แอปพลิเคชันการผลิตวงจร MOSFET Holding ปัจจุบันขนาดเล็ก

วงจรยึด MOSFET ซึ่งประกอบด้วยตัวต้านทาน R1-R6, ตัวเก็บประจุด้วยไฟฟ้า C1-C3, ตัวเก็บประจุ C4, PNP ไตรโอด VD1, ไดโอด D1-D2, รีเลย์ระดับกลาง K1, ตัวเปรียบเทียบแรงดันไฟฟ้า, ชิปรวมฐานเวลาคู่ NE556 และ MOSFET Q1 โดยมีพินหมายเลข 6 ของชิปรวมฐานเวลาคู่ NE556 ทำหน้าที่เป็นอินพุตสัญญาณ และปลายด้านหนึ่งของตัวต้านทาน R1 ต่อเข้ากับพินพร้อมๆ กัน 6 ของชิปรวมฐานสองเวลา NE556 ใช้เป็นอินพุตสัญญาณ ปลายด้านหนึ่งของตัวต้านทาน R1 เชื่อมต่อกับขา 14 ของชิปรวมฐานสองเวลา NE556 ปลายด้านหนึ่งของตัวต้านทาน R2 ปลายด้านหนึ่งของตัวต้านทาน R4, ตัวส่งของทรานซิสเตอร์ PNP VD1, ท่อระบายของ MOSFET Q1, และแหล่งจ่ายไฟ DC และปลายอีกด้านหนึ่งของตัวต้านทาน R1 เชื่อมต่อกับพิน 1 ของชิปรวมฐานสองเวลา NE556, พิน 2 ของชิปรวมฐานสองเวลา NE556, ความจุไฟฟ้าบวกของตัวเก็บประจุ C1 และรีเลย์ระดับกลาง K1 ปกติปิดหน้าสัมผัส K1-1, ปลายอีกด้านของรีเลย์ระดับกลาง K1 ปกติปิดหน้าสัมผัส K1-1, ขั้วลบของตัวเก็บประจุด้วยไฟฟ้า C1 และปลายด้านหนึ่งของตัวเก็บประจุ C3 เชื่อมต่อกับพื้นจ่ายไฟ, ปลายอีกด้านหนึ่งของตัวเก็บประจุ C3 เชื่อมต่อกับพิน 3 ของชิปรวมฐานเวลาคู่ NE556, พิน 4 ของชิปรวมฐานเวลาคู่ NE556 เชื่อมต่อกับขั้วบวกของตัวเก็บประจุด้วยไฟฟ้า C2 และปลายอีกด้านหนึ่งของตัวต้านทาน R2 ที่ ในเวลาเดียวกันและขั้วลบของตัวเก็บประจุด้วยไฟฟ้า C2 เชื่อมต่อกับกราวด์ของแหล่งจ่ายไฟและขั้วลบของตัวเก็บประจุด้วยไฟฟ้า C2 เชื่อมต่อกับกราวด์ของแหล่งจ่ายไฟ ขั้วลบของ C2 เชื่อมต่อกับกราวด์ของแหล่งจ่ายไฟ พิน 5 ของชิปรวมฐานสองเวลา NE556 เชื่อมต่อกับปลายด้านหนึ่งของตัวต้านทาน R3 ส่วนปลายอีกด้านหนึ่งของตัวต้านทาน R3 เชื่อมต่อกับอินพุตเฟสบวกของตัวเปรียบเทียบแรงดันไฟฟ้า , อินพุตเฟสลบของเครื่องเปรียบเทียบแรงดันไฟฟ้าเชื่อมต่อกับขั้วบวกของไดโอด D1 และปลายอีกด้านหนึ่งของตัวต้านทาน R4 ในเวลาเดียวกัน ขั้วลบของไดโอด D1 เชื่อมต่อกับกราวด์ของแหล่งจ่ายไฟ และเอาต์พุตของ แรงดันไฟฟ้า ตัวเปรียบเทียบเชื่อมต่อกับปลายตัวต้านทาน R5 ส่วนปลายอีกด้านของตัวต้านทาน R5 เชื่อมต่อกับ PNP triplex เอาต์พุตของเครื่องเปรียบเทียบแรงดันไฟฟ้าเชื่อมต่อกับปลายด้านหนึ่งของตัวต้านทาน R5 ส่วนปลายอีกด้านหนึ่งของตัวต้านทาน R5 เชื่อมต่อกับฐานของทรานซิสเตอร์ PNP VD1 ตัวสะสมของทรานซิสเตอร์ PNP VD1 เชื่อมต่อกับขั้วบวกของไดโอด D2 ขั้วลบของไดโอด D2 เชื่อมต่อกับปลายตัวต้านทาน R6 ปลายตัวเก็บประจุ C4 และเกตของ MOSFET ในเวลาเดียวกัน ปลายอีกด้านของตัวต้านทาน R6 ปลายอีกด้านของ ตัวเก็บประจุ C4 และปลายอีกด้านของรีเลย์กลาง K1 ทั้งหมดเชื่อมต่อกับแหล่งจ่ายไฟและปลายอีกด้านของรีเลย์กลาง K1 เชื่อมต่อกับแหล่งที่มาของแหล่งที่มาของมอสเฟต.

