WST2088 N-แชนเนล 20V 8.8A SOT-23-3L WINSOK MOSFET

WST2088 N-channel 20V 8.8A SOT-23-3L WINSOK MOSFET ภาพเด่น

คำอธิบายสั้น:

หมายเลขรุ่น:WST2088

บีวีดีเอสเอส:20V

RDSON:8mΩ

รหัส:8.8A

ช่อง:N-ช่อง

บรรจุุภัณฑ์:SOT-23-3L

สินค้าซัมเมอร์:แรงดันไฟฟ้าของ WST2088 MOSFET คือ 20V กระแสคือ 8.8A ความต้านทานคือ 8mΩ ช่องคือ N-channel และแพ็คเกจคือ SOT-23-3L

การใช้งาน:บุหรี่ไฟฟ้า ตัวควบคุม อุปกรณ์ดิจิทัล เครื่องใช้ไฟฟ้าภายในบ้านขนาดเล็ก และอุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์สำหรับผู้บริโภค

ส่งอีเมลถึงเรา ไฟล์ PDF

รายละเอียดผลิตภัณฑ์

แอปพลิเคชัน

แท็กสินค้า

คำอธิบายทั่วไป

WST2088 MOSFET เป็นทรานซิสเตอร์ N-channel ที่ทันสมัยที่สุดในตลาดพวกมันมีความหนาแน่นของเซลล์สูงอย่างไม่น่าเชื่อ ซึ่งส่งผลให้มี RDSON และประจุเกตที่ดีเยี่ยมMOSFET เหล่านี้เหมาะอย่างยิ่งสำหรับการสลับกำลังไฟขนาดเล็กและการใช้งานสวิตช์โหลดเป็นไปตามข้อกำหนด RoHS และผลิตภัณฑ์ที่เป็นมิตรต่อสิ่งแวดล้อม และได้รับการทดสอบความน่าเชื่อถืออย่างสมบูรณ์

คุณสมบัติ

เทคโนโลยีร่องลึกขั้นสูงที่มีความหนาแน่นของเซลล์สูง ค่าเกตต่ำมาก และการลดเอฟเฟกต์ Cdv/dt ที่ยอดเยี่ยม ทำให้เป็นอุปกรณ์สีเขียว

การใช้งาน

การใช้งานด้านพลังงาน วงจรที่มีการฮาร์ดสวิตชิ่งและความถี่สูง อุปกรณ์จ่ายไฟอย่างต่อเนื่อง บุหรี่ไฟฟ้า ตัวควบคุม อุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์ เครื่องใช้ไฟฟ้าภายในบ้านขนาดเล็ก และอุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์สำหรับผู้บริโภค

หมายเลขวัสดุที่เกี่ยวข้อง

อ่าว AO3416, DINTEK DTS2300A DTS2318 DTS2314 DTS2316 DTS2322 DTS3214, ฯลฯ.

พารามิเตอร์ที่สำคัญ

เครื่องหมาย	พารามิเตอร์	เรตติ้ง	หน่วย
วีดีเอส	แรงดันเดรน-ซอร์ส	20	V
วีจีเอส	แรงดันไฟฟ้าระหว่างเกตและแหล่งกำเนิด	±12	V
รหัส@Tc=25℃	กระแสเดรนต่อเนื่อง, VGS @ 4.5V	8.8	A
รหัส@Tc=70℃	กระแสเดรนต่อเนื่อง, VGS @ 4.5V	6.2	A
ไอดีพี	กระแสไฟเดรนแบบพัลส์	40	A
PD@TA=25℃	การกระจายพลังงานทั้งหมด	1.5	W
ทีเอสทีจี	ช่วงอุณหภูมิในการจัดเก็บ	-55 ถึง 150	℃
TJ	ช่วงอุณหภูมิทางแยกการทำงาน	-55 ถึง 150	℃

ลักษณะทางไฟฟ้า (TJ=25 ℃ เว้นแต่จะระบุไว้เป็นอย่างอื่น)

เครื่องหมาย	พารามิเตอร์	เงื่อนไข	นาที.	ประเภท	สูงสุด	หน่วย
บีวีดีเอสเอส	แรงดันพังทลายของท่อระบายน้ำและแหล่งกำเนิด	VGS=0V, ID=250uA	20	---	---	V
△BVDSS/△TJ	BVDSS ค่าสัมประสิทธิ์อุณหภูมิ	อ้างอิงถึง 25 ℃, ID = 1mA	---	0.018	---	วี/℃
RDS(บน)	ความต้านทานต่อแหล่งเดรนแบบคงที่2	VGS=4.5V, ID=6A	---	8	13	mΩ
RDS(บน)	ความต้านทานต่อแหล่งเดรนแบบคงที่2	VGS=2.5V, ID=5A	---	10	19	mΩ
วีจีเอส(ท)	แรงดันไฟฟ้าเกณฑ์เกต	VGS=VDS , ID =250uA	0.5	---	1.3	V
ไอเอสเอส	กระแสไฟรั่วจากแหล่งระบายน้ำ	VDS=16V , VGS=0V.	---	---	10	uA
ไอจีเอสเอส	กระแสไฟรั่วจากเกต-ซอร์ส	VGS=±12V , VDS=0V	---	---	±100	nA
Qg	ค่าธรรมเนียมประตูรวม	VDS=15V , VGS=4.5V , ID=6A	---	16	---	nC
คิวส์	ค่าธรรมเนียมเกต-ซอร์ส		---	3	---
คิวจีดี	ค่าธรรมเนียมประตู-ท่อระบายน้ำ		---	4.5	---
ทีดี(บน)	เวลาหน่วงเวลาเปิดเครื่อง	VDS=10V , VGS=4.5V ,RG=3.3Ω ID=1A	---	10	---	ns
Tr	เวลาที่เพิ่มขึ้น		---	13	---
Td(ปิด)	เวลาหน่วงเวลาปิดเครื่อง		---	28	---
Tf	เวลาฤดูใบไม้ร่วง		---	7	---
ซิส	ความจุอินพุต	VDS=15V , VGS=0V , f=1MHz	---	1400	---	pF
คอส	ความจุเอาต์พุต		---	170	---
เครส	ความจุการถ่ายโอนย้อนกลับ		---	135	---