ในปัจจุบัน ด้วยการพัฒนาอย่างรวดเร็วของวิทยาศาสตร์และเทคโนโลยี สารกึ่งตัวนำจึงถูกนำมาใช้ในอุตสาหกรรมต่างๆ มากขึ้น ซึ่งในมอสเฟต ยังถือเป็นอุปกรณ์เซมิคอนดักเตอร์ที่ใช้กันทั่วไป ขั้นตอนต่อไปคือการทำความเข้าใจว่าอะไรคือความแตกต่างระหว่างลักษณะของทรานซิสเตอร์คริสตัลกำลังแบบไบโพลาร์และ MOSFET กำลังเอาท์พุต
1 วิธีการทำงาน
MOSFET เป็นงานที่จำเป็นในการส่งเสริมแรงดันไฟฟ้า แผนภาพวงจรอธิบายค่อนข้างง่าย ส่งเสริมพลังของขนาดเล็ก ทรานซิสเตอร์พลังงานคริสตัลเป็นกระแสไฟเพื่อส่งเสริมการออกแบบโปรแกรมที่ซับซ้อนมากขึ้น เพื่อส่งเสริมข้อกำหนดของการเลือกที่ยากที่จะส่งเสริมข้อกำหนดจะเป็นอันตรายต่อความเร็วในการสลับรวมของแหล่งจ่ายไฟ
2 ความเร็วในการสลับรวมของแหล่งจ่ายไฟ
MOSFET ที่ได้รับผลกระทบจากอุณหภูมิมีขนาดเล็ก แหล่งจ่ายไฟสลับกำลังขับสามารถมั่นใจได้ว่ามากกว่า 150KHz; ทรานซิสเตอร์พลังงานคริสตัลมีเวลาในการจัดเก็บประจุฟรีน้อยมากซึ่งจำกัดความเร็วในการเปลี่ยนแหล่งจ่ายไฟ แต่โดยทั่วไปกำลังเอาต์พุตจะไม่เกิน 50KHz
3、พื้นที่ทำงานที่ปลอดภัย
เพาเวอร์มอสเฟต ไม่มีพื้นฐานรอง และพื้นที่ทำงานที่ปลอดภัยกว้าง ทรานซิสเตอร์กำลังคริสตัลมีสถานการณ์รอง ซึ่งจำกัดพื้นที่ทำงานที่ปลอดภัย
4、ความต้องการการทำงานของตัวนำไฟฟ้าแรงดันไฟฟ้าทำงาน
พลังมอสเฟต เป็นประเภทไฟฟ้าแรงสูง ความต้องการการนำไฟฟ้าทำงานสูงกว่า มีค่าสัมประสิทธิ์อุณหภูมิบวก ทรานซิสเตอร์พลังงานคริสตัลไม่ว่าเงินจะทนต่อแรงดันไฟฟ้าในการทำงานความต้องการในการทำงานเท่าใด แรงดันไฟฟ้าในการทำงานความต้องการการทำงานของตัวนำไฟฟ้าจะลดลงและมีค่าสัมประสิทธิ์อุณหภูมิติดลบ
5 การไหลของพลังงานสูงสุด
MOSFET พลังงานในวงจรแหล่งจ่ายไฟสลับวงจรแหล่งจ่ายไฟวงจรวงจรแหล่งจ่ายไฟเป็นสวิตช์แหล่งจ่ายไฟในการดำเนินงานและการทำงานที่มั่นคงในช่วงกลางการไหลของพลังงานสูงสุดจะลดลง; และพาวเวอร์คริสตัลทรานซิสเตอร์ในการทำงานและการทำงานที่เสถียรตรงกลางทำให้กระแสไฟสูงสุดสูงขึ้น
6、ต้นทุนสินค้า
ต้นทุนพลังงาน MOSFET สูงกว่าเล็กน้อย ราคาของพาวเวอร์คริสตัลไตรโอดลดลงเล็กน้อย
7、ผลการเจาะ
Power MOSFET ไม่มีผลการเจาะ ทรานซิสเตอร์พลังงานคริสตัลมีผลการเจาะ
8、การสูญเสียการสลับ
การสูญเสียการสลับ MOSFET นั้นไม่ดีนัก การสูญเสียการสลับทรานซิสเตอร์พลังงานคริสตัลมีขนาดค่อนข้างใหญ่
นอกจากนี้ ไดโอดดูดซับแรงกระแทกแบบรวม MOSFET ส่วนใหญ่ในขณะที่ทรานซิสเตอร์คริสตัลพลังงานแบบไบโพลาร์เกือบจะไม่มีไดโอดดูดซับแรงกระแทกในตัว ไดโอดดูดซับแรงกระแทกของ MOSFET ยังสามารถเป็นแม่เหล็กสากลสำหรับเปลี่ยนขดลวดแม่เหล็กของวงจรจ่ายไฟเพื่อให้มุมตัวประกอบกำลัง ของช่องทางความปลอดภัยการไหลของพลังงาน หลอดสนามเอฟเฟกต์ในไดโอดดูดซับแรงกระแทกในกระบวนการทั้งหมดปิดด้วยไดโอดทั่วไปเนื่องจากการมีอยู่ของกระแสการกู้คืนแบบย้อนกลับ ในเวลานี้ไดโอดบนมือข้างหนึ่งเพื่อใช้ท่อระบายน้ำ - ขั้วบวกของแหล่งกำเนิดบวกตรงกลางของอย่างมีนัยสำคัญ ความต้องการในการทำงานของแรงดันไฟฟ้าในการทำงานเพิ่มขึ้น ในทางกลับกัน และกระแสการกู้คืนแบบย้อนกลับ
เวลาโพสต์: May-29-2024
