WSD4076DN56 N-ช่อง 40V 76A DFN5X6-8 WINSOK MOSFET

สินค้า

WSD4076DN56 N-ช่อง 40V 76A DFN5X6-8 WINSOK MOSFET

คำอธิบายสั้น ๆ :

หมายเลขชิ้นส่วน:WSD4076DN56

บีวีดีเอสเอส:40V

รหัส:76เอ

อาร์ดีสัน:6.9mΩ 

ช่อง:N-ช่อง

บรรจุุภัณฑ์:DFN5X6-8


รายละเอียดสินค้า

แอปพลิเคชัน

แท็กสินค้า

ภาพรวมผลิตภัณฑ์ WINSOK MOSFET

แรงดันไฟฟ้าของ WSD4076DN56 MOSFET คือ 40V กระแสคือ 76A ความต้านทานคือ 6.9mΩ ช่องคือ N-channel และแพ็คเกจคือ DFN5X6-8

พื้นที่การใช้งาน WINSOK MOSFET

เครื่องใช้ไฟฟ้าขนาดเล็ก MOSFET, อุปกรณ์พกพา MOSFET, มอเตอร์ MOSFET

WINSOK MOSFET สอดคล้องกับหมายเลขวัสดุของแบรนด์อื่นๆ

STไมโครอิเล็กทรอนิกส์ MOSFET STL52DN4LF7AG,STL64DN4F7AG,STL64N4F7AG.

ปัญจิต มอสเฟต PJQ5442.

โพเทนส์ เซมิคอนดักเตอร์ MOSFET PDC496X.

พารามิเตอร์มอสเฟต

เครื่องหมาย

พารามิเตอร์

เรตติ้ง

หน่วย

วีดีเอส

แรงดันเดรน-ซอร์ส

40

V

วีจีเอส

เกท-ซูrแรงดันไฟฟ้า

±20

V

ID@TC=25

กระแสไฟเดรนต่อเนื่อง, VGS@ 10V

76

A

ID@TC=100

กระแสไฟเดรนต่อเนื่อง, VGS@ 10V

33

A

ไอดีเอ็ม

กระแสไฟเดรนแบบพัลส์a

125

A

อีเอเอส

พลังงานถล่มพัลส์เดี่ยวb

31

mJ

ไอเอเอส

กระแสหิมะถล่ม

31

A

PD@Ta=25

การกระจายพลังงานทั้งหมด

1.7

W

ทีเอสทีจี

ช่วงอุณหภูมิในการจัดเก็บ

-55 ถึง 150

TJ

ช่วงอุณหภูมิทางแยกการทำงาน

-55 ถึง 150

 

เครื่องหมาย

พารามิเตอร์

เงื่อนไข

นาที.

ประเภท

สูงสุด

หน่วย

BVดีเอสเอส

แรงดันพังทลายของท่อระบายน้ำและแหล่งกำเนิด VGS=0V ฉันD=250uA

40

-

-

V

BVDSS/△TJ

BVดีเอสเอสค่าสัมประสิทธิ์อุณหภูมิ อ้างอิงถึง 25, ฉันD=1mA

-

0.043

-

V/

RDS(บน)

ความต้านทานต่อแหล่งเดรนแบบคงที่2 VGS=10V, ไอD=12เอ

-

6.9

8.5

mΩ

RDS(บน)

ความต้านทานต่อแหล่งเดรนแบบคงที่2 VGS=4.5V , ไอD=10เอ

-

10

15

วีจีเอส(ท)

แรงดันไฟฟ้าเกณฑ์ประตู VGS=VDS, ฉันD=250uA

1.5

1.6

2.5

V

วีจีเอส(ท)

Vจีเอส(ท)ค่าสัมประสิทธิ์อุณหภูมิ

-

-6.94

-

เอ็มวี/

ไอเอสเอส

กระแสไฟรั่วจากแหล่งระบายน้ำ VDS=32V ,VGS=0V , ตJ=25

-

-

2

uA

VDS=32V ,VGS=0V , ตJ=55

-

-

10

ไอจีเอสเอส

กระแสไฟรั่วจากเกต-ซอร์ส VGS=±20V ,VDS=0V

-

-

±100

nA

ส.ส

การส่งผ่านไปข้างหน้า VDS=5V ฉันD=20เอ

-

18

-

S

Rg

ความต้านทานประตู VDS=0V ,VGS=0V , f=1MHz

-

1.7

-

Ω

Qg

ค่าเกตรวม (10V) VDS=20V ,VGS=4.5V ผมD=12เอ

-

5.8

-

nC

Qgs

ค่าธรรมเนียมเกต-ซอร์ส

-

3.0

-

Qgd

ค่าธรรมเนียมประตู-ท่อระบายน้ำ

-

1.2

-

ทีดี(บน)

เวลาหน่วงเวลาเปิดเครื่อง VDD=15V ,Vเจน=10V , อาร์G=3.3Ω, ฉันD=1เอ .

-

12

-

ns

Tr

เวลาที่เพิ่มขึ้น

-

5.6

-

Td(ปิด)

เวลาหน่วงเวลาปิดเครื่อง

-

20

-

Tf

เวลาฤดูใบไม้ร่วง

-

11

-

Ciss

ความจุอินพุต VDS=15V ,VGS=0V , f=1MHz

-

680

-

pF

คอส

ความจุเอาต์พุต

-

185

-

CRSS

ความจุการถ่ายโอนย้อนกลับ

-

38

-


  • ก่อนหน้า:
  • ต่อไป:

  • เขียนข้อความของคุณที่นี่แล้วส่งมาให้เรา