WSP4088 N-channel 40V 11A SOP-8 WINSOK MOSFET

คำอธิบายสั้น:

หมายเลขรุ่น:WSP4088

บีวีดีเอสเอส:40V

RDSON:13mΩ

รหัส:11ก

ช่อง:N-ช่อง

บรรจุุภัณฑ์:สบ-8

สินค้าซัมเมอร์:แรงดันไฟฟ้าของ WSP4088 MOSFET คือ 40V กระแสคือ 11A ความต้านทานคือ 13mΩ ช่องคือ N-channel และแพ็คเกจคือ SOP-8

การใช้งาน:บุหรี่ไฟฟ้า การชาร์จแบบไร้สาย มอเตอร์ โดรน การแพทย์ การชาร์จในรถยนต์ ตัวควบคุม ผลิตภัณฑ์ดิจิทัล เครื่องใช้ในครัวเรือนขนาดเล็ก เครื่องใช้ไฟฟ้า ฯลฯ

ส่งอีเมลถึงเรา ไฟล์ PDF

รายละเอียดผลิตภัณฑ์

แอปพลิเคชัน

แท็กสินค้า

คำอธิบายทั่วไป

WSP4088 เป็น MOSFET แบบ N-channel แบบร่องลึกที่มีประสิทธิภาพสูงสุด โดยมีความหนาแน่นของเซลล์สูงมาก ให้ RDSON และค่าเกตที่ยอดเยี่ยมสำหรับแอปพลิเคชันตัวแปลงบั๊กแบบซิงโครนัสส่วนใหญ่WSP4088 เป็นไปตามข้อกำหนด RoHS และผลิตภัณฑ์ที่เป็นมิตรต่อสิ่งแวดล้อม รับประกัน EAS 100% อนุมัติความน่าเชื่อถือทุกฟังก์ชัน

คุณสมบัติ

มีอุปกรณ์ที่เชื่อถือได้และทนทาน ไร้สารตะกั่ว และเป็นมิตรต่อสิ่งแวดล้อม

การใช้งาน

การจัดการพลังงานในคอมพิวเตอร์เดสก์ท็อปหรือตัวแปลง DC/DC, บุหรี่ไฟฟ้า, การชาร์จแบบไร้สาย, มอเตอร์, โดรน, การแพทย์, การชาร์จในรถยนต์, ตัวควบคุม, ผลิตภัณฑ์ดิจิทัล, เครื่องใช้ในครัวเรือนขนาดเล็ก, เครื่องใช้ไฟฟ้า ฯลฯ

หมายเลขวัสดุที่เกี่ยวข้อง

AO AO4884 AO4882,บน FDS4672A,PANJIT PJL9424,DINTEK DTM4916 ฯลฯ

พารามิเตอร์ที่สำคัญ

การให้คะแนนสูงสุดสัมบูรณ์ (TA = 25 C เว้นแต่จะระบุไว้เป็นอย่างอื่น)

เครื่องหมาย	พารามิเตอร์		เรตติ้ง	หน่วย
การให้คะแนนทั่วไป
วีดีเอสเอส	แรงดันเดรน-ซอร์ส		40	V
วีจีเอสเอส	แรงดันไฟฟ้าระหว่างเกตและแหล่งกำเนิด		±20	V
TJ	อุณหภูมิทางแยกสูงสุด		150	องศาเซลเซียส
ทีเอสทีจี	ช่วงอุณหภูมิในการจัดเก็บ		-55 ถึง 150	องศาเซลเซียส
IS	กระแสไฟไปข้างหน้าอย่างต่อเนื่องของไดโอด	ทีเอ=25°ซ	2	A
ID	กระแสไฟไหลต่อเนื่อง	ทีเอ=25°ซ	11	A
ID	กระแสไฟไหลต่อเนื่อง	ทีเอ=70°ซ	8.4
IDM ก	กระแสไฟเดรนแบบพัลส์	ทีเอ=25°ซ	30
PD	การกระจายพลังงานสูงสุด	ทีเอ=25°ซ	2.08	W
PD	การกระจายพลังงานสูงสุด	ทีเอ=70°ซ	1.3	W
RqJA	ความต้านทานความร้อน-ทางแยกสู่สิ่งแวดล้อม	t £ 10s	30	องศาเซลเซียส/วัตต์
RqJA	ความต้านทานความร้อน-ทางแยกสู่สิ่งแวดล้อม	รัฐคงตัว	60
RqJL	ความต้านทานความร้อน-ทางแยกสู่ตะกั่ว	รัฐคงตัว	20
ไอเอเอส ข	กระแสหิมะถล่ม, พัลส์เดี่ยว	L=0.1mH	23	A
อีสบี	พลังงานถล่ม พัลส์เดี่ยว	L=0.1mH	26	mJ

