WSF4022 Dual N-Channel 40V 20A TO-252-4L WINSOK MOSFET

สินค้า

WSF4022 Dual N-Channel 40V 20A TO-252-4L WINSOK MOSFET

คำอธิบายสั้น ๆ :


  • หมายเลขรุ่น:WSF4022
  • บีวีดีเอสเอส:40V
  • RDSON:21mΩ
  • รหัส:20เอ
  • ช่อง:ช่อง N คู่
  • บรรจุุภัณฑ์:TO-252-4L
  • สินค้าซัมเมอร์:แรงดันไฟฟ้าของ WSF30150 MOSFET คือ 40V กระแสคือ 20A ความต้านทาน 21mΩ ช่องสัญญาณเป็น Dual N-Channel และแพ็คเกจเป็น TO-252-4L
  • การใช้งาน:บุหรี่ไฟฟ้า การชาร์จแบบไร้สาย มอเตอร์ อุปกรณ์จ่ายไฟฉุกเฉิน โดรน บริการทางการแพทย์ ที่ชาร์จในรถยนต์ ตัวควบคุม ผลิตภัณฑ์ดิจิทัล เครื่องใช้ในครัวเรือนขนาดเล็ก เครื่องใช้ไฟฟ้า
  • รายละเอียดสินค้า

    แอปพลิเคชัน

    แท็กสินค้า

    คำอธิบายทั่วไป

    WSF4022 เป็น MOSFET แบบ Dual N-Ch ประสิทธิภาพสูงที่มีความหนาแน่นของเซลล์สูงมาก ซึ่งให้ RDSON และค่าเกตที่ยอดเยี่ยมสำหรับแอปพลิเคชันตัวแปลงบั๊กแบบซิงโครนัสส่วนใหญ่ WSF4022 ตรงตามข้อกำหนด RoHS และผลิตภัณฑ์ที่เป็นมิตรต่อสิ่งแวดล้อม รับประกัน EAS 100% พร้อมฟังก์ชันเต็มรูปแบบ ความน่าเชื่อถือได้รับการอนุมัติ

    คุณสมบัติ

    สำหรับพัดลม H-Bridge ตัวควบคุมมอเตอร์ การปรับแบบซิงโครนัส บุหรี่ไฟฟ้า การชาร์จแบบไร้สาย มอเตอร์ อุปกรณ์จ่ายไฟฉุกเฉิน โดรน บริการทางการแพทย์ ที่ชาร์จในรถยนต์ ตัวควบคุม ผลิตภัณฑ์ดิจิทัล เครื่องใช้ในครัวเรือนขนาดเล็ก เครื่องใช้ไฟฟ้า

    การใช้งาน

    สำหรับพัดลม H-Bridge ตัวควบคุมมอเตอร์ การปรับแบบซิงโครนัส บุหรี่ไฟฟ้า การชาร์จแบบไร้สาย มอเตอร์ อุปกรณ์จ่ายไฟฉุกเฉิน โดรน บริการทางการแพทย์ ที่ชาร์จในรถยนต์ ตัวควบคุม ผลิตภัณฑ์ดิจิทัล เครื่องใช้ในครัวเรือนขนาดเล็ก เครื่องใช้ไฟฟ้า

