-
การวิเคราะห์การเพิ่มประสิทธิภาพและการพร่อง MOSFET
D-FET อยู่ในอคติประตู 0 เมื่อมีช่องสัญญาณที่สามารถดำเนินการ FET ได้ E-FET อยู่ใน 0 gate bias เมื่อไม่มีช่องสัญญาณ ไม่สามารถดำเนินการ FET ได้ FET ทั้งสองประเภทนี้มีลักษณะและการใช้งานเป็นของตัวเอง โดยทั่วไป FET ที่ปรับปรุงแล้วในความเร็วสูง พลังงานต่ำ...อ่านเพิ่มเติม -
แนวทางการเลือกแพ็คเกจ MOSFET
ประการที่สอง ขนาดของข้อจำกัดของระบบ ระบบอิเล็กทรอนิกส์บางระบบถูกจำกัดด้วยขนาดของ PCB และความสูงภายใน เช่นระบบสื่อสาร แหล่งจ่ายไฟแบบโมดูลาร์เนื่องจากข้อจำกัดด้านความสูง มักใช้แพ็คเกจ DFN5 * 6, DFN3 * 3; ในแหล่งจ่ายไฟ ACDC บางตัว...อ่านเพิ่มเติม -
วิธีการผลิตวงจรขับ MOSFET กำลังสูง
มีวิธีแก้ไขปัญหาหลักสองวิธี วิธีแรกคือการใช้ชิปไดรเวอร์เฉพาะเพื่อขับเคลื่อน MOSFET หรือใช้โฟโตคัปเปลอร์ที่รวดเร็ว ทรานซิสเตอร์จะประกอบเป็นวงจรเพื่อขับเคลื่อน MOSFET แต่วิธีการประเภทแรกจำเป็นต้องมีการจัดหาแหล่งจ่ายไฟที่เป็นอิสระ อื่น ๆ...อ่านเพิ่มเติม -
การวิเคราะห์สาเหตุสำคัญของการสร้างความร้อน MOSFET
ประเภท N, ประเภท P หลักการทำงานของ MOSFET เหมือนกัน ส่วนใหญ่ MOSFET จะถูกเพิ่มไปที่ด้านอินพุตของแรงดันเกตเพื่อควบคุมด้านเอาต์พุตของกระแสเดรนได้สำเร็จ MOSFET เป็นอุปกรณ์ควบคุมแรงดันไฟฟ้าผ่านแรงดันไฟฟ้าที่เพิ่ม ไปที่ประตูเพื่อ ...อ่านเพิ่มเติม -
วิธีการตรวจสอบว่า MOSFET กำลังสูงถูกเบิร์นผ่านภาวะเหนื่อยหน่าย
(1) MOSFET เป็นองค์ประกอบควบคุมแรงดันไฟฟ้า ในขณะที่ทรานซิสเตอร์เป็นองค์ประกอบควบคุมกระแสไฟฟ้า ในความสามารถในการขับขี่ไม่พร้อมใช้งาน กระแสไฟของไดรฟ์มีขนาดเล็กมาก ควรเลือก MOSFET และในสัญญาณแรงดันต่ำและสัญญาว่าจะรับกระแสมากขึ้นจาก...อ่านเพิ่มเติม -
แดชบอร์ด EV มีแนวโน้มที่จะพัง อาจเกี่ยวข้องกับคุณภาพของ MOSFET ที่ใช้
ในขั้นตอนนี้ ตลาดมีรถยนต์ไฟฟ้าเพิ่มมากขึ้นเรื่อย ๆ คุณสมบัติการปกป้องสิ่งแวดล้อมได้รับการยอมรับ และมีสิ่งทดแทนแนวโน้มการพัฒนาเครื่องมือการเคลื่อนย้ายเชื้อเพลิงดีเซล ยานพาหนะไฟฟ้าก็เหมือนกับเครื่องมือการเคลื่อนที่อื่น ๆ เครื่องมือ...อ่านเพิ่มเติม -
วิธีป้องกันความล้มเหลวของ MOSFET
ในขั้นตอนนี้ในระดับแอปพลิเคชันอุตสาหกรรม สินค้าอะแดปเตอร์อุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์สำหรับผู้บริโภคอันดับหนึ่ง และตามการใช้งานหลักของ MOSFET ความต้องการ MOSFET อันดับที่สองคือเมนบอร์ดคอมพิวเตอร์ NB อะแดปเตอร์จ่ายไฟสำหรับมืออาชีพของคอมพิวเตอร์ จอแสดงผล LCDอ่านเพิ่มเติม -
การชาร์จแบตเตอรี่ลิเธียมนั้นเสียหายได้ง่าย WINSOK MOSFET ช่วยคุณได้!