หมายเหตุก:สูงสุดกระแสไฟถูกจำกัดด้วยลวดเชื่อม
หมายเหตุ ข:ทดสอบ UIS และความกว้างพัลส์ถูกจำกัดโดยอุณหภูมิจุดเชื่อมต่อสูงสุด 150oC (อุณหภูมิเริ่มต้น Tj=25oC)

ลักษณะทางไฟฟ้า (TA = 25 C เว้นแต่จะระบุไว้เป็นอย่างอื่น)

เครื่องหมาย	พารามิเตอร์	เงื่อนไขการทดสอบ		นาที.	ประเภท	สูงสุด	หน่วย
ลักษณะคงที่
บีวีดีเอสเอส	แรงดันพังทลายของท่อระบายน้ำและแหล่งกำเนิด	VGS=0V, IDS=250mA		40	-	-	V
ไอเอสเอส	กระแสไฟเดรนแรงดันเป็นศูนย์เกต	VDS=32V, VGS=0V		-	-	1	mA
ไอเอสเอส	กระแสไฟเดรนแรงดันเป็นศูนย์เกต		ทีเจ=85°ซ	-	-	30	mA
วีจีเอส(ท)	แรงดันไฟฟ้าเกณฑ์เกต	VDS=VGS, IDS=250mA		1.5	1.8	2.5	V
ไอจีเอสเอส	กระแสไฟรั่วของประตู	VGS=±20V, VDS=0V		-	-	±100	nA
RDS(ON)ค	ความต้านทานต่อท่อระบายน้ำในสถานะ	VGS=10V, IDS=7A		-	10.5	13	mW
			ทีเจ=125°ซ	-	15.75	-
		VGS=4.5V, IDS=5A		-	12	16
สศค	การส่งผ่านไปข้างหน้า	วีดีเอส=5V, ไอดีเอส=15A		-	31	-	S
ลักษณะของไดโอด
วีเอสดีค	แรงดันไปข้างหน้าของไดโอด	ISD=10A, VGS=0V		-	0.9	1.1	V
ทีอาร์	เวลาการกู้คืนย้อนกลับ	VDD=20V,ISD=10A, dlSD/dt=100A/ms		-	15.2	-	ns
ta	เวลาชาร์จ			-	9.4	-
tb	เวลาคายประจุ			-	5.8	-
คิวอาร์	ค่าธรรมเนียมการกู้คืนย้อนกลับ			-	9.5	-	nC
ลักษณะไดนามิกd
RG	ความต้านทานประตู	VGS=0V,VDS=0V,F=1MHz		0.7	1.1	1.8	W
ซิส	ความจุอินพุต	VGS = 0V, VDS = 20V, ความถี่ = 1.0MHz		-	1125	-	pF
คอส	ความจุเอาต์พุต			-	132	-
เครส	ความจุการถ่ายโอนย้อนกลับ			-	70	-
ทีดี(เปิด)	เวลาหน่วงเวลาเปิดเครื่อง	VDD=20V, RL=20W,IDS=1A, VGEN=10V, RG=1W		-	12.6	-	ns
tr	เปิดเวลาเพิ่มขึ้น			-	10	-
td(ปิด)	เวลาหน่วงเวลาปิด			-	23.6	-
tf	ปิดเวลาฤดูใบไม้ร่วง			-	6	-
ลักษณะค่าธรรมเนียมเกต
Qg	ค่าธรรมเนียมประตูรวม	VDS=20V, VGS=4.5V, IDS=7A		-	9.4	-	nC
Qg	ค่าธรรมเนียมประตูรวม	VDS=20V, VGS=10V, IDS=7A		-	20	28
Qgth	ค่าธรรมเนียมประตูเกณฑ์			-	2	-
คิวส์	ค่าธรรมเนียมเกต-ซอร์ส			-	3.9	-
คิวจีดี	ค่าธรรมเนียมประตู-ท่อระบายน้ำ			-	3	-