WST8205 Dual N-Channel 20V 5.8A SOT-23-6L WINSOK MOSFET
คำอธิบายทั่วไป
WST8205 เป็น MOSFET แบบ N-Ch แบบร่องลึกประสิทธิภาพสูงที่มีความหนาแน่นของเซลล์สูงมาก ให้ RDSON และค่าเกตที่ยอดเยี่ยมสำหรับแอปพลิเคชันสวิตช์ไฟและสวิตช์โหลดขนาดเล็กที่สุดWST8205 เป็นไปตามข้อกำหนด RoHS และผลิตภัณฑ์สีเขียวพร้อมการอนุมัติความน่าเชื่อถือด้านการทำงานเต็มรูปแบบ
คุณสมบัติ
เทคโนโลยีขั้นสูงของเรารวมคุณสมบัติที่เป็นนวัตกรรมที่ทำให้อุปกรณ์นี้แตกต่างจากอุปกรณ์อื่นๆ ในตลาดด้วยร่องลึกที่มีความหนาแน่นของเซลล์สูง เทคโนโลยีนี้ช่วยให้สามารถบูรณาการส่วนประกอบต่างๆ ได้มากขึ้น ซึ่งนำไปสู่ประสิทธิภาพและประสิทธิผลที่เพิ่มขึ้น ข้อได้เปรียบที่โดดเด่นประการหนึ่งของอุปกรณ์นี้คือค่าเกตที่ต่ำมากด้วยเหตุนี้ จึงต้องใช้พลังงานเพียงเล็กน้อยในการสลับระหว่างสถานะเปิดและปิด ส่งผลให้การใช้พลังงานลดลงและปรับปรุงประสิทธิภาพโดยรวมคุณลักษณะการชาร์จเกตต่ำนี้ทำให้เป็นตัวเลือกที่เหมาะสำหรับการใช้งานที่ต้องการการสลับความเร็วสูงและการควบคุมที่แม่นยำ นอกจากนี้ อุปกรณ์ของเรายังยอดเยี่ยมในการลดเอฟเฟกต์ Cdv/dtCdv/dt หรืออัตราการเปลี่ยนแปลงของแรงดันไฟฟ้าระหว่างเดรนถึงแหล่งกำเนิดเมื่อเวลาผ่านไป สามารถทำให้เกิดผลกระทบที่ไม่พึงประสงค์ เช่น แรงดันไฟฟ้าพุ่งสูงและการรบกวนทางแม่เหล็กไฟฟ้าด้วยการลดผลกระทบเหล่านี้อย่างมีประสิทธิภาพ อุปกรณ์ของเราจึงรับประกันการทำงานที่เชื่อถือได้และมีเสถียรภาพ แม้ในสภาพแวดล้อมที่มีความต้องการสูงและมีการเปลี่ยนแปลงตลอดเวลา นอกเหนือจากความสามารถทางเทคนิคแล้ว อุปกรณ์นี้ยังเป็นมิตรต่อสิ่งแวดล้อมอีกด้วยได้รับการออกแบบโดยคำนึงถึงความยั่งยืน โดยคำนึงถึงปัจจัยต่างๆ เช่น ประสิทธิภาพการใช้พลังงานและอายุการใช้งานที่ยืนยาวด้วยการทำงานอย่างมีประสิทธิภาพด้านพลังงานสูงสุด อุปกรณ์นี้จึงลดการปล่อยก๊าซคาร์บอนและมีส่วนช่วยในอนาคตที่เป็นมิตรต่อสิ่งแวดล้อม โดยสรุป อุปกรณ์ของเราผสมผสานเทคโนโลยีขั้นสูงเข้ากับร่องลึกที่มีความหนาแน่นของเซลล์สูง ประจุเกตต่ำมาก และการลดผลกระทบของ Cdv/dt ได้อย่างยอดเยี่ยมด้วยการออกแบบที่เป็นมิตรกับสิ่งแวดล้อม ไม่เพียงแต่มอบประสิทธิภาพและประสิทธิผลที่เหนือกว่า แต่ยังสอดคล้องกับความต้องการโซลูชันที่ยั่งยืนที่เพิ่มขึ้นในโลกปัจจุบันอีกด้วย
การใช้งาน
การสลับพลังงานขนาดเล็กแบบซิงโครนัสจุดโหลดความถี่สูงสำหรับเครือข่าย MB/NB/UMPC/VGA ระบบไฟฟ้า DC-DC, อุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์ในรถยนต์, ไฟ LED, เสียง, ผลิตภัณฑ์ดิจิทัล, เครื่องใช้ในครัวเรือนขนาดเล็ก, เครื่องใช้ไฟฟ้า, แผงป้องกัน
หมายเลขวัสดุที่เกี่ยวข้อง
AOS AO6804A,NXP PMDT290UNE,PANJIT PJS6816,Sinopower SM2630DSC,dintek DTS5440,DTS8205,DTS5440,DTS8205,RU8205C6.
