WST2088 N-แชนเนล 20V 8.8A SOT-23-3L WINSOK MOSFET

WST2088 N-channel 20V 8.8A SOT-23-3L WINSOK MOSFET ภาพเด่น

คำอธิบายสั้น ๆ :

หมายเลขรุ่น:WST2088

บีวีดีเอสเอส:20V

RDSON:8mΩ

รหัส:8.8A

ช่อง:N-ช่อง

บรรจุุภัณฑ์:SOT-23-3L

สินค้าซัมเมอร์:แรงดันไฟฟ้าของ WST2088 MOSFET คือ 20V กระแสคือ 8.8A ความต้านทานคือ 8mΩ ช่องคือ N-channel และแพ็คเกจคือ SOT-23-3L

การใช้งาน:บุหรี่ไฟฟ้า ตัวควบคุม อุปกรณ์ดิจิทัล เครื่องใช้ไฟฟ้าภายในบ้านขนาดเล็ก และอุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์สำหรับผู้บริโภค

ส่งอีเมลถึงเรา PDF

รายละเอียดสินค้า

แอปพลิเคชัน

แท็กสินค้า

คำอธิบายทั่วไป

WST2088 MOSFET เป็นทรานซิสเตอร์ N-channel ที่ทันสมัยที่สุดในตลาด พวกมันมีความหนาแน่นของเซลล์สูงอย่างไม่น่าเชื่อ ซึ่งส่งผลให้มีประจุ RDSON และเกตที่ดีเยี่ยม MOSFET เหล่านี้เหมาะอย่างยิ่งสำหรับการสลับกำลังไฟขนาดเล็กและการใช้งานสวิตช์โหลด เป็นไปตามข้อกำหนด RoHS และผลิตภัณฑ์ที่เป็นมิตรต่อสิ่งแวดล้อม และได้รับการทดสอบความน่าเชื่อถืออย่างสมบูรณ์

คุณสมบัติ

เทคโนโลยีร่องลึกขั้นสูงที่มีความหนาแน่นของเซลล์สูง ค่าเกตต่ำมาก และการลดเอฟเฟกต์ Cdv/dt ที่ยอดเยี่ยม ทำให้เป็นอุปกรณ์สีเขียว

การใช้งาน

การใช้งานด้านพลังงาน วงจรที่มีการฮาร์ดสวิตชิ่งและความถี่สูง อุปกรณ์จ่ายไฟอย่างต่อเนื่อง บุหรี่ไฟฟ้า ตัวควบคุม อุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์ เครื่องใช้ไฟฟ้าภายในบ้านขนาดเล็ก และอุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์สำหรับผู้บริโภค

หมายเลขวัสดุที่เกี่ยวข้อง

อ่าว AO3416, DINTEK DTS2300A DTS2318 DTS2314 DTS2316 DTS2322 DTS3214, ฯลฯ.

พารามิเตอร์ที่สำคัญ

เครื่องหมาย	พารามิเตอร์	เรตติ้ง	หน่วย
วีดีเอส	แรงดันเดรน-ซอร์ส	20	V
วีจีเอส	แรงดันไฟฟ้าระหว่างเกตและแหล่งกำเนิด	±12	V
รหัส@Tc=25℃	กระแสเดรนต่อเนื่อง, VGS @ 4.5V	8.8	A
รหัส@Tc=70℃	กระแสเดรนต่อเนื่อง, VGS @ 4.5V	6.2	A
ไอดีพี	กระแสไฟเดรนแบบพัลส์	40	A
พีดี@ตา=25℃	การกระจายพลังงานทั้งหมด	1.5	W
ทีเอสทีจี	ช่วงอุณหภูมิในการจัดเก็บ	-55 ถึง 150	℃
TJ	ช่วงอุณหภูมิทางแยกการทำงาน	-55 ถึง 150	℃

ลักษณะทางไฟฟ้า (TJ=25 ℃ เว้นแต่จะระบุไว้เป็นอย่างอื่น)

เครื่องหมาย	พารามิเตอร์	เงื่อนไข	นาที.	ประเภท	สูงสุด	หน่วย
บีวีดีเอสเอส	แรงดันพังทลายของท่อระบายน้ำและแหล่งกำเนิด	VGS=0V, ID=250uA	20	-	-	V
△BVDSS/△TJ	BVDSS ค่าสัมประสิทธิ์อุณหภูมิ	อ้างอิงถึง 25°C, ID=1mA	-	0.018	-	วี/℃
RDS(บน)	ความต้านทานต่อแหล่งเดรนแบบคงที่2	VGS=4.5V, ID=6A	-	8	13	mΩ
RDS(บน)	ความต้านทานต่อแหล่งเดรนแบบคงที่2	VGS=2.5V, ID=5A	-	10	19	mΩ
วีจีเอส(ท)	แรงดันไฟฟ้าเกณฑ์ประตู	VGS=VDS , ID =250uA	0.5	-	1.3	V
ไอเอสเอส	กระแสไฟรั่วจากแหล่งระบายน้ำ	VDS=16V , VGS=0V.	-	-	10	uA
ไอจีเอสเอส	กระแสไฟรั่วจากเกต-ซอร์ส	VGS=±12V , VDS=0V	-	-	±100	nA
Qg	ค่าธรรมเนียมประตูรวม	VDS=15V , VGS=4.5V , ID=6A	-	16	-	nC
คิวส์	ค่าธรรมเนียมเกต-ซอร์ส		-	3	-
คิวจีดี	ค่าธรรมเนียมประตู-ท่อระบายน้ำ		-	4.5	-
ทีดี(บน)	เวลาหน่วงเวลาเปิดเครื่อง	VDS=10V , VGS=4.5V ,RG=3.3Ω ID=1A	-	10	-	ns
Tr	เวลาที่เพิ่มขึ้น		-	13	-
Td(ปิด)	เวลาหน่วงเวลาปิดเครื่อง		-	28	-
Tf	เวลาฤดูใบไม้ร่วง		-	7	-
ซิส	ความจุอินพุต	VDS=15V , VGS=0V , f=1MHz	-	1400	-	pF
คอส	ความจุเอาต์พุต		-	170	-
เครส	ความจุการถ่ายโอนย้อนกลับ		-	135	-