั้งตัวพาส่วนใหญ่และตัวพาส่วนน้อยในการนำไฟฟ้า มันถูกเรียกว่าอุปกรณ์ไบโพลาร์

(3) แหล่งกำเนิดและการระบายของ MOSFET บางตัวสามารถใช้สลับกันได้ และแรงดันเกตอาจเป็นค่าบวกหรือลบ ซึ่งมีความยืดหยุ่นมากกว่าทรานซิสเตอร์

(4) MOSFET สามารถทำงานภายใต้สภาวะกระแสไฟฟ้าที่น้อยมากและแรงดันไฟฟ้าต่ำมากและกระบวนการผลิตของ MOSFET ก็สามารถรวม MOSFET จำนวนมากไว้บนแผ่นเวเฟอร์ซิลิคอนได้อย่างง่ายดาย ดังนั้น MOSFET จึงถูกนำมาใช้กันอย่างแพร่หลายในวงจรรวมขนาดใหญ่

 

วิธีตัดสินคุณภาพและขั้วของ MOSFET

เลือกช่วงของมัลติมิเตอร์เป็น RX1K เชื่อมต่อสายวัดทดสอบสีดำเข้ากับขั้ว D และสายวัดทดสอบสีแดงเข้ากับขั้ว S แตะเสา G และ D ในเวลาเดียวกันด้วยมือของคุณ MOSFET ควรอยู่ในสถานะการนำไฟฟ้าทันที กล่าวคือ เข็มมิเตอร์จะแกว่งไปยังตำแหน่งที่มีความต้านทานน้อยกว่า แล้วใช้มือสัมผัสเสา G และ S MOSFET ไม่น่าจะมีการตอบสนอง กล่าวคือ เข็มมิเตอร์จะไม่เคลื่อนกลับไปที่ตำแหน่งศูนย์ คราวนี้ก็น่าตัดสินแล้วว่า MOSFET เป็นหลอดที่ดี

เลือกช่วงของมัลติมิเตอร์เป็น RX1K และวัดความต้านทานระหว่างสามพินของ MOSFET หากความต้านทานระหว่างพินหนึ่งกับอีกสองพินนั้นไม่มีที่สิ้นสุด และยังคงไม่มีที่สิ้นสุดหลังจากการแลกเปลี่ยนสายวัดทดสอบ แล้วพินนี้คือขั้ว G และอีกสองพินคือขั้ว S และขั้ว D จากนั้นใช้มัลติมิเตอร์วัดค่าความต้านทานระหว่างขั้ว S และขั้ว D หนึ่งครั้ง จากนั้นเปลี่ยนสายวัดทดสอบแล้ววัดอีกครั้ง อันที่มีค่าความต้านทานน้อยกว่าคือสีดำ สายวัดทดสอบเชื่อมต่อกับเสา S และสายวัดทดสอบสีแดงเชื่อมต่อกับเสา D

 

