เกี่ยวกับหลักการทำงานของเพาเวอร์มอสเฟต

Power MOSFET ทำงานในสองวิธีหลัก:

(1) เมื่อเพิ่มแรงดันไฟฟ้าบวกให้กับ D และ S (บวกเดรน, แหล่งกำเนิดลบ) และ UGS=0, จุดเชื่อมต่อ PN ในบริเวณตัว P และบริเวณเดรน N จะเอนเอียงย้อนกลับ และไม่มีกระแสไหลผ่านระหว่าง D และ S ถ้าเพิ่มแรงดันไฟฟ้าบวก UGS ระหว่าง G และ S จะไม่มีกระแสเกตไหลเนื่องจากเกตมีฉนวน แต่แรงดันไฟฟ้าบวกที่เกตจะดันรูออกจากบริเวณ P ข้างใต้ และอิเล็กตรอนตัวพาส่วนน้อยจะ ถูกดึงดูดไปที่พื้นผิวบริเวณ P เมื่อ UGS มากกว่าแรงดันไฟฟ้า UT ความเข้มข้นของอิเล็กตรอนบนพื้นผิวของบริเวณ P ใต้ประตูจะเกินความเข้มข้นของรู จึงทำให้ชั้น antipattern ของเซมิคอนดักเตอร์ชนิด P-type เซมิคอนดักเตอร์ชนิด N ; ชั้นป้องกันรูปแบบนี้จะสร้างช่องชนิด N ระหว่างแหล่งกำเนิดและท่อระบายน้ำ เพื่อให้จุดเชื่อมต่อ PN หายไป แหล่งกำเนิดและท่อระบายน้ำเป็นสื่อกระแสไฟฟ้า และ ID กระแสท่อระบายน้ำจะไหลผ่านท่อระบายน้ำ UT เรียกว่าแรงดันไฟฟ้าเปิดหรือแรงดันไฟฟ้าเกณฑ์ และยิ่ง UGS เกิน UT มากเท่าใด ความสามารถในการนำไฟฟ้าก็จะยิ่งมากขึ้นเท่านั้น และ ID ก็จะยิ่งมากขึ้น ยิ่ง UGS มีค่าเกิน UT ค่าการนำไฟฟ้าจะยิ่งมากเท่าใด ID ก็จะยิ่งมากขึ้นเท่านั้น

(2) เมื่อ D, S บวกแรงดันไฟฟ้าลบ (แหล่งที่มาเป็นบวก ลบการระบาย) จุดเชื่อมต่อ PN จะเอนเอียงไปข้างหน้า เทียบเท่ากับไดโอดย้อนกลับภายใน (ไม่มีคุณลักษณะการตอบสนองที่รวดเร็ว) นั่นคือมอสเฟต ไม่มีความสามารถในการปิดกั้นแบบย้อนกลับ ถือได้ว่าเป็นส่วนประกอบการนำไฟฟ้าผกผัน

    โดยมอสเฟต หลักการทำงานสามารถมองเห็นได้ โดยมีการนำพาหะขั้วเดียวที่เกี่ยวข้องกับตัวนำไฟฟ้าหรือที่เรียกว่าทรานซิสเตอร์แบบยูนิโพลาร์ ไดรฟ์ MOSFET มักจะขึ้นอยู่กับแหล่งจ่ายไฟ IC และพารามิเตอร์ MOSFET เพื่อเลือกวงจรที่เหมาะสม โดยทั่วไป MOSFET จะใช้สำหรับการสลับ วงจรขับเคลื่อนแหล่งจ่ายไฟ เมื่อออกแบบแหล่งจ่ายไฟแบบสวิตชิ่งโดยใช้ MOSFET คนส่วนใหญ่คำนึงถึงความต้านทานออน แรงดันไฟฟ้าสูงสุด และกระแสสูงสุดของ MOSFET อย่างไรก็ตาม ผู้คนมักพิจารณาเฉพาะปัจจัยเหล่านี้เท่านั้น เพื่อให้วงจรสามารถทำงานได้อย่างถูกต้อง แต่ไม่ใช่โซลูชันการออกแบบที่ดี สำหรับการออกแบบที่มีรายละเอียดมากขึ้น MOSFET ควรพิจารณาข้อมูลพารามิเตอร์ของตัวเองด้วย สำหรับ MOSFET ที่แน่นอน วงจรขับเคลื่อน กระแสสูงสุดของเอาท์พุตของไดรฟ์ ฯลฯ จะส่งผลต่อประสิทธิภาพการสลับของ MOSFET