วงจรการเก็บรักษา MOSFET เมื่อ A ให้สัญญาณทริกเกอร์ต่ำ ในเวลานี้ชุดชิปรวมฐานเวลาคู่ NE556 ชุดชิปรวมฐานเวลาคู่ NE556 พิน 5 เอาต์พุตระดับสูง ระดับสูงเป็นอินพุตเฟสบวกของตัวเปรียบเทียบแรงดันไฟฟ้า ลบ เฟสอินพุตของเครื่องเปรียบเทียบแรงดันไฟฟ้าโดยตัวต้านทาน R4 และไดโอด D1 เพื่อให้เป็นแรงดันอ้างอิง ในเวลานี้ เครื่องเปรียบเทียบแรงดันไฟฟ้าจะส่งออกระดับสูง ระดับสูงเพื่อให้ Triode VD1 ดำเนินการ กระแสไฟฟ้า ไหลจากตัวสะสมของ triode VD1 ชาร์จตัวเก็บประจุ C4 ผ่านไดโอด D2 และในเวลาเดียวกัน MOSFET Q1 จะดำเนินการในเวลานี้ขดลวดของรีเลย์กลาง K1 จะถูกดูดซับและรีเลย์กลาง K1 ปกติปิดหน้าสัมผัส K 1-1 ถูกตัดการเชื่อมต่อและหลังจากที่รีเลย์กลาง K1 ปกติปิดหน้าสัมผัส K 1-1 ถูกตัดการเชื่อมต่อแหล่งจ่ายไฟ DC ไปที่ 1 และ 2 ฟุตของชิปรวมฐานสองเวลา NE556 ให้แรงดันไฟฟ้าเป็น เก็บไว้จนกว่าแรงดันไฟฟ้าบนพิน 1 และพิน 2 ของชิปรวมฐานสองเวลา NE556 จะถูกชาร์จเป็น 2/3 ของแรงดันไฟฟ้า ชิปรวมฐานสองเวลา NE556 จะถูกรีเซ็ตโดยอัตโนมัติ และพิน 5 ของสองเวลา ชิปรวมฐาน NE556 จะถูกเรียกคืนโดยอัตโนมัติไปที่ระดับต่ำ และวงจรที่ตามมาไม่ทำงาน ในขณะที่ในเวลานี้ ตัวเก็บประจุ C4 ถูกปล่อยออกเพื่อรักษาการนำ MOSFET Q1 จนกระทั่งสิ้นสุดความจุ การคายประจุ C4 และรีเลย์กลาง K1 คอยล์ปล่อย รีเลย์กลาง K1 ปกติปิดหน้าสัมผัส K 11 ปิด ในเวลานี้ผ่านรีเลย์กลางปิด K1 ปกติปิดหน้าสัมผัส K 1-1 จะเป็นชิปรวมฐานเวลาคู่ NE556 1 ฟุตและ 2 ฟุต การปล่อยแรงดันไฟฟ้าออกในครั้งต่อไปกับชิปรวมฐานเวลาคู่ NE556 พิน 6 เพื่อให้สัญญาณทริกเกอร์ต่ำเพื่อให้ชิปรวมฐานเวลาคู่ NE556 ตั้งค่าเพื่อเตรียมพร้อม

โครงสร้างวงจรของแอปพลิเคชั่นนี้เรียบง่ายและแปลกใหม่ เมื่อชิปรวมฐานเวลาคู่ NE556 พิน 1 และพิน 2 ชาร์จถึง 2/3 ของแรงดันไฟฟ้า ชิปรวมฐานเวลาคู่ NE556 สามารถรีเซ็ตได้โดยอัตโนมัติ ชิปรวมฐานเวลาคู่ NE556 pin 5 จะกลับสู่ระดับต่ำโดยอัตโนมัติ เพื่อให้วงจรที่ตามมาไม่ทำงาน เพื่อหยุดการชาร์จตัวเก็บประจุ C4 โดยอัตโนมัติ และหลังจากหยุดการชาร์จตัวเก็บประจุ C4 ที่ดูแลโดย MOSFET Q1 เป็นสื่อกระแสไฟฟ้า แอปพลิเคชันนี้สามารถเก็บไว้ได้อย่างต่อเนื่องมอสเฟตQ1 นำไฟฟ้าเป็นเวลา 3 วินาที

