WST4041 P-Channel -40V -6A SOT-23-3L WINSOK MOSFET

สินค้า

WST4041 P-Channel -40V -6A SOT-23-3L WINSOK MOSFET

คำอธิบายสั้น ๆ :


  • หมายเลขรุ่น:WST4041
  • บีวีดีเอสเอส:-40V
  • RDSON:30mΩ
  • รหัส:-6A
  • ช่อง:พี-แชนเนล
  • บรรจุุภัณฑ์:SOT-23-3L
  • สินค้าซัมเมอร์:WST4041 MOSFET มีแรงดันไฟฟ้า -40V, กระแสไฟฟ้า -6A, ความต้านทาน 30mΩ, P-Channel และบรรจุภัณฑ์ SOT-23-3L
  • การใช้งาน:บุหรี่ไฟฟ้า ตัวควบคุม ผลิตภัณฑ์ดิจิทัล เครื่องใช้ไฟฟ้าขนาดเล็ก เครื่องใช้ไฟฟ้า
  • รายละเอียดสินค้า

    แอปพลิเคชัน

    แท็กสินค้า

    คำอธิบายทั่วไป

    WST4041 เป็น MOSFET P-channel อันทรงพลังที่ออกแบบมาเพื่อใช้ในตัวแปลงบั๊กแบบซิงโครนัส มีความหนาแน่นของเซลล์สูงซึ่งช่วยให้สามารถชาร์จ RDSON และเกตได้ดีเยี่ยม WST4041 เป็นไปตามข้อกำหนดสำหรับมาตรฐาน RoHS และมาตรฐานผลิตภัณฑ์ที่เป็นมิตรต่อสิ่งแวดล้อม และมาพร้อมกับการรับประกัน EAS 100% เพื่อประสิทธิภาพที่เชื่อถือได้

    คุณสมบัติ

    เทคโนโลยีร่องลึกขั้นสูงมีความหนาแน่นของเซลล์สูงและประจุเกตต่ำมาก ซึ่งช่วยลดผลกระทบของ CdV/dt ได้อย่างมาก อุปกรณ์ของเรามาพร้อมกับการรับประกัน EAS 100% และตัวเลือกที่เป็นมิตรต่อสิ่งแวดล้อม

    การใช้งาน

    ตัวแปลงบั๊กซิงโครนัสแบบจุดต่อโหลดความถี่สูง ระบบไฟฟ้า DC-DC แบบเครือข่าย สวิตช์โหลด บุหรี่ไฟฟ้า ตัวควบคุม อุปกรณ์ดิจิทัล เครื่องใช้ไฟฟ้าภายในบ้านขนาดเล็ก และอุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์สำหรับผู้บริโภค

    หมายเลขวัสดุที่เกี่ยวข้อง

    AOS AO3409 AOS3403 AOS3421 AOS3421E AO3401 AOS3401A,dintek DTS4501,ncepower NCE40P05Y,

    พารามิเตอร์ที่สำคัญ

    เครื่องหมาย พารามิเตอร์ เรตติ้ง หน่วย
    วีดีเอส แรงดันเดรน-ซอร์ส -40 V
    วีจีเอส แรงดันไฟฟ้าระหว่างเกตและแหล่งกำเนิด ±20 V
    รหัส@TC=25℃ กระแสเดรนต่อเนื่อง, VGS @ -10V1 -6.0 A
    รหัส@TC=100℃ กระแสเดรนต่อเนื่อง, VGS @ -10V1 -4.5 A
    ไอดีเอ็ม กระแสเดรนแบบพัลซ์2 -24 A
    อีเอเอส พลังงานถล่มพัลส์เดี่ยว3 12 mJ
    ไอเอเอส กระแสหิมะถล่ม -7 A
    PD@TC=25℃ การกระจายพลังงานทั้งหมด4 1.4 W
    ทีเอสทีจี ช่วงอุณหภูมิในการจัดเก็บ -55 ถึง 150
    TJ ช่วงอุณหภูมิทางแยกการทำงาน -55 ถึง 150
    เครื่องหมาย พารามิเตอร์ เงื่อนไข นาที. ประเภท สูงสุด หน่วย
    บีวีดีเอสเอส แรงดันพังทลายของท่อระบายน้ำและแหล่งกำเนิด VGS=0V , รหัส=-250uA -40 - - V
    △BVDSS/△TJ BVDSS ค่าสัมประสิทธิ์อุณหภูมิ อ้างอิงถึง 25 ℃, ID=-1mA - -0.03 - วี/℃
    RDS(บน) ความต้านทานต่อแหล่งเดรนแบบคงที่2 VGS=-10V , รหัส=-3A - 30 40
    VGS=-4.5V , รหัส=-1A - 40 58
    วีจีเอส(ท) แรงดันไฟฟ้าเกณฑ์ประตู VGS=VDS , ID =-250uA -0.8 -1.2 -2.2 V
    △VGS(ท) VGS(th) ค่าสัมประสิทธิ์อุณหภูมิ - 4.56 - มิลลิโวลต์/℃
    ไอเอสเอส กระแสไฟรั่วจากแหล่งระบายน้ำ VDS=-28V , VGS=0V , TJ=25℃ - - 1 uA
    VDS=-28V , VGS=0V , TJ=55℃ - - 5
    ไอจีเอสเอส กระแสไฟรั่วจากเกต-ซอร์ส VGS=±20V , VDS=0V - - ±100 nA
    ส.ส การส่งผ่านไปข้างหน้า VDS=-5V , ID=-3A - 15 - S
    Rg ความต้านทานประตู VDS=0V , VGS=0V , f=1MHz - 3.8 - Ω
    Qg ค่าเกตรวม (-4.5V) VDS=-18V , VGS=-10V , ID=-4A - 9.5 - nC
    คิวส์ ค่าธรรมเนียมเกต-ซอร์ส - 1.7 -
    คิวจีดี ค่าธรรมเนียมประตู-ท่อระบายน้ำ - 2.0 -
    ทีดี(บน) เวลาหน่วงเวลาเปิดเครื่อง วีดีดี=-15V , VGS=-10V ,

    RG=6Ω, รหัส=-1A , RL=15Ω

    - 8 - ns
    Tr เวลาที่เพิ่มขึ้น - 10 -
    Td(ปิด) เวลาหน่วงเวลาปิดเครื่อง - 18 -
    Tf เวลาฤดูใบไม้ร่วง - 8 -
    ซิส ความจุอินพุต VDS=-15V , VGS=0V , f=1MHz - 420 - pF
    คอส ความจุเอาต์พุต - 77 -
    เครส ความจุการถ่ายโอนย้อนกลับ - 55 -

  • ก่อนหน้า:
  • ต่อไป:

  • เขียนข้อความของคุณที่นี่แล้วส่งมาให้เรา