ในโปรแกรมออกแบบสวิตช์ไฟและแหล่งจ่ายไฟอื่น ๆ ผู้ออกแบบโปรแกรมจะให้ความสำคัญกับพารามิเตอร์หลัก ๆ หลายประการมอสเฟตเช่น ตัวต้านทานเปิด-ปิด, แรงดันไฟฟ้าในการทำงานที่มากขึ้น, การไหลของพลังงานที่มากขึ้น แม้ว่าองค์ประกอบนี้จะเป็นวิกฤตโดยคำนึงถึงตำแหน่งที่ไม่เหมาะสมจะทำให้วงจรจ่ายไฟทำงานไม่ถูกต้อง แต่จริงๆ แล้วนี่เป็นเพียงขั้นตอนแรกเท่านั้นของ MOSFET พารามิเตอร์ปรสิตของตัวเองถือเป็นสิ่งสำคัญที่จะเป็นอันตรายต่อวงจรจ่ายไฟ
ขับเคลื่อน MOSFET ทันทีด้วยไอซีพาวเวอร์ซัพพลาย
วงจรขับ MOSFET ที่ดีมีข้อกำหนดดังต่อไปนี้:
(1) ขณะที่เปิดใช้งานสวิตช์ วงจรขับควรจะสามารถส่งออกกระแสไฟฟ้าที่มีขนาดใหญ่มากได้ เพื่อให้แรงดันไฟฟ้าระหว่างขั้วเกตและแหล่งกำเนิด MOSFET เพิ่มขึ้นอย่างรวดเร็วเป็นค่าที่ต้องการ เพื่อให้แน่ใจว่าสวิตช์สามารถหมุนได้ อย่างรวดเร็วและจะไม่มีการสั่นของความถี่สูงบนขอบขาขึ้น
(2) ระยะเวลาเปิดและปิดสวิตช์ไฟ วงจรขับเคลื่อนสามารถมั่นใจได้ว่าแรงดันไฟฟ้าในการดำเนินงานระหว่างขั้วของแหล่งกำเนิดเกต MOSFET จะคงอยู่เป็นเวลานาน และการนำไฟฟ้าที่มีประสิทธิภาพ
(3) ปิดวงจรขับเคลื่อนชั่วขณะ สามารถจ่ายช่องความต้านทานต่ำสำหรับแรงดันไฟฟ้าปฏิบัติการความจุของแหล่งกำเนิดเกต MOSFET ระหว่างท่อระบายน้ำอย่างรวดเร็ว เพื่อให้แน่ใจว่าสวิตช์สามารถปิดได้อย่างรวดเร็ว
(4) การสร้างวงจรขับเคลื่อนที่เรียบง่ายและเชื่อถือได้ซึ่งมีการสึกหรอต่ำ
(5) ตามสถานการณ์เฉพาะเพื่อดำเนินการคุ้มครอง
ในแหล่งจ่ายไฟของโมดูลควบคุม สิ่งที่พบมากที่สุดคือ IC ของแหล่งจ่ายไฟขับเคลื่อน MOSFET โดยตรง การประยุกต์ใช้ควรให้ความสนใจกับไดรฟ์ขนาดใหญ่ค่าสูงสุดของการไหลของพลังงาน ความจุการกระจาย MOSFET 2 พารามิเตอร์หลัก ความสามารถของไดรฟ์ IC กำลัง, ขนาดความจุการกระจาย MOS, ค่าความต้านทานของตัวต้านทานไดรฟ์จะเป็นอันตรายต่ออัตราการเปลี่ยนพลังงาน MOSFET หากการเลือกความจุการกระจาย MOSFET มีขนาดค่อนข้างใหญ่ ความสามารถของไดรฟ์ภายในของแหล่งจ่ายไฟ IC ยังไม่เพียงพอ ต้องอยู่ในวงจรไดรฟ์เพื่อปรับปรุงความสามารถของไดรฟ์ มักใช้วงจรแหล่งจ่ายไฟเสาโทเท็มเพื่อเพิ่มความสามารถของไดรฟ์ IC ของแหล่งจ่ายไฟ .
เวลาโพสต์: 25 ก.ค.-2024
