WSD3023DN56 N-Ch และ P-Channel 30V/-30V 14A/-12A DFN5*6-8 WINSOK MOSFET
คำอธิบายทั่วไป
WSD3023DN56 เป็น MOSFET แบบ N-ch และ P-ch แบบร่องลึกที่มีประสิทธิภาพสูงสุด โดยมีความหนาแน่นของเซลล์สูงมาก ซึ่งให้ RDSON และการชาร์จเกตที่ยอดเยี่ยมสำหรับแอปพลิเคชันตัวแปลงบั๊กแบบซิงโครนัสส่วนใหญ่WSD3023DN56 เป็นไปตามข้อกำหนด RoHS และผลิตภัณฑ์ที่เป็นมิตรต่อสิ่งแวดล้อม รับประกัน EAS 100% พร้อมการอนุมัติความน่าเชื่อถือของฟังก์ชันเต็มรูปแบบ
คุณสมบัติ
เทคโนโลยีร่องลึกความหนาแน่นของเซลล์ขั้นสูงขั้นสูง การชาร์จเกตต่ำเป็นพิเศษ การลดเอฟเฟกต์ CdV/dt ที่ยอดเยี่ยม รับประกัน EAS 100% มีอุปกรณ์สีเขียวให้เลือก
การใช้งาน
ตัวแปลงบั๊กแบบซิงโครนัสแบบจุดโหลดความถี่สูงสำหรับ MB/NB/UMPC/VGA, ระบบไฟฟ้า DC-DC แบบเครือข่าย, อินเวอร์เตอร์ไฟหลัง CCFL, โดรน, มอเตอร์, อิเล็กทรอนิกส์ยานยนต์, เครื่องใช้ไฟฟ้าที่สำคัญ
หมายเลขวัสดุที่เกี่ยวข้อง
ปัญจิต PJQ5606
พารามิเตอร์ที่สำคัญ
เครื่องหมาย | พารามิเตอร์ | เรตติ้ง | หน่วย | |
เอ็น-ช | ป-ช | |||
วีดีเอส | แรงดันเดรน-ซอร์ส | 30 | -30 | V |
วีจีเอส | แรงดันไฟฟ้าระหว่างเกตและแหล่งกำเนิด | ±20 | ±20 | V |
ID | กระแสไฟเดรนต่อเนื่อง, VGS(NP)=10V,Ta=25℃ | 14* | -12 | A |
กระแสไฟเดรนต่อเนื่อง, VGS(NP)=10V,Ta=70℃ | 7.6 | -9.7 | A | |
ไอดีพี เอ | ทดสอบกระแสพัลส์เดรนแล้ว, VGS(NP)=10V | 48 | -48 | A |
อีสซี | พลังงานถล่ม, พัลส์เดี่ยว , L=0.5mH | 20 | 20 | mJ |
ไอเอเอส ค | กระแสหิมะถล่ม, พัลส์เดี่ยว , L=0.5mH | 9 | -9 | A |
PD | การกระจายพลังงานทั้งหมด Ta = 25 ℃ | 5.25 | 5.25 | W |
ทีเอสทีจี | ช่วงอุณหภูมิในการจัดเก็บ | -55 ถึง 175 | -55 ถึง 175 | ℃ |
TJ | ช่วงอุณหภูมิทางแยกการทำงาน | 175 | 175 | ℃ |
RqJA บี | ความต้านทานความร้อน - ทางแยกสู่สภาพแวดล้อม, สภาวะคงที่ | 60 | 60 | ℃/วัตต์ |
RqJC | ความต้านทานความร้อน - ทางแยกไปยังเคส, สถานะคงที่ | 6.25 | 6.25 | ℃/วัตต์ |
เครื่องหมาย | พารามิเตอร์ | เงื่อนไข | นาที. | ประเภท | สูงสุด | หน่วย |
บีวีดีเอสเอส | แรงดันพังทลายของท่อระบายน้ำและแหล่งกำเนิด | VGS=0V , ID=250uA | 30 | --- | --- | V |
RDS(ON)ง | ความต้านทานต่อแหล่งเดรนแบบคงที่ | VGS=10V , ID=8A | --- | 14 | 18.5 | mΩ |
VGS=4.5V , ID=5A | --- | 17 | 25 | |||
วีจีเอส(ท) | แรงดันไฟฟ้าเกณฑ์เกต | VGS=VDS , ID =250uA | 1.3 | 1.8 | 2.3 | V |
ไอเอสเอส | กระแสไฟรั่วจากแหล่งระบายน้ำ | VDS=20V , VGS=0V , TJ=25℃ | --- | --- | 1 | uA |
VDS=20V , VGS=0V , TJ=85℃ | --- | --- | 30 | |||
ไอจีเอสเอส | กระแสไฟรั่วจากเกต-ซอร์ส | VGS=±20V , VDS=0V | --- | --- | ±100 | nA |
Rg | ความต้านทานประตู | VDS=0V , VGS=0V , f=1MHz | --- | 1.7 | 3.4 | Ω |
คิวจี | ค่าธรรมเนียมประตูรวม | VDS=15V, VGS=4.5V, IDS=8A | --- | 5.2 | --- | nC |
คิวซี | ค่าธรรมเนียมเกต-ซอร์ส | --- | 1.0 | --- | ||
คิวดี | ค่าธรรมเนียมประตู-ท่อระบายน้ำ | --- | 2.8 | --- | ||
Td(บน)จ | เวลาหน่วงเวลาเปิดเครื่อง | VDD=15V,RL=15R, IDS=1A,VGEN=10V, RG=6R | --- | 6 | --- | ns |
เทร | เวลาที่เพิ่มขึ้น | --- | 8.6 | --- | ||
Td(ปิด)จ | เวลาหน่วงเวลาปิดเครื่อง | --- | 16 | --- | ||
ทีเอฟอี | เวลาฤดูใบไม้ร่วง | --- | 3.6 | --- | ||
ซิสเซ่ | ความจุอินพุต | VDS=15V , VGS=0V , f=1MHz | --- | 545 | --- | pF |
คอสเซ่ | ความจุเอาต์พุต | --- | 95 | --- | ||
เครส | ความจุการถ่ายโอนย้อนกลับ | --- | 55 | --- |
เขียนข้อความของคุณที่นี่แล้วส่งมาให้เรา