การตรวจจับ MOSFET และข้อควรระวังในการใช้งาน

1. ใช้มัลติมิเตอร์แบบพอยน์เตอร์เพื่อระบุ MOSFET

1) ใช้วิธีการวัดความต้านทานเพื่อระบุอิเล็กโทรดของหัวต่อ MOSFET

ตามปรากฏการณ์ที่ค่าความต้านทานไปข้างหน้าและย้อนกลับของจุดเชื่อมต่อ PN ของ MOSFET แตกต่างกัน จึงสามารถระบุอิเล็กโทรดทั้งสามของทางแยก MOSFET ได้ วิธีการเฉพาะ: ตั้งค่ามัลติมิเตอร์ไปที่ช่วง R×1k เลือกอิเล็กโทรดสองตัว และวัดค่าความต้านทานไปข้างหน้าและย้อนกลับตามลำดับ เมื่อค่าความต้านทานไปข้างหน้าและย้อนกลับของอิเล็กโทรดสองตัวเท่ากันและมีค่าหลายพันโอห์ม ดังนั้นอิเล็กโทรดทั้งสองจะเป็นเดรน D และแหล่งกำเนิด S ตามลำดับ เนื่องจากสำหรับ MOSFET ทางแยก ท่อระบายและแหล่งกำเนิดสามารถใช้แทนกันได้ อิเล็กโทรดที่เหลือจะต้องเป็นเกท G คุณยังสามารถสัมผัสสายวัดทดสอบสีดำ (สายทดสอบสีแดงก็เป็นที่ยอมรับ) ของมัลติมิเตอร์กับอิเล็กโทรดใดๆ และสายวัดทดสอบอื่นๆ ไปที่ สัมผัสอิเล็กโทรดสองตัวที่เหลือตามลำดับเพื่อวัดค่าความต้านทาน เมื่อค่าความต้านทานที่วัดได้สองครั้งมีค่าเท่ากันโดยประมาณ อิเล็กโทรดที่สัมผัสกับสายวัดทดสอบสีดำคือเกต และอีกสองอิเล็กโทรดคือท่อระบายและแหล่งกำเนิดตามลำดับ หากค่าความต้านทานที่วัดได้สองครั้งมีขนาดใหญ่มากทั้งคู่ หมายความว่าเป็นทิศทางย้อนกลับของจุดเชื่อมต่อ PN นั่นคือทั้งคู่เป็นความต้านทานย้อนกลับ สามารถระบุได้ว่าเป็น MOSFET แบบ N-channel และสายวัดทดสอบสีดำเชื่อมต่อกับเกต หากค่าความต้านทานที่วัดได้สองครั้งคือค่าความต้านทานน้อยมากแสดงว่าเป็นจุดต่อ PN ไปข้างหน้านั่นคือความต้านทานไปข้างหน้าและกำหนดให้เป็น P-channel MOSFET สายวัดทดสอบสีดำเชื่อมต่อกับประตูด้วย หากสถานการณ์ข้างต้นไม่เกิดขึ้น คุณสามารถเปลี่ยนสายวัดทดสอบสีดำและสีแดง และดำเนินการทดสอบตามวิธีการข้างต้นจนกว่าจะระบุตารางได้

 

2) ใช้วิธีการวัดความต้านทานเพื่อกำหนดคุณภาพของ MOSFET

วิธีการวัดความต้านทานคือการใช้มัลติมิเตอร์ในการวัดความต้านทานระหว่างแหล่งกำเนิดของ MOSFET และท่อระบาย เกตและแหล่งกำเนิด เกตและท่อระบายน้ำ เกต G1 และเกต G2 เพื่อตรวจสอบว่าตรงกับค่าความต้านทานที่ระบุในคู่มือ MOSFET หรือไม่ การบริหารจัดการจะดีหรือไม่ดี วิธีการเฉพาะ: ขั้นแรก ให้ตั้งค่ามัลติมิเตอร์ไปที่ช่วง R×10 หรือ R×100 และวัดความต้านทานระหว่างแหล่งกำเนิด S และเดรน D ซึ่งโดยปกติจะอยู่ในช่วงสิบโอห์มถึงหลายพันโอห์ม (ดูได้ใน คู่มือที่หลอดรุ่นต่างๆค่าความต้านทานต่างกัน) หากค่าความต้านทานที่วัดได้มากกว่าค่าปกติอาจเป็นเพราะการสัมผัสภายในไม่ดี หากค่าความต้านทานที่วัดได้ไม่มีที่สิ้นสุด อาจเป็นขั้วหักภายใน จากนั้นตั้งค่ามัลติมิเตอร์ไปที่ช่วง R×10k จากนั้นวัดค่าความต้านทานระหว่างเกต G1 และ G2 ระหว่างเกตกับแหล่งกำเนิด และระหว่างเกตกับท่อระบายน้ำ เมื่อค่าความต้านทานที่วัดได้ทั้งหมดไม่มีที่สิ้นสุด หมายความว่าท่อเป็นปกติ หากค่าความต้านทานข้างต้นน้อยเกินไปหรือมีทางเดินแสดงว่าท่อไม่ดี ควรสังเกตว่าหากประตูทั้งสองชำรุดในท่อ สามารถใช้วิธีการทดแทนส่วนประกอบในการตรวจจับได้

 

