WSD80100DN56 N-ช่อง 80V 100A DFN5X6-8 WINSOK MOSFET
ภาพรวมผลิตภัณฑ์ WINSOK MOSFET
แรงดันไฟฟ้าของ WSD80100DN56 MOSFET คือ 80V กระแสคือ 100A ความต้านทานคือ 6.1mΩ ช่องคือ N-channel และแพ็คเกจคือ DFN5X6-8
พื้นที่การใช้งาน WINSOK MOSFET
Drones MOSFET, มอเตอร์ MOSFET, อิเล็กทรอนิกส์ยานยนต์ MOSFET, เครื่องใช้ไฟฟ้าหลัก MOSFET
WINSOK MOSFET สอดคล้องกับหมายเลขวัสดุของแบรนด์อื่นๆ
AOS MOSFET AON6276,AONS62814T.STไมโครอิเล็กทรอนิกส์ MOSFET STL1N8F7.POTENS เซมิคอนดักเตอร์ MOSFET PDC7966X.
พารามิเตอร์มอสเฟต
เครื่องหมาย | พารามิเตอร์ | เรตติ้ง | หน่วย |
วีดีเอส | แรงดันเดรน-ซอร์ส | 80 | V |
วีจีเอส | เกท-ซูrแรงดันไฟฟ้า | ±20 | V |
TJ | อุณหภูมิทางแยกสูงสุด | 150 | องศาเซลเซียส |
ID | ช่วงอุณหภูมิในการจัดเก็บ | -55 ถึง 150 | องศาเซลเซียส |
ID | กระแสไฟเดรนต่อเนื่อง, VGS=10V,ทีC=25°ซ | 100 | A |
กระแสไฟเดรนต่อเนื่อง, VGS=10V,ทีC=100°ซ | 80 | A | |
ไอดีเอ็ม | กระแสไฟเดรนแบบพัลซิ่ง,TC=25°ซ | 380 | A |
PD | การกระจายพลังงานสูงสุด,TC=25°ซ | 200 | W |
RqJC | ความต้านทานความร้อน-ทางแยกไปยังเคส | 0.8 | องศาเซลเซียส |
EAS | พลังงานถล่ม, พัลส์เดี่ยว, L=0.5mH | 800 | mJ |
เครื่องหมาย | พารามิเตอร์ | เงื่อนไข | นาที. | ประเภท | สูงสุด | หน่วย |
BVดีเอสเอส | แรงดันพังทลายของท่อระบายน้ำและแหล่งกำเนิด | VGS=0V ฉันD=250uA | 80 | --- | --- | V |
△BVDSS/△TJ | BVดีเอสเอสค่าสัมประสิทธิ์อุณหภูมิ | อ้างอิงถึง 25℃, ฉันD=1mA | --- | 0.043 | --- | V/℃ |
RDS(บน) | ความต้านทานต่อแหล่งเดรนแบบคงที่2 | VGS=10V, ไอD=40เอ | --- | 6.1 | 8.5 | mΩ |
วีจีเอส(ท) | แรงดันไฟฟ้าเกณฑ์เกต | VGS=VDS, ฉันD=250uA | 2.0 | 3.0 | 4.0 | V |
△Vจีเอส(ท) | Vจีเอส(ท)ค่าสัมประสิทธิ์อุณหภูมิ | --- | -6.94 | --- | เอ็มวี/℃ | |
ไอเอสเอส | กระแสไฟรั่วจากแหล่งระบายน้ำ | VDS=48V ,VGS=0V , ตJ=25℃ | --- | --- | 2 | uA |
VDS=48V ,VGS=0V , ตJ=55℃ | --- | --- | 10 | |||
ไอจีเอสเอส | กระแสไฟรั่วจากเกต-ซอร์ส | VGS=±20V ,VDS=0V | --- | --- | ±100 | nA |
ส.ส | การส่งผ่านไปข้างหน้า | VDS=5V ฉันD=20เอ | 80 | --- | --- | S |
Qg | ค่าเกตรวม (10V) | VDS=30V ,VGS=10V, ไอD=30เอ | --- | 125 | --- | nC |
Qgs | ค่าธรรมเนียมเกต-ซอร์ส | --- | 24 | --- | ||
Qgd | ค่าธรรมเนียมประตู-ท่อระบายน้ำ | --- | 30 | --- | ||
ทีดี(บน) | เวลาหน่วงเวลาเปิดเครื่อง | VDD=30V ,VGS=10V , RG=2.5Ω, ฉันD=2A ,RL=15Ω. | --- | 20 | --- | ns |
Tr | เวลาที่เพิ่มขึ้น | --- | 19 | --- | ||
Td(ปิด) | เวลาหน่วงเวลาปิดเครื่อง | --- | 70 | --- | ||
Tf | เวลาฤดูใบไม้ร่วง | --- | 30 | --- | ||
Ciss | ความจุอินพุต | VDS=25V ,VGS=0V , f=1MHz | --- | 4900 | --- | pF |
คอส | ความจุเอาต์พุต | --- | 410 | --- | ||
CRSS | ความจุการถ่ายโอนย้อนกลับ | --- | 315 | --- |