ลิเธียมเป็นแบตเตอรี่ที่เป็นมิตรต่อสิ่งแวดล้อมรูปแบบใหม่ มีการใช้กันอย่างแพร่หลายในรถยนต์แบตเตอรี่มานานแล้ว ไม่ทราบเนื่องจากลักษณะของแบตเตอรี่แบบชาร์จไฟได้ลิเธียมเหล็กฟอสเฟตในการใช้งานต้องเป็นกระบวนการชาร์จแบตเตอรี่เพื่อดำเนินการบำรุงรักษาก่อน...อ่านเพิ่มเติม -
การป้องกันแหล่งกำเนิดเกต MOSFET
MOSFET นั้นมีข้อดีหลายประการ แต่ในขณะเดียวกัน MOSFET ก็มีความสามารถในการโอเวอร์โหลดระยะสั้นที่ละเอียดอ่อนกว่า โดยเฉพาะอย่างยิ่งในสถานการณ์การใช้งานที่มีความถี่สูง ดังนั้นในการใช้ MOSFET กำลังไฟฟ้าจึงต้องได้รับการพัฒนาเพื่อให้วงจรป้องกันที่มีประสิทธิภาพเพื่อเพิ่มเสถียรภาพ ..อ่านเพิ่มเติม -
วงจรป้องกันกระแสเกิน MOSFET เพื่อหลีกเลี่ยงอุบัติเหตุไฟดับ
แหล่งจ่ายไฟเป็นส่วนประกอบการกระจายอุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์ นอกเหนือจากลักษณะในการพิจารณาข้อกำหนดของอุปกรณ์ระบบจ่ายไฟแล้ว มาตรการป้องกันของตัวเองก็มีความสำคัญมากเช่นกัน เช่น กระแสไฟเกิน แรงดันไฟเกิน อุณหภูมิเกินอุณหภูมิ ...อ่านเพิ่มเติม -
จะเลือกวงจรไดร์เวอร์ให้เหมาะกับ MOSFET ได้อย่างไร?
ในสวิตช์ไฟและโปรแกรมการออกแบบระบบจ่ายไฟอื่นๆ ผู้ออกแบบโปรแกรมจะให้ความสำคัญกับพารามิเตอร์หลักจำนวนหนึ่งของ MOSFET เช่น ตัวต้านทานการเปิด-ปิด แรงดันไฟฟ้าในการทำงานที่มากขึ้น และการไหลของพลังงานที่มากขึ้น แม้ว่าองค์ประกอบนี้จะมีความสำคัญ แต่เมื่อคำนึงถึง...อ่านเพิ่มเติม -
ข้อกำหนดวงจรไดรเวอร์ MOSFET
ด้วยไดรเวอร์ MOS ในปัจจุบัน มีข้อกำหนดพิเศษหลายประการ: 1. การใช้งานแรงดันไฟฟ้าต่ำ เมื่อใช้แหล่งจ่ายไฟสลับ 5V ในเวลานี้หากใช้โครงสร้างเสาโทเท็มแบบดั้งเดิม เนื่องจากไตรโอดจะมีการสูญเสียขึ้นและลงเพียง 0.7V ส่งผลให้ ...อ่านเพิ่มเติม