3) ใช้วิธีการอินพุตสัญญาณเหนี่ยวนำเพื่อประมาณความสามารถในการขยายของ MOSFET

วิธีการเฉพาะ: ใช้ระดับความต้านทานของมัลติมิเตอร์ที่ระดับ R×100 เชื่อมต่อสายทดสอบสีแดงเข้ากับแหล่ง S และสายทดสอบสีดำเข้ากับท่อระบายน้ำ D เพิ่มแรงดันไฟฟ้าของแหล่งจ่ายไฟ 1.5V ให้กับ MOSFET ในเวลานี้ ค่าความต้านทานระหว่างท่อระบายน้ำและแหล่งกำเนิดจะถูกระบุด้วยเข็มมิเตอร์ จากนั้นบีบประตู G ของทางแยก MOSFET ด้วยมือของคุณ และเพิ่มสัญญาณแรงดันไฟฟ้าเหนี่ยวนำของร่างกายมนุษย์ไปที่เกต ด้วยวิธีนี้ เนื่องจากผลการขยายของท่อ แรงดันไฟฟ้า VDS ของแหล่งจ่ายเดรนและกระแส Ib ของเดรนจะเปลี่ยนไป กล่าวคือ ความต้านทานระหว่างเดรนและแหล่งกำเนิดจะเปลี่ยนไป จากนี้จะสังเกตได้ว่าเข็มมิเตอร์แกว่งไปมาก ถ้าเข็มของเข็มตารางมือถือแกว่งน้อย แสดงว่าความสามารถในการขยายของหลอดไม่ดี ถ้าเข็มแกว่งมาก แสดงว่าความสามารถในการขยายของหลอดมีขนาดใหญ่ ถ้าเข็มไม่ขยับแสดงว่าท่อเสีย

 

ตามวิธีการข้างต้น เราใช้สเกล R×100 ของมัลติมิเตอร์ในการวัดรอยต่อ MOSFET 3DJ2F ขั้นแรกให้เปิดอิเล็กโทรด G ของท่อและวัดความต้านทาน RDS ของแหล่งเดรนให้เป็น 600Ω หลังจากจับอิเล็กโทรด G ด้วยมือแล้ว เข็มมิเตอร์จะแกว่งไปทางซ้าย ความต้านทาน RDS ที่ระบุคือ 12kΩ ถ้าเข็มมิเตอร์แกว่งใหญ่ขึ้น แสดงว่าท่อยังดีอยู่ และมีความสามารถในการขยายสัญญาณที่มากขึ้น

 

มีจุดที่ควรทราบเมื่อใช้วิธีนี้: ขั้นแรก เมื่อทดสอบ MOSFET และจับเกตด้วยมือ เข็มมัลติมิเตอร์อาจแกว่งไปทางขวา (ค่าความต้านทานลดลง) หรือไปทางซ้าย (ค่าความต้านทานเพิ่มขึ้น) . เนื่องจากแรงดันไฟฟ้ากระแสสลับที่เกิดจากร่างกายมนุษย์ค่อนข้างสูง และ MOSFET ที่แตกต่างกันอาจมีจุดทำงานที่แตกต่างกันเมื่อวัดด้วยช่วงความต้านทาน (ไม่ว่าจะทำงานในโซนอิ่มตัวหรือโซนไม่อิ่มตัว) การทดสอบพบว่า RDS ของหลอดส่วนใหญ่เพิ่มขึ้น นั่นคือเข็มนาฬิกาหมุนไปทางซ้าย RDS ของท่อบางท่อลดลง ทำให้เข็มนาฬิกาแกว่งไปทางขวา

แต่ไม่ว่าเข็มนาฬิกาจะหมุนไปในทิศทางใดก็ตาม ตราบใดที่เข็มนาฬิกาแกว่งให้ใหญ่ขึ้น นั่นหมายความว่าท่อมีความสามารถในการขยายสัญญาณที่มากขึ้น ประการที่สอง วิธีนี้ใช้ได้กับ MOSFET ด้วย แต่ควรสังเกตว่าความต้านทานอินพุตของ MOSFET นั้นสูงและแรงดันไฟฟ้าเหนี่ยวนำที่อนุญาตของเกต G ไม่ควรสูงเกินไป ดังนั้นอย่าบีบเกตด้วยมือโดยตรง คุณต้องใช้ที่จับหุ้มฉนวนของไขควงเพื่อแตะประตูด้วยแท่งโลหะ เพื่อป้องกันไม่ให้ประจุที่เกิดจากร่างกายมนุษย์ถูกเพิ่มเข้าไปในประตูโดยตรง ส่งผลให้ประตูพัง ประการที่สาม หลังจากการวัดแต่ละครั้ง ขั้ว GS ควรลัดวงจร เนื่องจากจะมีประจุเล็กน้อยบนตัวเก็บประจุจุดเชื่อมต่อ GS ซึ่งสร้างแรงดันไฟฟ้า VGS ส่งผลให้มือของมิเตอร์อาจไม่ขยับเมื่อทำการวัดอีกครั้ง วิธีเดียวที่จะคายประจุได้คือการลัดวงจรประจุระหว่างอิเล็กโทรด GS

