ลักษณะการนำ MOSFET

ไม่ว่าจะเป็นเอ็นเอ็มโอเอสหรือ PMOS จะมีค่าความต้านทานออนต่อจากค่าความต้านทานออน ดังนั้นกระแสในความต้านทานจะกินไฟจำนวนหนึ่ง ปริมาณการใช้นี้เรียกว่าการสูญเสียค่าความต้านทานออน ณ จุดนี้ เราแค่เลือก on-resistance ของ MOSFET ขนาดเล็กสามารถลดการสูญเสีย on-resistance ซึ่งเป็นพลังงานต่ำในปัจจุบันมอสเฟตโดยทั่วไปแล้ว ความต้านทานออนจะอยู่ที่หลายสิบมิลลิโอห์ม หรือแม้แต่สองสามมิลลิโอห์มของการปรากฏตัวของ MOS ในกรณีที่เปิดและเมื่อสถานการณ์เสร็จสิ้นจะไม่เกิดขึ้นในทันที
แรงดันไฟฟ้าทั้งสองด้านของ MOS มีกระบวนการลดลง กระแสที่ไหลผ่านกระบวนการเพิ่มขึ้นในช่วงเวลานี้แรงดันและกระแสคูณด้วยขนาดการสูญเสียของ MOSFET การสูญเสียการสวิตชิ่งทั่วไปจะมีมากกว่าการสูญเสียการนำไฟฟ้ามาก และหากความถี่ในการสวิตชิ่งสูง การสูญเสียก็จะยิ่งมากขึ้นตามไปด้วย ยิ่งแรงดันและกระแสคูณกันสูง ณ ขณะนำไฟฟ้า การสูญเสียก็จะยิ่งสูงขึ้นตามไปด้วย หากเราสามารถลดเวลาการสลับได้ เราก็สามารถลดการสูญเสียในแต่ละการนำไฟฟ้า ลดความถี่ในการสลับได้ นอกจากนี้ยังสามารถลดความถี่ในการสลับภายในระยะเวลาหนึ่ง เพื่อลดการสูญเสียการสลับ

ด้วยการพัฒนาตลาดเชิงรุกและการบูรณาการทรัพยากรอย่างมีประสิทธิภาพ olukey ได้กลายเป็นหนึ่งในตัวแทนที่โดดเด่นและเติบโตเร็วที่สุดในเอเชีย และเป็นเป้าหมายร่วมกันของ olukey ในการเป็นตัวแทนที่มีมูลค่ามากที่สุดในโลก ในช่วงหลายปีที่ผ่านมา บริษัท olukey เพื่อความอยู่รอดของสินเชื่อยึดมั่นในวัตถุประสงค์ "คุณภาพก่อนบริการก่อน" และองค์กรเทคโนโลยีขั้นสูงในประเทศและต่างประเทศจำนวนมากโรงงานเดิมเพื่อสร้างความสัมพันธ์ในการทำงานที่ดีโดยมีประสบการณ์วิชาชีพหลายปีในการจัดจำหน่าย ด้วยเครดิตที่ดี บริการที่เป็นเลิศ และได้รับความไว้วางใจและการสนับสนุนอย่างกว้างขวาง