คุณรู้จักสามขั้วของ MOSFET หรือไม่?

MOSFET (ทรานซิสเตอร์สนามผลโลหะออกไซด์-เซมิคอนดักเตอร์) มีสามขั้วคือ:

ประตู:G ประตูของ MOSFET เทียบเท่ากับฐานของทรานซิสเตอร์แบบไบโพลาร์ และใช้เพื่อควบคุมการนำและการตัดของ MOSFET ใน MOSFET แรงดันเกต (Vgs) เป็นตัวกำหนดว่าช่องนำไฟฟ้าถูกสร้างขึ้นระหว่างแหล่งกำเนิดและท่อระบายน้ำ รวมถึงความกว้างและค่าการนำไฟฟ้าของช่องนำไฟฟ้าหรือไม่ ประตูทำจากวัสดุเช่นโลหะ โพลีซิลิคอน ฯลฯ และล้อมรอบด้วยชั้นฉนวน (โดยปกติคือซิลิคอนไดออกไซด์) เพื่อป้องกันไม่ให้กระแสไหลเข้าหรือออกจากประตูโดยตรง

แหล่งที่มา:S แหล่งกำเนิดของ MOSFET เทียบเท่ากับตัวปล่อยของทรานซิสเตอร์แบบไบโพลาร์และเป็นจุดที่กระแสไหล ใน N-channel MOSFET แหล่งกำเนิดมักจะเชื่อมต่อกับขั้วลบ (หรือกราวด์) ของแหล่งจ่ายไฟ ในขณะที่ใน P-channel MOSFET แหล่งกำเนิดจะเชื่อมต่อกับขั้วบวกของแหล่งจ่ายไฟ แหล่งที่มาเป็นหนึ่งในส่วนสำคัญที่สร้างช่องทางการนำไฟฟ้า ซึ่งจะส่งอิเล็กตรอน (ช่อง N) หรือรู (ช่อง P) ไปยังท่อระบายน้ำเมื่อแรงดันเกตสูงเพียงพอ

ท่อระบายน้ำ:D ท่อระบายของ MOSFET เทียบเท่ากับตัวสะสมของทรานซิสเตอร์แบบไบโพลาร์และเป็นจุดที่กระแสไหลเข้า โดยปกติท่อระบายจะเชื่อมต่อกับโหลดและทำหน้าที่เป็นเอาต์พุตกระแสในวงจร ใน MOSFET ท่อระบายคือปลายอีกด้านของช่องนำไฟฟ้า และเมื่อแรงดันเกตควบคุมการก่อตัวของช่องนำไฟฟ้าระหว่างแหล่งกำเนิดและท่อระบายน้ำ กระแสสามารถไหลจากแหล่งกำเนิดผ่านช่องนำไฟฟ้าไปยังท่อระบายน้ำ

โดยสรุป ประตูของ MOSFET ใช้ในการควบคุมการเปิดและปิด แหล่งที่มาคือจุดที่กระแสไหลออก และท่อระบายน้ำคือจุดที่กระแสไหลเข้า ขั้วทั้งสามนี้ร่วมกันกำหนดสถานะการทำงานและประสิทธิภาพของ MOSFET .