4) ใช้วิธีการวัดความต้านทานเพื่อระบุ MOSFET ที่ไม่มีเครื่องหมาย

ขั้นแรก ใช้วิธีการวัดความต้านทานเพื่อค้นหาพินสองตัวที่มีค่าความต้านทาน คือ แหล่งกำเนิด S และเดรน D ส่วนอีกสองพินที่เหลือคือเกตแรก G1 และเกตที่สอง G2 เขียนค่าความต้านทานระหว่างแหล่งกำเนิด S และท่อระบายน้ำ D ที่วัดด้วยสายวัดทดสอบสองตัวก่อน สลับสายทดสอบและวัดอีกครั้ง เขียนค่าความต้านทานที่วัดได้ ค่าความต้านทานที่วัดได้มากกว่าสองครั้งคือสายวัดทดสอบสีดำ อิเล็กโทรดที่เชื่อมต่อคือท่อระบายน้ำ D; สายวัดทดสอบสีแดงเชื่อมต่อกับแหล่งกำเนิด S ขั้ว S และ D ที่ระบุโดยวิธีนี้สามารถตรวจสอบได้ด้วยการประมาณความสามารถในการขยายของหลอด นั่นคือ สายวัดทดสอบสีดำที่มีความสามารถในการขยายสัญญาณขนาดใหญ่เชื่อมต่อกับขั้ว D; สายวัดทดสอบสีแดงเชื่อมต่อกับกราวด์กับขั้ว 8 ผลการทดสอบของทั้งสองวิธีควรเหมือนกัน หลังจากกำหนดตำแหน่งของท่อระบายน้ำ D และแหล่ง S แล้ว ให้ติดตั้งวงจรตามตำแหน่งที่สอดคล้องกันของ D และ S โดยทั่วไป G1 และ G2 จะถูกจัดเรียงตามลำดับเช่นกัน นี่เป็นการกำหนดตำแหน่งของประตูทั้งสอง G1 และ G2 นี่เป็นการกำหนดลำดับของพิน D, S, G1 และ G2

5) ใช้การเปลี่ยนแปลงค่าความต้านทานย้อนกลับเพื่อกำหนดขนาดของทรานส์คอนดักเตอร์

เมื่อวัดประสิทธิภาพการแปลงสื่อของ MOSFET เสริมช่อง VMOSN คุณสามารถใช้สายทดสอบสีแดงเพื่อเชื่อมต่อแหล่ง S และสายทดสอบสีดำเข้ากับเดรน D ซึ่งเทียบเท่ากับการเพิ่มแรงดันย้อนกลับระหว่างแหล่งกำเนิดและเดรน ในเวลานี้ ประตูเป็นวงจรเปิด และค่าความต้านทานย้อนกลับของท่อไม่เสถียรมาก เลือกช่วงโอห์มของมัลติมิเตอร์ให้เป็นช่วงความต้านทานสูงที่ R×10kΩ ขณะนี้แรงดันไฟฟ้าในมิเตอร์สูงขึ้น เมื่อคุณสัมผัสตาราง G ด้วยมือ คุณจะพบว่าค่าความต้านทานย้อนกลับของท่อมีการเปลี่ยนแปลงอย่างมาก ยิ่งมีการเปลี่ยนแปลงมาก ค่าทรานส์คอนดักเตอร์ของท่อก็จะยิ่งสูงขึ้น ถ้าค่าทรานส์คอนดักเตอร์ของท่อที่ทดสอบมีขนาดเล็กมาก ให้ใช้วิธีนี้ในการวัด เมื่อ ความต้านทานย้อนกลับเปลี่ยนแปลงเพียงเล็กน้อย

 

ข้อควรระวังในการใช้ MOSFET

1) เพื่อให้ใช้ MOSFET อย่างปลอดภัย ค่าขีดจำกัดของพารามิเตอร์ต่างๆ เช่น กำลังกระจายของท่อ แรงดันไฟเดรน-ซอร์สสูงสุด แรงดันเกต-ซอร์สสูงสุด และกระแสสูงสุดจะต้องไม่เกินในการออกแบบวงจร

