N-Channel MOSFET, N-Channel Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor เป็น MOSFET ประเภทที่สำคัญ ต่อไปนี้เป็นคำอธิบายโดยละเอียดของ N-channel MOSFET:
I. โครงสร้างพื้นฐานและองค์ประกอบ
MOSFET แบบ N-channel ประกอบด้วยส่วนประกอบหลักดังต่อไปนี้:
ประตู:ขั้วต่อควบคุมโดยการเปลี่ยนแรงดันเกตเพื่อควบคุมช่องนำไฟฟ้าระหว่างแหล่งกำเนิดและท่อระบายน้ำ-
แหล่งที่มา:กระแสไฟไหลออก มักจะเชื่อมต่อกับด้านลบของวงจร-
ท่อระบายน้ำ: กระแสไฟไหลเข้า มักจะเชื่อมต่อกับโหลดของวงจร
พื้นผิว:โดยปกติแล้วจะเป็นวัสดุเซมิคอนดักเตอร์ชนิด P ซึ่งใช้เป็นสารตั้งต้นสำหรับ MOSFET
ฉนวน-ตั้งอยู่ระหว่างประตูและช่อง มักทำจากซิลิคอนไดออกไซด์ (SiO2) และทำหน้าที่เป็นฉนวน
ครั้งที่สอง หลักการทำงาน
หลักการทำงานของ N-channel MOSFET ขึ้นอยู่กับผลกระทบของสนามไฟฟ้า ซึ่งดำเนินการดังต่อไปนี้:
สถานะการตัดออก:เมื่อแรงดันไฟฟ้าเกต (Vgs) ต่ำกว่าแรงดันไฟฟ้าเกณฑ์ (Vt) จะไม่มีการสร้างช่องนำไฟฟ้าประเภท N ในซับสเตรตประเภท P ใต้เกต ดังนั้นสถานะการตัดไฟระหว่างแหล่งกำเนิดและท่อระบายน้ำจึงเกิดขึ้น และกระแสน้ำไม่สามารถไหลได้
สถานะการนำไฟฟ้า:เมื่อแรงดันไฟฟ้าเกต (Vgs) สูงกว่าแรงดันไฟฟ้าเกณฑ์ (Vt) รูในซับสเตรตประเภท P ใต้เกตจะถูกผลักออกไป ทำให้เกิดชั้นการพร่อง เมื่อแรงดันเกตเพิ่มขึ้นอีก อิเล็กตรอนจะถูกดึงดูดไปที่พื้นผิวของซับสเตรตประเภท P ทำให้เกิดช่องนำไฟฟ้าประเภท N ณ จุดนี้ เส้นทางจะถูกสร้างขึ้นระหว่างแหล่งกำเนิดและท่อระบายน้ำ และกระแสสามารถไหลได้
ที่สาม ประเภทและลักษณะ
MOSFET แบบ N-channel สามารถจำแนกได้เป็นประเภทต่างๆ ตามคุณลักษณะ เช่น โหมดเพิ่มประสิทธิภาพ และโหมดพร่อง หนึ่งในนั้นคือ MOSFET ในโหมดเพิ่มประสิทธิภาพจะอยู่ในสถานะตัดเมื่อแรงดันเกตเป็นศูนย์ และจำเป็นต้องใช้แรงดันเกตบวกเพื่อดำเนินการ ในขณะที่ MOSFET โหมดพร่องจะอยู่ในสถานะนำไฟฟ้าอยู่แล้วเมื่อแรงดันเกตเป็นศูนย์
MOSFET แบบ N-channel มีคุณสมบัติที่ยอดเยี่ยมหลายประการ เช่น:
ความต้านทานอินพุตสูง:เกตและช่องของ MOSFET ถูกแยกออกด้วยชั้นฉนวน ส่งผลให้มีอิมพีแดนซ์อินพุตสูงมาก
เสียงรบกวนต่ำ:เนื่องจากการทำงานของ MOSFET ไม่เกี่ยวข้องกับการฉีดและการผสมตัวพาส่วนน้อย เสียงจึงต่ำ
การใช้พลังงานต่ำ: MOSFET มีการใช้พลังงานต่ำทั้งในสถานะเปิดและปิด
ลักษณะการสลับความเร็วสูง:MOSFET มีความเร็วในการสลับที่รวดเร็วมากและเหมาะสำหรับวงจรความถี่สูงและวงจรดิจิตอลความเร็วสูง
IV. พื้นที่ใช้งาน
MOSFET แบบ N-channel ถูกนำมาใช้กันอย่างแพร่หลายในอุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์ต่างๆ เนื่องจากมีประสิทธิภาพที่ยอดเยี่ยม เช่น:
วงจรดิจิตอล:เนื่องจากเป็นองค์ประกอบพื้นฐานของวงจรลอจิกเกต จึงใช้การประมวลผลและการควบคุมสัญญาณดิจิทัล
วงจรอนาล็อก:ใช้เป็นส่วนประกอบสำคัญในวงจรอะนาล็อก เช่น เครื่องขยายเสียงและตัวกรอง
อิเล็กทรอนิกส์กำลัง:ใช้สำหรับควบคุมอุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์กำลัง เช่น สวิตชิ่งจ่ายไฟ และมอเตอร์ขับเคลื่อน
พื้นที่อื่นๆ:เช่น ไฟ LED อุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์ในยานยนต์ การสื่อสารไร้สาย และสาขาอื่นๆ ก็มีการใช้กันอย่างแพร่หลายเช่นกัน
โดยสรุป N-channel MOSFET ซึ่งเป็นอุปกรณ์เซมิคอนดักเตอร์ที่สำคัญ มีบทบาทที่ไม่สามารถทดแทนได้ในเทคโนโลยีอิเล็กทรอนิกส์สมัยใหม่
เวลาโพสต์: 13-13-2024