AON6661 AON6667 AOND32324 PJQ5606 PDC3701T MOSFET พลังงานแรงดันปานกลางและต่ำ

คำอธิบายสั้น:

ส่วนจำนวน:AON6661 AON6667 AOND32324 PJQ5606 PDC3701T

ช่อง：N-Ch และ P-Channel

บรรจุุภัณฑ์:DFN5*6-8

ส่งอีเมลถึงเรา ไฟล์ PDF

รายละเอียดผลิตภัณฑ์

แอปพลิเคชัน

แท็กสินค้า

ภาพรวมผลิตภัณฑ์ MOSFET

แรงดันไฟฟ้า AOS AON6661 BVDSS คือ 30V -30V, ID ปัจจุบันคือ 16A -16A และความต้านทานภายใน RDSON คือ 35mΩ

แรงดันไฟฟ้า AOS AON6667 BVDSS คือ 30V -30V, ID ปัจจุบันคือ 16A -16A และความต้านทานภายใน RDSON คือ 35mΩ

แรงดันไฟฟ้า AOS AOND32324 BVDSS คือ 30V -30V, ID ปัจจุบันคือ 16A -16A และความต้านทานภายใน RDSON คือ 19.5mΩ

PANJIT PJQ5606 แรงดันไฟฟ้า BVDSS คือ 30V -30V, ID ปัจจุบันคือ 25A -22A และความต้านทานภายใน RDSON คือ 28mΩ

แรงดันไฟฟ้า POTENS PDC3701T BVDSS คือ 30V -30V, ID ปัจจุบันคือ 23.3A 15.2A และความต้านทานภายใน RDSON คือ 29mΩ

หมายเลขวัสดุที่เกี่ยวข้อง

แรงดันไฟฟ้า BVDSS ของ WINSOK WSD3023DN56 FET คือ 30V/-30V, ID ปัจจุบันคือ 14A/-12A, ความต้านทานภายใน RDSON คือ 14mΩ/23mΩ, N-Ch และ P-Channel และแพ็คเกจคือ DFN5*6-8