การระบุและการทดสอบ MOSFET ขั้นพื้นฐาน

1.การระบุพิน MOSFET ทางแยก

ประตูของมอสเฟต เป็นฐานของทรานซิสเตอร์ และท่อระบายและแหล่งกำเนิดคือตัวสะสมและตัวปล่อยของทรานซิสเตอร์ที่สอดคล้องกัน- มัลติมิเตอร์ไปที่เกียร์ R × 1k พร้อมปากกาสองตัวเพื่อวัดความต้านทานไปข้างหน้าและย้อนกลับระหว่างพินทั้งสอง เมื่อความต้านทานไปข้างหน้าแบบสองพิน = ความต้านทานแบบย้อนกลับ = KΩ นั่นคือพินสองตัวสำหรับแหล่งกำเนิด S และเดรน D พินที่เหลือคือเกต G ถ้าเป็น 4 พินชุมทาง MOSFETอีกขั้วหนึ่งเป็นการใช้โล่กราวด์

2.กำหนดประตู　

ด้วยปากกาสีดำของมัลติมิเตอร์เพื่อสัมผัส MOSFET ขั้วไฟฟ้าแบบสุ่ม ปากกาสีแดงเพื่อสัมผัสอีกสองขั้วไฟฟ้า หากความต้านทานที่วัดได้ทั้งสองมีค่าน้อย ซึ่งบ่งชี้ว่าทั้งคู่มีความต้านทานเป็นบวก ท่อเป็นของ MOSFET แบบ N-channel หน้าสัมผัสปากกาสีดำอันเดียวกันก็เป็นเกตเช่นกัน

กระบวนการผลิตตัดสินใจว่าเดรนและแหล่งกำเนิดของ MOSFET นั้นสมมาตรและสามารถแลกเปลี่ยนกันได้และจะไม่ส่งผลต่อการใช้งานวงจรครับ ช่วงนี้วงจรยังปกติดี เลยไม่ต้องไป เพื่อความแตกแยกที่มากเกินไป ความต้านทานระหว่างท่อระบายและแหล่งกำเนิดอยู่ที่ประมาณสองสามพันโอห์ม ไม่สามารถใช้วิธีนี้ในการกำหนดเกตของ MOSFET ชนิดเกทหุ้มฉนวนได้ เนื่องจากความต้านทานของอินพุตของ MOSFET นี้สูงมาก และความจุระหว่างขั้วระหว่างเกตและแหล่งกำเนิดมีขนาดเล็กมาก การวัดประจุเพียงเล็กน้อยก็สามารถเกิดขึ้นได้ที่ด้านบนของอินเตอร์โพลาร์ ความจุของแรงดันไฟฟ้าที่สูงมาก MOSFET จะเสียหายได้ง่ายมาก

การระบุและการทดสอบ MOSFET ขั้นพื้นฐาน(1)

3. การประเมินความสามารถในการขยายของ MOSFET

เมื่อตั้งค่ามัลติมิเตอร์เป็น R × 100 ให้ใช้ปากกาสีแดงเพื่อเชื่อมต่อแหล่งกำเนิด S และใช้ปากกาสีดำเพื่อเชื่อมต่อท่อระบายน้ำ D ซึ่งเหมือนกับการเพิ่มแรงดันไฟฟ้า 1.5V ให้กับ MOSFET ในขณะนี้ เข็มจะระบุค่าความต้านทานระหว่างขั้ว DS ในเวลานี้ใช้นิ้วบีบเกต G ซึ่งเป็นแรงดันไฟฟ้าเหนี่ยวนำของร่างกายเป็นสัญญาณอินพุตไปยังเกต เนื่องจากบทบาทของการขยาย MOSFET ID และ UDS จะเปลี่ยนไป ซึ่งหมายความว่าความต้านทานระหว่างขั้ว DS มีการเปลี่ยนแปลง เราสามารถสังเกตได้ว่าเข็มมีแอมพลิจูดการแกว่งขนาดใหญ่ ถ้ามือบีบประตู การแกว่งของเข็มมีขนาดเล็กมาก นั่นคือ ความสามารถในการขยาย MOSFET ค่อนข้างอ่อนแอ ถ้าเข็มไม่มีการกระทำแม้แต่น้อยแสดงว่า MOSFET ได้รับความเสียหาย