ประกอบด้วยตัวต้านทาน R1-R6, ตัวเก็บประจุด้วยไฟฟ้า C1-C3, ตัวเก็บประจุ C4, ทรานซิสเตอร์ PNP VD1, ไดโอด D1-D2, รีเลย์กลาง K1, ตัวเปรียบเทียบแรงดันไฟฟ้า, ชิปรวมฐานเวลาคู่ NE556 และ MOSFET Q1, พิน 6 ของฐานเวลาคู่รวมอยู่ด้วย ชิป NE556 ใช้เป็นอินพุตสัญญาณและปลายด้านหนึ่งของตัวต้านทาน R1 เชื่อมต่อกับพิน 14 ของชิปรวมฐานเวลาคู่ NE556 ตัวต้านทาน R2, พิน 14 ของชิปรวมฐานเวลาคู่ NE556 และพิน 14 ของชิปรวมฐานเวลาคู่ NE556 และตัวต้านทาน R2 เชื่อมต่อกับพิน 14 ของชิปรวมฐานเวลาคู่ NE556 พิน 14 ของชิปรวมฐานสองเวลา NE556, ปลายด้านหนึ่งของตัวต้านทาน R2, ปลายด้านหนึ่งของตัวต้านทาน R4, ทรานซิสเตอร์ PNP

มีหลักการทำงานแบบไหน?

เมื่อ A ให้สัญญาณทริกเกอร์ต่ำ จากนั้นชุดชิปรวมฐานสองเวลา NE556 ชุดชิปรวมฐานสองเวลา NE556 ขา 5 เอาต์พุตระดับสูงระดับสูงในอินพุตเฟสบวกของตัวเปรียบเทียบแรงดันไฟฟ้า อินพุตเฟสลบของ ตัวเปรียบเทียบแรงดันไฟฟ้าโดยตัวต้านทาน R4 และไดโอด D1 เพื่อให้แรงดันอ้างอิง คราวนี้ตัวเปรียบเทียบแรงดันไฟฟ้าเอาต์พุตระดับสูง ระดับสูงของการนำทรานซิสเตอร์ VD1 กระแสจะไหลจากตัวสะสมของทรานซิสเตอร์ VD1 ผ่านไดโอด D2 ไปยังตัวเก็บประจุ C4 ที่ชาร์จ ในเวลานี้ รีเลย์กลาง K1 คอยล์ดูด รีเลย์กลาง K1 คอยล์ดูด กระแสที่ไหลจากตัวสะสมของทรานซิสเตอร์ VD1 จะถูกชาร์จไปยังตัวเก็บประจุ C4 ผ่านไดโอด D2 และในเวลาเดียวกันมอสเฟตQ1 ดำเนินการในเวลานี้ คอยล์ของรีเลย์กลาง K1 ถูกดูด และรีเลย์กลาง K1 หน้าสัมผัสปิดตามปกติ K 1-1 ถูกตัดการเชื่อมต่อ และหลังจากที่รีเลย์กลาง K1 หน้าสัมผัสปิดปกติ K 1-1 ถูกตัดการเชื่อมต่อ กำลังไฟ แรงดันไฟฟ้าที่จ่ายโดยแหล่งจ่ายไฟ DC ไปยัง 1 และ 2 ฟุตของชิปรวมฐานเวลาคู่ NE556 จะถูกเก็บไว้จนกระทั่งเมื่อแรงดันไฟฟ้าบนพิน 1 และพิน 2 ของชิปรวมฐานเวลาคู่ NE556 ถูกชาร์จเป็น 2/3 ของแรงดันไฟฟ้า ชิปรวมฐานสองเวลา NE556 จะถูกรีเซ็ตโดยอัตโนมัติ และพิน 5 ของชิปรวมฐานสองเวลา NE556 จะถูกคืนค่าโดยอัตโนมัติไปที่ระดับต่ำ และวงจรที่ตามมาไม่ ทำงานและในเวลานี้ตัวเก็บประจุ C4 ถูกปล่อยออกมาเพื่อรักษาการนำ MOSFET Q1 จนกระทั่งสิ้นสุดการคายประจุของตัวเก็บประจุ C4 และคอยล์ของรีเลย์กลาง K1 จะถูกปล่อยออกมาและรีเลย์ระดับกลาง K1 ปกติปิดหน้าสัมผัส K 1-1 ถูกตัดการเชื่อมต่อ รีเลย์ K1 ปกติปิดหน้าสัมผัส K 1-1 ปิดคราวนี้ผ่านรีเลย์กลางปิด K1 ปกติปิดหน้าสัมผัส K 1-1 จะเป็นชิปรวมฐานสองเวลา NE556 1 ฟุตและ 2 ฟุตในการปล่อยแรงดันไฟฟ้าในครั้งต่อไป ชิปรวมฐานสองเวลา NE556 พิน 6 เพื่อให้สัญญาณทริกเกอร์เพื่อตั้งค่าต่ำ เพื่อเตรียมการสำหรับชุดชิปรวมฐานสองเวลา NE556