วงจรป้องกันกระแสเกิน MOSFET เพื่อหลีกเลี่ยงอุบัติเหตุไฟดับ

วงจรป้องกันกระแสเกิน MOSFET เพื่อหลีกเลี่ยงอุบัติเหตุไฟดับ

เวลาโพสต์: Jul-26-2024

แหล่งจ่ายไฟเป็นส่วนประกอบการกระจายอุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์ นอกเหนือจากลักษณะที่ต้องพิจารณาข้อกำหนดของอุปกรณ์ระบบจ่ายไฟแล้ว มาตรการป้องกันของตัวเองก็มีความสำคัญเช่นกันสำคัญเช่น การบำรุงรักษากระแสเกิน แรงดันเกิน อุณหภูมิเกิน เมื่อแหล่งจ่ายไฟไม่มีโปรแกรมออกแบบป้องกันกระแสเกิน เอาต์พุตของความล้มเหลวของการลัดวงจรหรือการโอเวอร์โหลดจะทำให้แหล่งจ่ายไฟเสียหาย แต่ก็มีแนวโน้มมากที่จะทำให้เกิดการทำลายล้าง ของอุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์และยังทำให้เกิดการปฏิบัติงานจริงของเจ้าหน้าที่จากอุบัติเหตุไฟฟ้าช็อต ไฟไหม้ และอุบัติเหตุด้านความปลอดภัยอื่นๆ และการป้องกันกระแสไฟเกินของแหล่งจ่ายไฟด้วยการใช้MOSFET ที่เกี่ยวข้อง.

ข้อกำหนดวงจรไดรเวอร์ MOSFET

การป้องกันกระแสไฟเกินแบบตรงไปตรงมานั้นอยู่ในเอาท์พุตของความผิดพลาดในการลัดวงจรหรือการโอเวอร์โหลดของแหล่งจ่ายไฟหรือการบำรุงรักษาโหลด ในขั้นตอนของการป้องกันกระแสไฟเกินของแหล่งจ่ายไฟนี้มีหลายวิธีเช่นกระแสคงที่เอาต์พุตคงที่ ประเภทพลังงาน ฯลฯ แต่การพัฒนาวงจรป้องกันกระแสเกินดังกล่าวไม่สามารถแยกออกจาก MOSFET ได้ MOSFET คุณภาพสูงสามารถปรับปรุงบทบาทของการป้องกันกระแสเกินของแหล่งจ่ายไฟได้

วงจรป้องกันกระแสไฟเกิน MOSFET เพื่อหลีกเลี่ยงอุบัติเหตุไฟดับ(1)

ที่เกี่ยวข้องเนื้อหา