Olukey อธิบายพารามิเตอร์ของ MOSFET ให้คุณฟัง!

เนื่องจากเป็นหนึ่งในอุปกรณ์พื้นฐานที่สุดในสาขาเซมิคอนดักเตอร์ MOSFET จึงถูกนำมาใช้กันอย่างแพร่หลายทั้งในการออกแบบ IC และการใช้งานวงจรระดับบอร์ด คุณรู้เกี่ยวกับพารามิเตอร์ต่างๆ ของ MOSFET มากแค่ไหน? ในฐานะผู้เชี่ยวชาญด้าน MOSFET แรงดันปานกลางและแรงดันต่ำโอลูกี้จะอธิบายให้คุณทราบรายละเอียดเกี่ยวกับพารามิเตอร์ต่างๆ ของ MOSFET!

แหล่งจ่ายเดรนสูงสุด VDSS ทนทานต่อแรงดันไฟฟ้า

แรงดันไฟฟ้าของแหล่งจ่ายเดรนเมื่อกระแสเดรนที่ไหลถึงค่าเฉพาะ (เพิ่มขึ้นอย่างรวดเร็ว) ภายใต้อุณหภูมิที่กำหนดและการลัดวงจรของแหล่งเกต แรงดันไฟฟ้าจากแหล่งระบายในกรณีนี้เรียกอีกอย่างว่าแรงดันพังทลายของหิมะถล่ม VDSS มีค่าสัมประสิทธิ์อุณหภูมิเป็นบวก ที่อุณหภูมิ -50°C VDSS จะอยู่ที่ประมาณ 90% ของอุณหภูมิ 25°C เนื่องจากค่าเผื่อมักจะเหลืออยู่ในการผลิตปกติ แรงดันพังทลายของหิมะถล่มมอสเฟตมีค่ามากกว่าแรงดันไฟฟ้าที่กำหนดเสมอ

คำเตือนที่อบอุ่นของ Olukey: เพื่อให้มั่นใจในความน่าเชื่อถือของผลิตภัณฑ์ ภายใต้สภาพการทำงานที่เลวร้ายที่สุด ขอแนะนำว่าแรงดันไฟฟ้าที่ใช้งานไม่ควรเกิน 80~90% ของค่าพิกัด

แหล่งกำเนิดเกตสูงสุด VGSS ทนต่อแรงดันไฟฟ้า

มันอ้างถึงค่า VGS เมื่อกระแสย้อนกลับระหว่างเกตและแหล่งกำเนิดเริ่มเพิ่มขึ้นอย่างรวดเร็ว เกินค่าแรงดันไฟฟ้านี้จะทำให้เกิดการสลายอิเล็กทริกของชั้นเกตออกไซด์ซึ่งเป็นการสลายแบบทำลายล้างและไม่สามารถย้อนกลับได้