ความแตกต่างระหว่าง N-channel MOSFET และ P-channel MOSFET! ช่วยให้คุณเลือกผู้ผลิต MOSFET ได้ดีขึ้น!

ความแตกต่างระหว่าง N-channel MOSFET และ P-channel MOSFET! ช่วยให้คุณเลือกผู้ผลิต MOSFET ได้ดีขึ้น!

เวลาโพสต์: Dec-17-2023

นักออกแบบวงจรต้องพิจารณาคำถามเมื่อเลือก MOSFET: ควรเลือก P-channel MOSFET หรือ N-channel MOSFET หรือไม่ ในฐานะผู้ผลิต คุณต้องต้องการให้ผลิตภัณฑ์ของคุณแข่งขันกับผู้ขายรายอื่นๆ ในราคาที่ต่ำกว่า และคุณยังต้องทำการเปรียบเทียบซ้ำๆ ด้วย แล้วจะเลือกยังไงล่ะ? OLUKEY ผู้ผลิต MOSFET ที่มีประสบการณ์ 20 ปี อยากแบ่งปันกับคุณ

แพ็คเกจ WINSOK TO-220 MOSFET

ความแตกต่าง 1: ลักษณะการนำ

คุณลักษณะของ MOS แบบ N-channel คือจะเปิดขึ้นเมื่อ Vgs มากกว่าค่าที่กำหนด เหมาะสำหรับใช้เมื่อแหล่งกำเนิดมีการต่อสายดิน (ไดรฟ์ระดับล่าง) ตราบใดที่แรงดันเกตถึง 4V หรือ 10V สำหรับคุณลักษณะของ P-channel MOS นั้นจะเปิดขึ้นเมื่อ Vgs น้อยกว่าค่าที่กำหนด ซึ่งเหมาะสำหรับสถานการณ์ที่แหล่งสัญญาณเชื่อมต่อกับ VCC (ไดรฟ์ระดับไฮเอนด์)

ความแตกต่าง 2:มอสเฟตการสูญเสียการสลับ

ไม่ว่าจะเป็น MOS แบบ N-channel หรือ MOS แบบ P-channel จะมีความต้านทานแบบออนหลังจากเปิดเครื่อง ดังนั้นกระแสจะใช้พลังงานบนความต้านทานนี้ พลังงานที่ใช้ไปส่วนนี้เรียกว่าการสูญเสียการนำไฟฟ้า การเลือก MOSFET ที่มีความต้านทานออนเพียงเล็กน้อยจะช่วยลดการสูญเสียการนำไฟฟ้า และความต้านทานออนของ MOSFET พลังงานต่ำในปัจจุบันโดยทั่วไปจะอยู่ที่ประมาณสิบมิลลิโอห์ม และมีหลายมิลลิโอห์มด้วย นอกจากนี้เมื่อเปิดปิด MOS จะต้องไม่เสร็จในทันที มีกระบวนการลดลงและกระแสไหลก็มีกระบวนการเพิ่มขึ้นเช่นกัน

ในช่วงเวลานี้ การสูญเสียของ MOSFET เป็นผลคูณของแรงดันและกระแส เรียกว่าการสูญเสียการสวิตชิ่ง โดยปกติการสูญเสียจากการสวิตชิ่งจะมีขนาดใหญ่กว่าการสูญเสียการนำไฟฟ้ามาก และยิ่งความถี่ของการสวิตชิ่งสูง การสูญเสียก็จะยิ่งมากขึ้นตามไปด้วย ผลคูณของแรงดันและกระแส ณ ขณะการนำไฟฟ้ามีขนาดใหญ่มากและการสูญเสียที่เกิดขึ้นก็มีมากเช่นกัน ดังนั้นการลดเวลาในการเปลี่ยนให้สั้นลงจะช่วยลดการสูญเสียระหว่างการนำแต่ละครั้ง การลดความถี่ในการสลับสามารถลดจำนวนสวิตช์ต่อหน่วยเวลาได้

แพ็คเกจ WINSOK SOP-8 MOSFET

ข้อแตกต่างที่สาม: การใช้ MOSFET

การเคลื่อนตัวของรูของ P-channel MOSFET ต่ำ ดังนั้นเมื่อขนาดทางเรขาคณิตของ MOSFET และค่าสัมบูรณ์ของแรงดันไฟฟ้าในการทำงานเท่ากัน ทรานส์คอนดักเตอร์ของ P-channel MOSFET จะเล็กกว่าของ N-channel MOSFET นอกจากนี้ ค่าสัมบูรณ์ของแรงดันไฟฟ้าเกณฑ์ของ P-channel MOSFET นั้นค่อนข้างสูง ซึ่งต้องใช้แรงดันไฟฟ้าในการทำงานที่สูงขึ้น P-channel MOS มีการแกว่งลอจิกขนาดใหญ่ กระบวนการชาร์จและการคายประจุที่ยาวนาน และการทรานส์คอนดักเตอร์ของอุปกรณ์ขนาดเล็ก ดังนั้นความเร็วในการทำงานจึงต่ำลง หลังจากการเกิดขึ้นของ N-channel MOSFET ส่วนใหญ่ถูกแทนที่ด้วย N-channel MOSFET อย่างไรก็ตาม เนื่องจาก MOSFET แบบ P-channel มีกระบวนการที่เรียบง่ายและมีราคาถูก วงจรควบคุมดิจิทัลขนาดกลางและขนาดเล็กบางวงจรยังคงใช้เทคโนโลยีวงจร PMOS

เอาล่ะ นั่นคือทั้งหมดสำหรับการแบ่งปันในวันนี้จาก OLUKEY ผู้ผลิตบรรจุภัณฑ์ MOSFET สำหรับข้อมูลเพิ่มเติม คุณสามารถหาเราได้ที่โอลูกี้เว็บไซต์อย่างเป็นทางการ OLUKEY ให้ความสำคัญกับ MOSFET มาเป็นเวลา 20 ปี และมีสำนักงานใหญ่ในเซินเจิ้น มณฑลกวางตุ้ง ประเทศจีน ดำเนินธุรกิจหลักในทรานซิสเตอร์เอฟเฟกต์สนามกระแสสูง, MOSFET กำลังสูง, MOSFET แพ็คเกจขนาดใหญ่, MOSFET แรงดันไฟฟ้าขนาดเล็ก, MOSFET แพ็คเกจขนาดเล็ก, MOSFET กระแสไฟขนาดเล็ก, หลอดเอฟเฟกต์สนาม MOS, MOSFET แบบแพ็คเกจ, MOS พลังงาน, แพ็คเกจ MOSFET, MOSFET ดั้งเดิม, MOSFET แบบแพ็คเกจ ฯลฯ สินค้าตัวแทนหลักคือ WINSOK


ที่เกี่ยวข้องเนื้อหา

[javascript][/javascript]