การวิเคราะห์สาเหตุสำคัญของการสร้างความร้อน MOSFET

ประเภท N, ประเภท P หลักการทำงานของ MOSFET เหมือนกัน ส่วนใหญ่ MOSFET จะถูกเพิ่มไปที่ด้านอินพุตของแรงดันเกตเพื่อควบคุมด้านเอาต์พุตของกระแสเดรนได้สำเร็จ MOSFET เป็นอุปกรณ์ควบคุมแรงดันไฟฟ้าผ่านแรงดันไฟฟ้าที่เพิ่ม ไปที่เกตเพื่อควบคุมคุณสมบัติของอุปกรณ์ ซึ่งแตกต่างจากไตรโอดที่จะทำเวลาในการสลับเนื่องจากกระแสฐานที่เกิดจากเอฟเฟกต์การจัดเก็บประจุ ในการสลับแอปพลิเคชัน ของ MOSFET ในการสลับแอปพลิเคชันมอสเฟต ความเร็วในการเปลี่ยนจะเร็วกว่าของไตรโอด

ในวงจรสวิตชิ่งพาวเวอร์ซัพพลายที่ใช้กันทั่วไปในวงจรเปิดเดรนของ MOSFET โดยเดรนจะเชื่อมต่อกับโหลดตามที่เป็นอยู่ เรียกว่า openเดรน วงจรเดรนแบบเปิด โหลดจะต่อกับระดับแรงดันไฟฟ้าที่สูง สามารถเปิด ปิดได้ กระแสโหลดเป็นอุปกรณ์สวิตชิ่งแบบอะนาล็อกในอุดมคติซึ่งเป็นหลักการของ MOSFET ในการทำสวิตชิ่งอุปกรณ์ MOSFET ทำหน้าที่สวิตชิ่งในรูปแบบของวงจรเพิ่มเติม

ในแง่ของแอปพลิเคชันการจ่ายไฟแบบสวิตชิ่ง แอปพลิเคชันนี้ต้องการ MOSFET การดำเนินการปิดเป็นระยะๆ เช่น ไฟ DC-DC ที่ใช้กันทั่วไปในบั๊กคอนเวอร์เตอร์พื้นฐาน อาศัย MOSFET สองตัวทำหน้าที่สวิตชิ่ง สวิตช์เหล่านี้จะสลับกันในตัวเหนี่ยวนำเพื่อกักเก็บพลังงาน ปล่อยพลังงานให้กับโหลด มักจะเลือก หลายร้อย kHz หรือมากกว่า 1 MHz เนื่องจากยิ่งความถี่สูง ส่วนประกอบแม่เหล็กก็จะยิ่งเล็กลง ในระหว่างการทำงานปกติ MOSFET จะเทียบเท่ากับตัวนำ ตัวอย่างเช่น MOSFET กำลังสูง MOSFET แรงดันต่ำ วงจร แหล่งจ่ายไฟคือการสูญเสียการนำไฟฟ้าขั้นต่ำของ MOS

พารามิเตอร์ MOSFET PDF ผู้ผลิต MOSFET ประสบความสำเร็จในการนำพารามิเตอร์ RDS (ON) มาใช้เพื่อกำหนดความต้านทานในสถานะสำหรับการสลับแอปพลิเคชัน RDS (ON) เป็นลักษณะอุปกรณ์ที่สำคัญที่สุด เอกสารข้อมูลกำหนด RDS (ON) แรงดันเกท (หรือไดรฟ์) VGS และกระแสที่ไหลผ่านสวิตช์มีความสัมพันธ์กัน สำหรับเกทไดรฟ์ที่เพียงพอ RDS (ON) เป็นพารามิเตอร์ที่ค่อนข้างคงที่ MOSFET ที่อยู่ในการนำมีแนวโน้มที่จะเกิดความร้อน และอุณหภูมิทางแยกที่เพิ่มขึ้นอย่างช้าๆ อาจทำให้ RDS (ON) เพิ่มขึ้น;มอสเฟต เอกสารข้อมูลระบุพารามิเตอร์ความต้านทานความร้อน ซึ่งกำหนดเป็นความสามารถของจุดเชื่อมต่อเซมิคอนดักเตอร์ของแพ็คเกจ MOSFET ในการกระจายความร้อน และ RθJC ถูกกำหนดง่ายๆ ว่าเป็นความต้านทานความร้อนระหว่างทางแยกต่อเคส

1,ความถี่สูงเกินไป,บางครั้ง over-ติดตามปริมาณ,โดยตรงนำไปสู่ความถี่สูง,MOSFET เมื่อสูญเสียเพิ่มขึ้น,Greater ความร้อน, do not DO Good Job การออกแบบการกระจายความร้อนเพียงพอ,high current,nominal ค่าปัจจุบันของ MOSFET ความจำเป็นในการกระจายความร้อนที่ดีเพื่อให้สามารถบรรลุได้ ID น้อยกว่ากระแสสูงสุด อาจมีความร้อนรุนแรง จำเป็นต้องมีฮีทซิงค์เสริมที่เพียงพอ

2, ข้อผิดพลาดในการเลือก MOSFET และข้อผิดพลาดในการตัดสินกำลังไฟฟ้า, ความต้านทานภายในของ MOSFET ไม่ได้รับการพิจารณาอย่างเต็มที่, จะนำไปสู่ความต้านทานการสลับที่เพิ่มขึ้นโดยตรง, เมื่อจัดการกับปัญหาความร้อนของ MOSFET

3 เนื่องจากปัญหาการออกแบบวงจรทำให้เกิดความร้อน ดังนั้น MOSFET ทำงานในสถานะการทำงานเชิงเส้น ไม่ใช่ในสถานะสวิตช์ซึ่งเป็นสาเหตุโดยตรงของความร้อนของ MOSFET เช่น N-MOS ทำการสลับ G- ระดับแรงดันไฟฟ้าจะต้องสูงกว่าแหล่งจ่ายไฟประมาณ 2-3 V เพื่อให้สามารถนำไฟฟ้าได้เต็มที่ P-MOS จะแตกต่างออกไป ในกรณีที่ไม่มีการเปิดเต็มที่ แรงดันตกคร่อมมีขนาดใหญ่เกินไป ซึ่งจะส่งผลให้สิ้นเปลืองพลังงาน อิมพีแดนซ์ DC ที่เท่ากันจะมีขนาดใหญ่ขึ้น แรงดันตกคร่อมก็จะเพิ่มขึ้นเช่นกัน U * ฉันจะเพิ่มขึ้นด้วย การสูญเสียจะนำไปสู่ความร้อน