2) เมื่อใช้ MOSFET ประเภทต่างๆ จะต้องเชื่อมต่อกับวงจรอย่างเคร่งครัดตามไบแอสที่ต้องการ และต้องสังเกตขั้วของไบแอส MOSFET ตัวอย่างเช่น มีจุดเชื่อมต่อ PN ระหว่างแหล่งกำเนิดเกตและเดรนของ MOSFET ที่แยก และเกตของท่อ N-channel ไม่สามารถเอนเอียงเชิงบวกได้ ประตูของท่อ P-channel ไม่สามารถมีอคติเชิงลบได้ ฯลฯ

3) เนื่องจากอิมพีแดนซ์อินพุตของ MOSFET สูงมาก พินจึงต้องลัดวงจรระหว่างการขนส่งและการเก็บรักษา และต้องบรรจุด้วยเกราะโลหะเพื่อป้องกันศักยภาพเหนี่ยวนำภายนอกจากการพังทลายของเกต โดยเฉพาะอย่างยิ่ง โปรดทราบว่า MOSFET ไม่สามารถวางในกล่องพลาสติกได้ ทางที่ดีควรเก็บไว้ในกล่องโลหะ ในเวลาเดียวกันควรคำนึงถึงการรักษาความชื้นของหลอดด้วย

4) เพื่อป้องกันการพังทลายของอุปนัยเกท MOSFET เครื่องมือทดสอบ โต๊ะทำงาน หัวแร้งบัดกรี และตัววงจรทั้งหมดจะต้องมีการต่อสายดินอย่างดี เมื่อบัดกรีหมุดให้บัดกรีแหล่งกำเนิดก่อน ก่อนที่จะเชื่อมต่อกับวงจร หลอด ปลายตะกั่วทั้งหมดควรลัดวงจรซึ่งกันและกัน และควรถอดวัสดุลัดวงจรออกหลังจากการเชื่อมเสร็จสิ้น เมื่อถอดท่อออกจากชั้นวางส่วนประกอบ ควรใช้วิธีการที่เหมาะสมเพื่อให้แน่ใจว่าร่างกายมนุษย์ต่อสายดิน เช่น การใช้วงแหวนต่อสายดิน แน่นอนถ้าขั้นสูง หัวแร้งที่ใช้ความร้อนด้วยแก๊สจะสะดวกกว่าในการเชื่อม MOSFET และมั่นใจในความปลอดภัย ต้องไม่เสียบหรือดึงท่อออกจากวงจรก่อนปิดเครื่อง ต้องคำนึงถึงมาตรการด้านความปลอดภัยข้างต้นเมื่อใช้ MOSFET

5) เมื่อติดตั้ง MOSFET ให้ใส่ใจกับตำแหน่งการติดตั้งและพยายามหลีกเลี่ยงการอยู่ใกล้กับองค์ประกอบความร้อน เพื่อป้องกันการสั่นสะเทือนของอุปกรณ์ท่อจำเป็นต้องขันเปลือกท่อให้แน่น เมื่อนำพินลีดงอควรมีขนาดใหญ่กว่าขนาดรูต 5 มม. เพื่อหลีกเลี่ยงไม่ให้พินงอและทำให้อากาศรั่ว

สำหรับ MOSFET กำลัง จำเป็นต้องมีสภาวะการกระจายความร้อนที่ดี เนื่องจาก MOSFET กำลังถูกใช้ภายใต้สภาวะโหลดสูง จึงต้องออกแบบตัวระบายความร้อนที่เพียงพอเพื่อให้แน่ใจว่าอุณหภูมิของเคสจะไม่เกินค่าที่กำหนด เพื่อให้อุปกรณ์สามารถทำงานได้อย่างเสถียรและเชื่อถือได้เป็นเวลานาน

กล่าวโดยสรุป เพื่อให้มั่นใจถึงการใช้ MOSFET อย่างปลอดภัย มีหลายสิ่งที่ต้องใส่ใจ และยังมีมาตรการด้านความปลอดภัยต่างๆ ที่ต้องดำเนินการอีกด้วย บุคลากรมืออาชีพและด้านเทคนิคส่วนใหญ่ โดยเฉพาะอย่างยิ่งผู้ที่ชื่นชอบอุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์ส่วนใหญ่ จะต้องดำเนินการตามสถานการณ์จริงของพวกเขา และใช้แนวทางปฏิบัติในการใช้ MOSFET อย่างปลอดภัยและมีประสิทธิภาพ