MOSFET มีประโยชน์อย่างไร?

MOSFETมีการใช้กันอย่างแพร่หลาย ขณะนี้มีการใช้วงจรรวมขนาดใหญ่บางวงจร MOSFET ซึ่งเป็นฟังก์ชันพื้นฐานและทรานซิสเตอร์ BJT คือการสลับและขยายสัญญาณ โดยทั่วไปแล้ว BJT ไตรโอดสามารถใช้ในที่ที่สามารถใช้ได้ และในบางสถานที่ประสิทธิภาพจะดีกว่าไตรโอด

 

การขยาย MOSFET

MOSFET และ BJT ไตรโอดแม้ว่าอุปกรณ์แอมพลิฟายเออร์เซมิคอนดักเตอร์ทั้งสอง แต่มีข้อดีมากกว่าไตรโอดเช่นความต้านทานอินพุตสูงแหล่งสัญญาณแทบไม่มีกระแสซึ่งเอื้อต่อเสถียรภาพของสัญญาณอินพุต เป็นอุปกรณ์ที่เหมาะสมที่สุดในฐานะแอมพลิฟายเออร์เวทีอินพุต และยังมีข้อดีคือ มีเสียงรบกวนต่ำและมีเสถียรภาพด้านอุณหภูมิที่ดี มักใช้เป็นปรีแอมป์สำหรับวงจรขยายเสียง อย่างไรก็ตาม เนื่องจากเป็นอุปกรณ์ควบคุมแรงดันไฟฟ้า กระแสเดรนจึงถูกควบคุมโดยแรงดันไฟฟ้าระหว่างแหล่งกำเนิดเกต ค่าสัมประสิทธิ์การขยายของทรานส์คอนดักแทนซ์ความถี่ต่ำโดยทั่วไปจึงไม่มาก ดังนั้นความสามารถในการขยายสัญญาณจึงไม่ดี

 

ผลการสลับของ MOSFET

MOSFET ใช้เป็นสวิตช์อิเล็กทรอนิกส์ เนื่องจากต้องอาศัยการนำไฟฟ้าแบบโพลีออนเท่านั้น จึงไม่มีไตรโอด BJT เนื่องจากกระแสเบสและเอฟเฟกต์การเก็บประจุ ดังนั้นความเร็วในการสลับของ MOSFET จึงเร็วกว่าไตรโอดในฐานะท่อสวิตชิ่ง มักใช้สำหรับโอกาสกระแสสูงความถี่สูง เช่น การสลับแหล่งจ่ายไฟที่ใช้ใน MOSFET ในสถานะกระแสสูงความถี่สูงของงาน เมื่อเปรียบเทียบกับสวิตช์ไตรโอด BJT สวิตช์ MOSFET สามารถทำงานได้ที่แรงดันไฟฟ้าและกระแสไฟน้อยกว่า และรวมเข้ากับเวเฟอร์ซิลิคอนได้ง่ายกว่า ดังนั้นจึงใช้กันอย่างแพร่หลายในวงจรรวมขนาดใหญ่

มีข้อควรระวังในการใช้งานอย่างไร?MOSFET?

MOSFET นั้นบอบบางกว่าไทรโอดและอาจเสียหายได้ง่ายจากการใช้งานที่ไม่เหมาะสม ดังนั้นควรระมัดระวังเป็นพิเศษเมื่อใช้งาน

(1) จำเป็นต้องเลือกประเภท MOSFET ที่เหมาะสมสำหรับโอกาสการใช้งานที่แตกต่างกัน

(2) MOSFET โดยเฉพาะ MOSFET เกตที่มีฉนวน มีอิมพีแดนซ์อินพุตสูง และควรลัดวงจรให้กับอิเล็กโทรดแต่ละตัวเมื่อไม่ได้ใช้งาน เพื่อหลีกเลี่ยงความเสียหายต่อท่อเนื่องจากประจุตัวเหนี่ยวนำเกต

(3) แรงดันแหล่งเกตของ MOSFET ทางแยกไม่สามารถย้อนกลับได้ แต่สามารถบันทึกในสถานะวงจรเปิดได้

(4) เพื่อรักษาความต้านทานอินพุตสูงของ MOSFET ควรป้องกันท่อจากความชื้นและเก็บไว้ในที่แห้งในสภาพแวดล้อมการใช้งาน

(5) วัตถุที่มีประจุ (เช่น หัวแร้ง เครื่องมือทดสอบ ฯลฯ) ที่สัมผัสกับ MOSFET จะต้องต่อสายดินเพื่อหลีกเลี่ยงความเสียหายต่อท่อ โดยเฉพาะอย่างยิ่งเมื่อเชื่อมประตูหุ้มฉนวน MOSFET ตามลำดับการเชื่อมของแหล่งกำเนิด - ประตู วิธีที่ดีที่สุดคือเชื่อมหลังจากปิดเครื่อง กำลังของหัวแร้งถึง 15 ~ 30W มีความเหมาะสม เวลาในการเชื่อมไม่ควรเกิน 10 วินาที

(6) MOSFET ประตูหุ้มฉนวนไม่สามารถทดสอบด้วยมัลติมิเตอร์ได้ สามารถทดสอบได้เฉพาะกับเครื่องทดสอบ และหลังจากเข้าถึงเครื่องทดสอบแล้วเท่านั้นที่จะถอดสายไฟลัดวงจรของอิเล็กโทรด เมื่อถอดออก จำเป็นต้องลัดวงจรอิเล็กโทรดก่อนถอดออก เพื่อป้องกันไม่ให้เกตยื่นออกมา

(7) เมื่อใช้MOSFETหากใช้สายวัสดุพิมพ์ ควรเชื่อมต่อสายวัสดุพิมพ์อย่างถูกต้อง