ลองดูที่ MOSFET

MOSFET เป็นฉนวน MOSFET ในวงจรรวม MOSFET เป็นหนึ่งในอุปกรณ์พื้นฐานที่สุดในเซมิคอนดักเตอร์ สนามมีการใช้กันอย่างแพร่หลายในวงจรระดับบอร์ดตลอดจนในการออกแบบ IC ท่อระบายน้ำและแหล่งที่มาของMOSFET สามารถสับเปลี่ยนกันได้และถูกสร้างขึ้นในแบ็คเกตชนิด P พร้อมขอบเขตชนิด N โดยทั่วไป แหล่งที่มาทั้งสองสามารถใช้แทนกันได้ โดยทั้งสองแหล่งสร้างบริเวณประเภท N ในประตูหลังแบบ P- โดยทั่วไป ทั้งสองโซนจะเหมือนกัน และแม้ว่าจะมีการสลับทั้งสองส่วนนี้ ประสิทธิภาพการทำงานของอุปกรณ์จะไม่ได้รับผลกระทบ ดังนั้นจึงถือว่าอุปกรณ์มีความสมมาตร

หลักการ:

MOSFET ใช้ VGS เพื่อควบคุมปริมาณของ "ประจุเหนี่ยวนำ" เพื่อเปลี่ยนสภาพของช่องนำไฟฟ้าที่เกิดจาก "ประจุเหนี่ยวนำ" เหล่านี้เพื่อควบคุมกระแสไฟเดรน เมื่อมีการผลิต MOSFET ไอออนบวกจำนวนมากจะปรากฏในชั้นฉนวนผ่านกระบวนการพิเศษ เพื่อให้สามารถสัมผัสประจุลบได้มากขึ้นที่อีกด้านหนึ่งของอินเทอร์เฟซ และบริเวณ N ของสิ่งเจือปนที่มีการซึมผ่านสูงจะเชื่อมต่อกันด้วย ประจุลบเหล่านี้และช่องนำไฟฟ้าถูกสร้างขึ้น และกระแสไฟเดรนที่ค่อนข้างสูง ID จะถูกสร้างขึ้นแม้ว่า VGS จะเป็น 0 หากแรงดันเกตเปลี่ยนแปลง ปริมาณประจุเหนี่ยวนำในช่องก็จะเปลี่ยนไปเช่นกัน และความกว้าง ของช่องสื่อกระแสไฟฟ้าเปลี่ยนแปลงไปในระดับเดียวกัน ถ้าแรงดันเกตเปลี่ยนแปลง ปริมาณประจุเหนี่ยวนำในช่องก็จะเปลี่ยนไปด้วย และความกว้างในช่องนำก็จะเปลี่ยนไปด้วย ดังนั้น ID ปัจจุบันของเดรนจะเปลี่ยนไปตามแรงดันเกต

บทบาท:

1. สามารถนำไปใช้กับวงจรเครื่องขยายเสียงได้ เนื่องจากความต้านทานอินพุตสูงของแอมพลิฟายเออร์ MOSFET ความจุของข้อต่ออาจมีขนาดเล็กลงและไม่สามารถใช้ตัวเก็บประจุด้วยไฟฟ้าได้

อิมพีแดนซ์อินพุตสูงเหมาะสำหรับการแปลงอิมพีแดนซ์ มักใช้สำหรับการแปลงอิมพีแดนซ์ในสเตจอินพุตของแอมพลิฟายเออร์แบบหลายสเตจ

3. สามารถใช้เป็นตัวต้านทานแบบแปรผันได้

4 สามารถใช้เป็นสวิตช์อิเล็กทรอนิกส์ได้

ปัจจุบัน MOSFET ถูกนำมาใช้ในการใช้งานที่หลากหลาย รวมถึงเฮดความถี่สูงในโทรทัศน์และอุปกรณ์จ่ายไฟแบบสวิตชิ่ง ในปัจจุบัน ทรานซิสเตอร์แบบไบโพลาร์ธรรมดาและ MOS ถูกนำมาประกอบเข้าด้วยกันจนเกิดเป็น IGBT (insulated gate bipolartransistor) ซึ่งใช้กันอย่างแพร่หลายในพื้นที่ที่มีกำลังไฟฟ้าสูง และวงจรรวมของ MOS มีลักษณะการใช้พลังงานต่ำ และปัจจุบัน CPU ได้ถูกนำไปใช้อย่างแพร่หลายใน วงจรมอส