WSD40120DN56 N-ช่อง 40V 120A DFN5X6-8 WINSOK MOSFET
ภาพรวมผลิตภัณฑ์ WINSOK MOSFET
แรงดันไฟฟ้าของ WSD40120DN56 MOSFET คือ 40V กระแสคือ 120A ความต้านทาน 1.85mΩ ช่องคือ N-channel และแพ็คเกจคือ DFN5X6-8
พื้นที่การใช้งาน WINSOK MOSFET
MOSFET บุหรี่ไฟฟ้า, MOSFET ชาร์จไร้สาย, MOSFET โดรน, MOSFET การดูแลทางการแพทย์, MOSFET ที่ชาร์จในรถยนต์, MOSFET ตัวควบคุม, MOSFET ผลิตภัณฑ์ดิจิทัล, MOSFET เครื่องใช้ในครัวเรือนขนาดเล็ก, MOSFET เครื่องใช้ไฟฟ้า
WINSOK MOSFET สอดคล้องกับหมายเลขวัสดุของแบรนด์อื่นๆ
AOS MOSFET AON6234,AON6232,AON623.Onsemi,FAIRCHILD MOSFET NVMFS5C442NL.VISHAY MOSFET SiRA52ADP,SiJA52ADP.STMicroelectronics MOSFET STL12N4LF6AG.NXP MOSFET PH484S.TOSHIBA MOSFET TPH1R14PB.PANJIT MOSFET PJQ544 .NIKO-SEM MOSFET PKCSBB.POTENS เซมิคอนดักเตอร์ MOSFET PDC496X.
พารามิเตอร์มอสเฟต
| เครื่องหมาย | พารามิเตอร์ | เรตติ้ง | หน่วย |
| วีดีเอส | แรงดันเดรน-ซอร์ส | 40 | V |
| วีจีเอส | เกท-ซูrแรงดันไฟฟ้า | ±20 | V |
| ID@TC=25℃ | กระแสไฟเดรนต่อเนื่อง, VGS@ 10V1,7 | 120 | A |
| ID@TC=100℃ | กระแสไฟเดรนต่อเนื่อง, VGS@ 10V1,7 | 100 | A |
| ไอดีเอ็ม | กระแสไฟเดรนแบบพัลส์2 | 400 | A |
| อีเอเอส | พลังงานถล่มพัลส์เดี่ยว3 | 240 | mJ |
| ไอเอเอส | กระแสหิมะถล่ม | 31 | A |
| PD@TC=25℃ | การกระจายพลังงานทั้งหมด4 | 104 | W |
| ทีเอสทีจี | ช่วงอุณหภูมิในการจัดเก็บ | -55 ถึง 150 | ℃ |
| TJ | ช่วงอุณหภูมิทางแยกการทำงาน | -55 ถึง 150 | ℃ |
| เครื่องหมาย | พารามิเตอร์ | เงื่อนไข | นาที. | ประเภท | สูงสุด | หน่วย |
| BVดีเอสเอส | แรงดันพังทลายของท่อระบายน้ำและแหล่งกำเนิด | VGS=0V ฉันD=250uA | 40 | --- | --- | V |
| △BVDSS/△TJ | BVดีเอสเอสค่าสัมประสิทธิ์อุณหภูมิ | อ้างอิงถึง 25℃, ฉันD=1mA | --- | 0.043 | --- | V/℃ |
| RDS(บน) | ความต้านทานต่อแหล่งเดรนแบบคงที่2 | VGS=10V, ไอD=30เอ | --- | 1.85 | 2.4 | mΩ |
| RDS(บน) | ความต้านทานต่อแหล่งเดรนแบบคงที่2 | VGS=4.5V , ไอD=20เอ | --- | 2.5 | 3.3 | mΩ |
| วีจีเอส(ท) | แรงดันไฟฟ้าเกณฑ์เกต | VGS=VDS, ฉันD=250uA | 1.5 | 1.8 | 2.5 | V |
| △Vจีเอส(ท) | Vจีเอส(ท)ค่าสัมประสิทธิ์อุณหภูมิ | --- | -6.94 | --- | เอ็มวี/℃ | |
| ไอเอสเอส | กระแสไฟรั่วจากแหล่งระบายน้ำ | VDS=32V ,VGS=0V , ตJ=25℃ | --- | --- | 2 | uA |
| VDS=32V ,VGS=0V , ตJ=55℃ | --- | --- | 10 | |||
| ไอจีเอสเอส | กระแสไฟรั่วจากเกต-ซอร์ส | VGS=±20V ,VDS=0V | --- | --- | ±100 | nA |
| ส.ส | การส่งผ่านไปข้างหน้า | VDS=5V ฉันD=20เอ | --- | 55 | --- | S |
| Rg | ความต้านทานประตู | VDS=0V ,VGS=0V , f=1MHz | --- | 1.1 | 2 | Ω |
| Qg | ค่าเกตรวม (10V) | VDS=20V ,VGS=10V, ไอD=10เอ | --- | 76 | 91 | nC |
| Qgs | ค่าธรรมเนียมเกต-ซอร์ส | --- | 12 | 14.4 | ||
| Qgd | ค่าธรรมเนียมประตู-ท่อระบายน้ำ | --- | 15.5 | 18.6 | ||
| ทีดี(บน) | เวลาหน่วงเวลาเปิดเครื่อง | VDD=30V ,Vเจน=10V , อาร์G=1Ω, ฉันD=1A ,RL=15Ω. | --- | 20 | 24 | ns |
| Tr | เวลาที่เพิ่มขึ้น | --- | 10 | 12 | ||
| Td(ปิด) | เวลาหน่วงเวลาปิดเครื่อง | --- | 58 | 69 | ||
| Tf | เวลาฤดูใบไม้ร่วง | --- | 34 | 40 | ||
| Ciss | ความจุอินพุต | VDS=20V ,VGS=0V , f=1MHz | --- | 4350 | --- | pF |
| คอส | ความจุเอาต์พุต | --- | 690 | --- | ||
| CRSS | ความจุการถ่ายโอนย้อนกลับ | --- | 370 | --- |
