จะเลือก MOSFET ได้อย่างไร?

MOSFET มีสองประเภทคือ N-channel และ P-channel ในระบบไฟฟ้าMOSFETถือได้ว่าเป็นสวิตช์ไฟฟ้า สวิตช์ของ MOSFET แบบ N-channel จะดำเนินการเมื่อมีการเพิ่มแรงดันไฟฟ้าบวกระหว่างเกตและแหล่งกำเนิด ขณะดำเนินการ กระแสสามารถไหลผ่านสวิตช์จากท่อระบายน้ำไปยังแหล่งกำเนิดได้ มีความต้านทานภายในระหว่างท่อระบายน้ำและแหล่งกำเนิดที่เรียกว่า RDS (ON)

 

MOSFET เป็นส่วนประกอบพื้นฐานของระบบไฟฟ้า Guanhua Weiye บอกคุณถึงวิธีการเลือกที่ถูกต้องตามพารามิเตอร์?

I. การเลือกช่องทาง

ขั้นตอนแรกในการเลือกอุปกรณ์ที่ถูกต้องสำหรับการออกแบบของคุณคือการพิจารณาว่าจะใช้ MOSFET แบบ N-channel หรือ P-channel ในการใช้งานด้านพลังงาน MOSFET จะถูกต่อสายดินและโหลดจะเชื่อมต่อกับแรงดันไฟฟ้าหลักเมื่อ MOSFET สร้างสวิตช์ด้านข้างแรงดันต่ำ ควรใช้ MOSFET แบบ N-channel ในการสลับด้านแรงดันต่ำเนื่องจากการพิจารณาแรงดันไฟฟ้าที่ต้องใช้ในการปิดหรือเปิดอุปกรณ์ ควรใช้สวิตช์ด้านข้างไฟฟ้าแรงสูงเมื่อเชื่อมต่อ MOSFET เข้ากับบัสและการเชื่อมต่อกราวด์ของโหลด

 

ครั้งที่สอง การเลือกแรงดันและกระแส

ยิ่งแรงดันไฟฟ้าที่กำหนดสูงเท่าใด ราคาของอุปกรณ์ก็จะสูงขึ้นตามไปด้วย จากประสบการณ์จริง แรงดันไฟฟ้าที่กำหนดควรมากกว่าแรงดันลำตัวหรือแรงดันบัส จากนั้นจึงจะสามารถป้องกันความล้มเหลวของ MOSFET ได้อย่างเพียงพอ เมื่อเลือก MOSFET จำเป็นต้องกำหนดแรงดันไฟฟ้าสูงสุดจากเดรนไปยังแหล่งกำเนิด

ในโหมดการนำต่อเนื่องมอสเฟตอยู่ในสภาวะคงที่เมื่อกระแสไหลผ่านอุปกรณ์อย่างต่อเนื่อง พัลส์เดือยแหลมคือเมื่อมีกระแสไฟกระชากขนาดใหญ่ (หรือกระแสสูงสุด) ไหลผ่านอุปกรณ์ เมื่อกำหนดกระแสสูงสุดภายใต้เงื่อนไขเหล่านี้แล้ว เพียงเลือกอุปกรณ์ที่สามารถทนกระแสสูงสุดได้

 

ประการที่สาม การสูญเสียการนำไฟฟ้า

เนื่องจากค่าความต้านทานออนแปรผันตามอุณหภูมิ การสูญเสียกำลังจึงแปรผันตามสัดส่วน สำหรับการออกแบบแบบพกพา การใช้แรงดันไฟฟ้าต่ำจะพบได้บ่อยกว่า ในขณะที่การออกแบบทางอุตสาหกรรม สามารถใช้แรงดันไฟฟ้าที่สูงกว่าได้

 

ข้อกำหนดด้านความร้อนของระบบ

เกี่ยวกับข้อกำหนดในการระบายความร้อนของระบบ Crown Worldwide เตือนคุณว่ามีสองสถานการณ์ที่แตกต่างกันที่ต้องพิจารณา กรณีที่เลวร้ายที่สุดและสถานการณ์จริง ใช้การคำนวณกรณีที่แย่ที่สุด เนื่องจากผลลัพธ์นี้ให้ระยะขอบของความปลอดภัยที่มากกว่า และสามารถรับประกันได้ว่าระบบจะไม่ล้มเหลว

ที่มอสเฟตกำลังค่อยๆ เข้ามาแทนที่ไตรโอดในวงจรรวม เนื่องจากใช้พลังงานต่ำ มีเสถียรภาพ และต้านทานการแผ่รังสี แต่มันก็ยังบอบบางอยู่มาก และถึงแม้ว่าส่วนใหญ่จะมีไดโอดป้องกันในตัวอยู่แล้ว แต่ก็อาจเสียหายได้หากไม่เอาใจใส่ ดังนั้นจึงควรระมัดระวังในการสมัครด้วยจะดีที่สุด