พารามิเตอร์ที่สำคัญ
เครื่องหมาย | พารามิเตอร์ | เรตติ้ง | หน่วย |
วีดีเอส | แรงดันเดรน-ซอร์ส | 20 | V |
วีจีเอส | แรงดันไฟฟ้าระหว่างเกตและแหล่งกำเนิด | ±12 | V |
รหัส@Tc=25℃ | กระแสเดรนต่อเนื่อง, VGS @ 4.5V1 | 5.8 | A |
รหัส@Tc=70℃ | กระแสเดรนต่อเนื่อง, VGS @ 4.5V1 | 3.8 | A |
ไอดีเอ็ม | กระแสเดรนแบบพัลส์2 | 16 | A |
PD@TA=25℃ | การกระจายพลังงานทั้งหมด3 | 2.1 | W |
ทีเอสทีจี | ช่วงอุณหภูมิในการจัดเก็บ | -55 ถึง 150 | ℃ |
TJ | ช่วงอุณหภูมิทางแยกการทำงาน | -55 ถึง 150 | ℃ |
เครื่องหมาย | พารามิเตอร์ | เงื่อนไข | นาที. | ประเภท | สูงสุด | หน่วย |
บีวีดีเอสเอส | แรงดันพังทลายของท่อระบายน้ำและแหล่งกำเนิด | VGS=0V , ID=250uA | 20 | --- | --- | V |
△BVDSS/△TJ | BVDSS ค่าสัมประสิทธิ์อุณหภูมิ | อ้างอิงถึง 25 ℃, ID = 1mA | --- | 0.022 | --- | วี/℃ |
RDS(บน) | ความต้านทานต่อแหล่งเดรนแบบคงที่2 | VGS=4.5V , ID=5.5A | --- | 24 | 28 | mΩ |
VGS=2.5V , ID=3.5A | --- | 30 | 45 | |||
วีจีเอส(ท) | แรงดันไฟฟ้าเกณฑ์เกต | VGS=VDS , ID =250uA | 0.5 | 0.7 | 1.2 | V |
△VGS(ท) | VGS(th) ค่าสัมประสิทธิ์อุณหภูมิ | --- | -2.33 | --- | มิลลิโวลต์/℃ | |
ไอเอสเอส | กระแสไฟรั่วจากแหล่งระบายน้ำ | VDS=16V , VGS=0V , TJ=25℃ | --- | --- | 1 | uA |
VDS=16V , VGS=0V , TJ=55℃ | --- | --- | 5 | |||
ไอจีเอสเอส | กระแสไฟรั่วจากเกต-ซอร์ส | VGS=±12V , VDS=0V | --- | --- | ±100 | nA |
ส.ส | การส่งผ่านไปข้างหน้า | VDS=5V , ID=5A | --- | 25 | --- | S |
Rg | ความต้านทานประตู | VDS=0V , VGS=0V , f=1MHz | --- | 1.5 | 3 | Ω |
Qg | ค่าเกตรวม (4.5V) | VDS=10V , VGS=4.5V , ID=5.5A | --- | 8.3 | 11.9 | nC |
คิวส์ | ค่าธรรมเนียมเกต-ซอร์ส | --- | 1.4 | 2.0 | ||
คิวจีดี | ค่าธรรมเนียมประตู-ท่อระบายน้ำ | --- | 2.2 | 3.2 | ||
ทีดี(บน) | เวลาหน่วงเวลาเปิดเครื่อง | VDD=10V , VGEN=4.5V , RG=6Ω รหัส=5A, RL=10Ω | --- | 5.7 | 11.6 | ns |
Tr | เวลาที่เพิ่มขึ้น | --- | 34 | 63 | ||
Td(ปิด) | เวลาหน่วงเวลาปิดเครื่อง | --- | 22 | 46 | ||
Tf | เวลาฤดูใบไม้ร่วง | --- | 9.0 | 18.4 | ||
ซิส | ความจุอินพุต | VDS=10V , VGS=0V , f=1MHz | --- | 625 | 889 | pF |
คอส | ความจุเอาต์พุต | --- | 69 | 98 | ||
เครส | ความจุการถ่ายโอนย้อนกลับ | --- | 61 | 88 |