ลักษณะของ MOSFET และข้อควรระวังในการใช้งาน

วิธีแก้ไขโดยทั่วไปคือการเพิ่มไดโอดที่ด้านหลังเพื่อป้องกันการจ่ายไฟย้อนกลับ แต่ลักษณะของไดโอดกำหนดความจำเป็นในการลดแรงดันไฟฟ้าไปข้างหน้าที่ 0.6~1V ซึ่งส่งผลให้เกิดความร้อนอย่างรุนแรงที่กระแสสูงในขณะที่ทำให้เกิดของเสีย ของพลังงานและลดประสิทธิภาพการใช้พลังงานโดยรวม อีกวิธีหนึ่งคือการผนวก MOSFET แบบ back-to-back โดยใช้ MOSFET ที่มีความต้านทานออนต่ำเพื่อให้เกิดประสิทธิภาพในการใช้พลังงาน

ควรสังเกตว่าหลังจากการนำ MOSFET เป็นแบบไม่มีทิศทาง ดังนั้นหลังจากการนำแรงดันจะเทียบเท่ากับสายไฟ มีเฉพาะตัวต้านทาน ไม่มีแรงดันไฟฟ้าตกในสถานะ โดยปกติจะอิ่มตัวความต้านทานแบบออนเป็นเวลาสองสามมิลลิโอห์มมิลลิโอห์มทันเวลาและไม่มีทิศทางทำให้ไฟ DC และ AC ผ่านได้

ครั้งที่สอง ลักษณะของ MOSFET

1, MOSFET เป็นอุปกรณ์ควบคุมแรงดันไฟฟ้า ไม่จำเป็นต้องขับเคลื่อนกระแสสูง

2、ความต้านทานอินพุตสูง

3, ช่วงความถี่การทำงานกว้าง, ความเร็วในการเปลี่ยนสูง, การสูญเสียต่ำ

4, AC ความต้านทานสูงที่สะดวกสบาย, เสียงต่ำ

5、การใช้งานแบบขนานหลายรายการเพิ่มกระแสไฟขาออก

ประการที่สอง การใช้ MOSFET ในกระบวนการป้องกัน

1 เพื่อให้มั่นใจถึงการใช้ MOSFET อย่างปลอดภัย ในการออกแบบสาย ไม่ควรเกินการกระจายพลังงานไปป์ไลน์ แรงดันแหล่งรั่วไหลสูงสุด แรงดันแหล่งเกต และค่าจำกัดกระแสและพารามิเตอร์อื่น ๆ

2. ต้องใช้ MOSFET ประเภทต่างๆอย่างเคร่งครัด สอดคล้องกับการเข้าถึงไบแอสที่ต้องการในวงจร เพื่อให้สอดคล้องกับขั้วของออฟเซ็ต MOSFET