    หมายเลขวัสดุที่เกี่ยวข้อง

    เอโอเอส

    พารามิเตอร์ที่สำคัญ

    เครื่องหมาย พารามิเตอร์   เรตติ้ง หน่วย
    วีดีเอส แรงดันเดรน-ซอร์ส   40 V
    วีจีเอส แรงดันไฟฟ้าระหว่างเกตและแหล่งกำเนิด   ±20 V
    ID กระแสไฟเดรน (ต่อเนื่อง) *AC ทีซี=25°ซ 20* A
    ID กระแสไฟเดรน (ต่อเนื่อง) *AC ทีซี=100°ซ 20* A
    ID กระแสไฟเดรน (ต่อเนื่อง) *AC ทีเอ=25°ซ 12.2 A
    ID กระแสไฟเดรน (ต่อเนื่อง) *AC ทีเอ=70°ซ 10.2 A
    ไอดีมา กระแสไฟเดรนแบบพัลส์ ทีซี=25°ซ 80* A
    EASข พลังงานถล่มพัลส์เดี่ยว L=0.5mH 25 mJ
    ไอเอเอส ข กระแสหิมะถล่ม L=0.5mH 17.8 A
    PD การกระจายพลังงานสูงสุด ทีซี=25°ซ 39.4 W
    PD การกระจายพลังงานสูงสุด ทีซี=100°ซ 19.7 W
    PD การกระจายพลังงาน ทีเอ=25°ซ 6.4 W
    PD การกระจายพลังงาน ทีเอ=70°ซ 4.2 W
    TJ ช่วงอุณหภูมิทางแยกการทำงาน   175
    ทีเอสทีจี อุณหภูมิในการทำงาน / อุณหภูมิในการเก็บรักษา   -55~175
    รθJAข ชุมทางต้านทานความร้อน-โดยรอบ รัฐคงตัวค 60 ℃/วัตต์
    อาร์θเจซี ชุมทางต้านทานความร้อนกับเคส   3.8 ℃/วัตต์
    เครื่องหมาย พารามิเตอร์ เงื่อนไข นาที. ประเภท สูงสุด หน่วย
    คงที่      
    วี(BR)ดีเอสเอส แรงดันพังทลายของท่อระบายน้ำและแหล่งกำเนิด VGS = 0V, รหัส = 250μA 40     V
    ไอเอสเอส กระแสไฟเดรนแรงดันเป็นศูนย์เกต วีดีเอส = 32V, วีจีเอส = 0V     1 มคเอ
    ไอเอสเอส กระแสไฟเดรนแรงดันเป็นศูนย์เกต VDS = 32V, VGS = 0V, TJ=85°C     30 มคเอ
    ไอจีเอสเอส กระแสไฟรั่วของประตู วีจีเอส = ±20V, วีดีเอส = 0V     ±100 nA
    วีจีเอส(ท) แรงดันไฟฟ้าเกณฑ์ประตู VGS = VDS, IDS = 250µA 1.1 1.6 2.5 V
    RDS(บน)ง ความต้านทานต่อท่อระบายน้ำในสถานะ VGS = 10V, ไอดี = 10A   16 21
    วีจีเอส = 4.5V, ไอดี = 5A   18 25
    ประตูค่าธรรมเนียม      
    Qg ค่าธรรมเนียมประตูรวม VDS=20V,VGS=4.5V, ID=10A   7.5   nC
    คิวส์ ค่าธรรมเนียมเกต-ซอร์ส   3.24   nC
    คิวจีดี ค่าธรรมเนียมประตู-ท่อระบายน้ำ   2.75   nC
    ไดนามิก      
    ซิส ความจุอินพุต VGS=0V, VDS=20V, f=1MHz   815   pF
    คอส ความจุเอาต์พุต   95   pF
    เครส ความจุการถ่ายโอนย้อนกลับ   60   pF
    ทีดี (เปิด) เวลาหน่วงเวลาเปิดเครื่อง VDD=20V, VGEN=10V,

    IDS=1A,RG=6Ω,RL=20Ω

      7.8   ns
    tr เปิดเวลาเพิ่มขึ้น   6.9   ns
    td(ปิด) เวลาหน่วงเวลาปิด   22.4   ns
    tf ปิดเวลาฤดูใบไม้ร่วง   4.8   ns
    ไดโอด      
    VSDd แรงดันไปข้างหน้าของไดโอด ISD=1A, VGS=0V   0.75 1.1 V
    ทีอาร์ ความจุอินพุต IDS=10A, dlSD/dt=100A/µs   13   ns
    คิวอาร์ ความจุเอาต์พุต   8.7   nC

  • ก่อนหน้า:
  • ต่อไป:

  • เขียนข้อความของคุณที่นี่แล้วส่งมาให้เรา