สถานการณ์วงจรของการประยุกต์มอสเฟต

คุณสมบัติที่สำคัญที่สุดของมอสเฟตเป็นการสวิตชิ่งจึงสามารถนำมาใช้กันอย่างแพร่หลายในวงจรต่างๆ ที่ต้องใช้สวิตชิ่งแบบอิเล็กทรอนิกส์ เช่น สวิตชิ่งจ่ายไฟ และวงจรขับเคลื่อนมอเตอร์ ปัจจุบันสถานการณ์วงจรแอปพลิเคชัน mosfet:

1 การใช้งานแรงดันไฟฟ้าต่ำ

เมื่อใช้แหล่งจ่ายไฟ 5V หากใช้โครงสร้างเสาโทเท็มแบบดั้งเดิม เนื่องจากแรงดันไฟฟ้าตกของทรานซิสเตอร์อยู่ที่ประมาณ 0.7V เท่านั้น แรงดันไฟฟ้าจริงที่โหลดบนเกตในที่สุดจะอยู่ที่ 4.3V เท่านั้น ในเวลานี้หากเราเลือก มอสเฟตที่มีแรงดันไฟฟ้า 4.5V วงจรทั้งหมดจะมีความเสี่ยงอยู่บ้าง ปัญหาเดียวกันนี้จะเกิดขึ้นเมื่อใช้ 3V หรือแหล่งจ่ายไฟแรงดันต่ำอื่น ๆ

2 การใช้งานแรงดันไฟฟ้ากว้าง

ในชีวิตประจำวันของเรา แรงดันไฟฟ้าที่เราป้อนไม่ใช่ค่าคงที่ แต่จะได้รับผลกระทบจากเวลาหรือปัจจัยอื่นๆ ผลกระทบนี้จะทำให้วงจร pwm จ่ายแรงดันไฟฟ้าขับเคลื่อนให้กับมอสเฟตที่ไม่เสถียรอย่างมาก ดังนั้นเพื่อให้ทรานซิสเตอร์มอสทำงานได้อย่างปลอดภัยที่แรงดันไฟฟ้าเกตสูง หลายๆ ตัวมอสเฟตปัจจุบันมีตัวควบคุมแรงดันไฟฟ้าในตัวเพื่อจำกัดแรงดันเกต ณ จุดนี้ เมื่อแรงดันไฟฟ้าของไดรฟ์ที่ให้มาเกินแรงดันไฟฟ้าของตัวควบคุม จะทำให้เกิดการใช้พลังงานคงที่จำนวนมาก ในเวลาเดียวกัน หากแรงดันไฟฟ้าเกตลดลงโดยใช้หลักตัวแบ่งแรงดันไฟฟ้าของตัวต้านทาน แรงดันไฟฟ้าอินพุตจะค่อนข้างสูงและมอสเฟตจะทำงานได้ดี เมื่อแรงดันไฟฟ้าอินพุตลดลง แรงดันเกตจะไม่เพียงพอ ส่งผลให้การนำไฟฟ้าไม่สมบูรณ์และสิ้นเปลืองพลังงานมากขึ้น